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公开(公告)号：CN105871351A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610168651.0
申请日：2016-03-22
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于电子科学技术领域，涉及MEMS压电谐振器，具体提供一种窄支撑梁高品质因数的压电谐振器，包括振动块、四条支撑梁、四个支撑台及基底，所述振动块由输入端P型半导体区、N型半导体区和输出端P型半导体区构成，所述输入端P型半导体区、输出端P型半导体区分别位于振动块的对角，连接振动块各区的支撑梁与振动块对应区采用相同掺杂类型，振动块上覆盖压电层，输入、输出金属电极置于压电层上，所述压电层部分覆盖振动块，使得输入金属电极与输入端P型半导体区电气连通，输出金属电极与输出端P型半导体区电气连通。本发明结构能够大大减小了由传统支撑梁较大宽度带来的锚点损耗，有效的提高了谐振器的品质因数Q。
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公开(公告)号：CN105871350A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610168600.8
申请日：2016-03-22
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于电子科学技术领域，涉及MEMS压电谐振器，提供一种双窄支撑梁高品质因数的压电谐振器，包括振动块、输入端支撑梁、输出端支撑梁、输入端支撑台、输出端支撑台及基底，所述振动块通过支撑梁与支撑台电气连通，支撑台设置于基底上，支撑台上设置外接金属电极，所述振动块由输入端P型半导体区、N型半导体区构成，所述输入端P型半导体区位于振动块与输入端支撑梁连接处，连接振动块各区的支撑梁与振动块对应区采用相同掺杂类型，压电层部分覆盖振动块，开设缺口以部分露出输入端P型半导体区，压电层上金属电极通过过渡金属电极连接输入端P型半导体区。本发明结构能够大大减小支撑梁宽度，有效的提高谐振器的品质因数Q。
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公开(公告)号：CN104821800A
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201510206387.0
申请日：2015-04-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于微机械系统(MEMS)器件设计制造领域，提出了一种降低馈通电容影响的MEMS压电谐振器，包括差分输入/输出结构和两个MEMS压电谐振单元；其特征在于，所述两个MEMS压电谐振单元中，一个在硅基底及二氧化硅绝缘层上对应于振动块和支撑梁的位置刻蚀有空腔，另一个未开设有空腔。与传统的MEMS谐振器相比，该结构通过引入差分输入/输出结构，使两个谐振器的馈通信号在输出端实现相减进而产生抵消作用，从而实现降低馈通电容影响的作用，提高谐振器的能量转换效率，使其具有更好的选频特性，并抑制谐振器的输出杂散。
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公开(公告)号：CN104218916A
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201410436945.8
申请日：2014-08-29
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03H9/24
Abstract: 具有LC串联谐振电路的MEMS谐振器，属于电子科学技术领域。包含振动块及其支撑锚点；输入/输出电极；输入端LC串联谐振结构；输入/输出端。输入端通过电感与输入电极相连；谐振块的支撑锚点处形成LC串联谐振电路中的电容结构。本发明提供的具有LC串联谐振电路的MEMS谐振器，在常规静电驱动电容式MEMS谐振器的输入电极前增加了有电感与电容组成的LC串联谐振电路，其串联谐振频率与振动块机械谐振频率一致。这种结构的引入提高了谐振器的实际输入电压及能量转换效率，使谐振器振动激励出更大的位移，进而使输出幅度提高，有效的改善了谐振器的输出性能。
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公开(公告)号：CN117375553A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202210763494.3
申请日：2022-06-30
Abstract: 本申请实施例提供一种声表面波谐振器、滤波器和通讯设备，涉及谐振器技术领域，可以使得声表面波谐振器实现平坦的慢度曲线。该声表面波谐振器可以包括：基底、压电层和电极，压电层设置在基底上，电极设置在压电层的远离基底的一侧；其中，基底的材料为四方晶系材料；由压电层的材料和电极的材料合成的第一慢度曲线，与四方晶系材料的第二慢度曲线，在该声表面波谐振器的波传播方向上的凹凸特性相反。这样的话，通过特性相反的慢度曲线的相互抵消，可以使得最终的谐振器在波传播方向上的慢度曲线平坦，以抑制横向模态。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105871351B
