一种多色红外探测器及探测方法
摘要:
本发明公开了一种种多色红外探测器及探测方法,该探测器包括依次排布的衬底、n型接触层、势垒层、复合吸收区、p型接触层、电极层;所述复合吸收区沿被测光线入射方向设置有若干吸收层,所述若干吸收层从前至后禁带宽度递减,使得被测光线入射到某个吸收层时,大于该吸收层禁带宽度的光子被该层吸收并产生光生载流子;所述电极层与n型接触层作为电极使得二者之间可加载不同偏压,并根据偏压的不同可打破不同吸收层间的势垒,使得吸收层中产生的光生载流子能突破各吸收层之间的势垒从而输送到势垒层被抽取。本发明能够进行多波段红外光的探测,并且体积小结构简单。
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件(使用半导体器件的测量入G01;一般电阻器入H01C;磁体、电感器、变压器入H01F;一般电容器入H01G;电解型器件入H01G9/00;电池组、蓄电池入H01M;波导管、谐振器或波导型线路入H01P;线路连接器、汇流器入H01R;受激发射器件入H01S;机电谐振器入H03H;扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R;一般电光源入H05B;印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K;在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类)
H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备;其零部件(H01L51/42优先;由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件,而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L27/00)
H01L31/08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31/10 ..特点在于至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的,例如光敏晶体管
H01L31/101 ...对红外、可见或紫外辐射敏感的器件
H01L31/102 ....仅以一个势垒或面垒为特征的
H01L31/105 .....为PIN型势垒的
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