公开(公告)号：CN120051039A

公开(公告)日：2025-05-27

申请号：CN202510219495.5

申请日：2025-02-26

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 巫江 ,  徐可萱 ,  黄一轩 ,  李创 ,  周翔宇 ,  张旭昊

IPC: H10F71/00 ,  H10F77/14 ,  H10F77/12 ,  H10F30/282

Abstract: 本申请提供一种微型光谱仪的制备方法，包括通过干法转移法，制备基于范德华异质结构的微型光谱仪；对所述基于范德华异质结构的微型光谱仪进行光谱信息重构，其中，所述基于范德华异质结构的微型光谱仪，包括Si衬底、SiO2衬底、α‑In2Se3/WSexS1‑x范德华异质结、源极、漏极，且所述SiO2衬底设置于Si衬底的顶端，所述α‑In2Se3/WSexS1‑x范德华异质结设置于所述SiO2衬底的顶端，所述源极设置于所述α‑In2Se3/WSexS1‑x范德华异质结的WSexS1‑x端，所述漏极设置于所述α‑In2Se3/WSexS1‑x范德华异质结的α‑In2Se3端。实现了光生载流子的高效分离和传输，相较单个二维材料探测器有效提高了光电响应性能。

公开(公告)号：CN120035267A

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202510177757.6

申请日：2025-02-18

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 巫江 ,  徐可萱 ,  黄一轩 ,  李创 ,  周翔宇 ,  张旭昊

IPC: H10F77/12 ,  G01J3/28 ,  H10F30/28

Abstract: 本申请提供一种基于范德华异质结构的微型光谱仪，包括Si衬底、SiO2衬底、α‑In2Se3/WSexS1‑x范德华异质结、源极、漏极，其中，所述SiO2衬底设置于Si衬底的顶端，所述α‑In2Se3/WSexS1‑x范德华异质结设置于所述SiO2衬底的顶端，所述源极设置于所述α‑In2Se3/WSexS1‑x范德华异质结的WSexS1‑x端，所述漏极设置于所述α‑In2Se3/WSexS1‑x范德华异质结的α‑In2Se3端。实现了光生载流子的高效分离和传输，相较单个二维材料探测器有效提高了光电响应性能。

公开(公告)号：CN119765017A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202411904333.7

申请日：2024-12-23

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 巫江 ,  张旭昊 ,  任翱博

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/30

Abstract: 本发明公开了一种介电反相模式滤波结构的垂直腔面发射激光器及其制备方法，涉及垂直腔面发射激光器技术领域，激光器自上而下包括，顶电极、p型布拉格反射镜组、第一有源区、隧道结、第二有源区、n型布拉格反射镜组、衬底、底电极，p型布拉格反射镜组上部设置了介电反相模式滤波结构：沉积在p型布拉格反射镜组上部中心区域的中心SiO2柱、分别沉积在中心SiO2柱两侧的两个TiO2介电层。还提供制备方法：在衬底上依次外延n型布拉格反射镜组、第二有源区、隧道结，第一有源区、p型布拉格反射镜组；在p型布拉格反射镜组上部设置顶电极，在衬底下部设置底电极；在p型布拉格反射镜组上部设置介电反相模式滤波结构。

公开(公告)号：CN119384197A

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN202411502761.7

申请日：2024-10-25

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 巫江 ,  周翔宇 ,  沈凯 ,  张旭昊 ,  何巧 ,  黄一轩

IPC: H10K71/00 ,  H10K30/88 ,  H10K30/40 ,  H10K30/60

Abstract: 本发明公开了一种高速钙钛矿光电探测器的制备方法及其应用，涉及探测器器件技术领域，特别涉及一种高速钙钛矿光电探测器的制备方法及其应用。解决了现有的钙钛矿基光电探测器暗电流大、能级不匹配、串联电阻高，不利于界面载流子提取的问题。方法包括以下步骤：提供衬底并对其进行预处理得到预处理后的衬底；在预处理后的衬底上旋涂NiOx溶液并退火得到预处理膜层；在预处理膜层表面旋转涂覆2Br‑POOH溶液并退火得到第一处理件；将钙钛矿前驱体溶液滴到第一处理件上并旋转涂覆退火得到钙钛矿薄膜；在衬底上热蒸发电极得到光电探测器。本方法促进了钙钛矿晶体的纵向生长，有利于载流子的收集和传输，器件稳定性、响应高。

公开(公告)号：CN118508230A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202410654886.5

申请日：2024-05-24

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 任翱博 ,  张旭昊 ,  巫江 ,  唐枝婷 ,  赵飞云 ,  刘继林 ,  周翔宇 ,  刘煜

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/30

Abstract: 本发明公开了一种氧化岛反谐振波导垂直腔面发射激光器、制备方法及其应用，涉及半导体技术领域，解决了现有的保证输出功率的基横模垂直腔面发射激光器的制备方法复杂、出光功率较小、成本高且对精度要求较高，不利于广泛应用的问题。激光器自上而下包括，第一电极、P型布拉格反射镜、第一氧化层、第一有源区、隧道结、第二氧化层、第二有源区、N型布拉格反射镜、衬底、第二电极，P型布拉格反射镜的第二对以及第九对p‑DBR的通光孔径中分别设有氧化岛，且靠近的第一电极的氧化岛的宽度大于另一个氧化岛，氧化岛用于反波导高阶模式限制。本发明的基横模垂直腔面发射激光器，出光功率大，制备简单，成本低，对精度要求较低，能广泛应用。