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201610168651.0
申请日：2016-03-22
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于电子科学技术领域，涉及MEMS压电谐振器，具体提供一种窄支撑梁高品质因数的压电谐振器，包括振动块、四条支撑梁、四个支撑台及基底，所述振动块由输入端P型半导体区、N型半导体区和输出端P型半导体区构成，所述输入端P型半导体区、输出端P型半导体区分别位于振动块的对角，连接振动块各区的支撑梁与振动块对应区采用相同掺杂类型，振动块上覆盖压电层，输入、输出金属电极置于压电层上，所述压电层部分覆盖振动块，使得输入金属电极与输入端P型半导体区电气连通，输出金属电极与输出端P型半导体区电气连通。本发明结构能够大大减小了由传统支撑梁较大宽度带来的锚点损耗，有效的提高了谐振器的品质因数Q。
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公开(公告)号：CN104916502B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201510246961.5
申请日：2015-05-15
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01H59/00
Abstract: 本发明属于电子科学技术领域，提供一种横向双梁的DC接触式串联MEMS开关，包括带绝缘介质层的基底，绝缘介质层上的两个横向可移动悬臂梁及其对应的第一驱动电极、第二驱动电极、开关焊盘、电极焊盘；所述两个横向可移动悬臂梁下方悬空且高度位于同一水平面，其固定端分别通过支撑锚点固定于绝缘层上对侧位置、自由端部分交叠且不接触；所述第一驱动电极设置作用于横向可移动悬臂梁中点；所述第二驱动电极设置对应于横向可移动悬臂梁自由端端点。本发明通过两组电极对两个悬臂梁的控制，使开关具有更低的驱动电压和更高的隔离度，并降低了开关时间，使之具有更好的实用性及开关性能。
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公开(公告)号：CN104183425A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201410439204.5
申请日：2014-08-29
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01H59/00
Abstract: 一种射频MEMS单刀双掷开关，属于电子科学技术领域。采用可移动金属悬臂梁，其一端通过金属锚点与信号输入端相连，中间具有吸合电极板，远端为下拉电极板；沿悬臂梁中心轴线两侧分别设置第一、第二驱动电极和信号输出端；开关工作时，第一驱动电极先施加偏置电压，使得吸合电极板受静电力作用而移动，然后同侧第二驱动电极施加偏置电压，使得远端下拉电极板被拉下导致两个电接触点与同侧的射频信号输出端相接触。本发明提供的开关在断开状态时两个第二驱动电极板都不在悬臂梁垂直投影区域以内，有效减少了开关断开状态的耦合电容，增加了开关的隔离度，同时开关在断开状态下金属悬臂梁和基底之间距离可做得更小，从而有效降低了开关驱动电压。
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公开(公告)号：CN103715481A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310713045.9
申请日：2013-12-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P1/203
Abstract: 本发明公开了一种基于微屏蔽结构的太赫兹带状线滤波器，包括滤波器输入端（1）和滤波器输出端（4），滤波器输入端（1）和滤波器输出端（4）之间包括形成S型弯折结构的若干段，各段内部包括：上地平面（15）、下地平面（11）、上信号线（16）、下信号线（12）、上支撑薄膜（17）、下支撑薄膜（13）、上结合壁（18）、下结合壁（14）。本发明由于采用带状线滤波器结构，信号线之间可实现强耦合，从而实现宽带滤波功能。
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公开(公告)号：CN106921363B
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201710139948.9
申请日：2017-03-10
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种薄膜体声波谐振器，涉及射频微机电系统技术领域。本发明谐振器包括基底、支撑台、薄膜结构层和外接电极，所述薄膜结构层包括石墨烯薄膜、压电薄膜和金属钛膜；薄膜结构层中两个石墨烯薄膜分别作为顶电极和底电极，顶电极和底电极相互交叉且隔离设置，并分别对应支撑台形成电气连通；压电薄膜位于顶电极与底电极平面之间形成石墨烯薄膜‑压电薄膜‑石墨烯薄膜的压电谐振堆，顶电极与输入外接电极电气连通，能够基于逆压电效应能够将电能量转换成声波形成谐振，底电极与输出外接电极电气连通，能够将产生信号进行输出。本发明能够有效降低薄膜体声波谐振器的锚点损耗和界面损耗，提高器件的工作频率和高品质因素。
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