半导体器件
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104637526B

    公开(公告)日:2018-10-26

    申请号:CN201410638738.0

    申请日:2014-11-07

    Inventor: 饭岛正章

    Abstract: 本发明涉及一种半导体器件。过去存在不能够防止产生在信号DQS和DQSB之间的差的高阻抗状态的问题。通过本发明,第一比较器电路在将输入端子耦合到端子电位之后并且从两个信号的前导的开始时刻之前起输出表示DQS和DQSB之间的差的信号DQSIN。第二比较器电路将DQS或者DQSB的电平与基准电压Vref进行比较并且输出表示比较结果的信号ODT_DET。门电路在掩蔽状态下通过信号EW掩蔽信号DQSIN。控制电路基于ODT_DET识别前导的开始时刻,并且在前导的开始之前将信号EW设置为掩蔽状态并且从前导的开始时刻起将信号EW设置为去掩蔽状态。

    半导体装置
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106936421A

    公开(公告)日:2017-07-07

    申请号:CN201710147817.5

    申请日:2011-12-29

    Abstract: 在半导体装置(1)中设置了的接口电路(5)根据时钟信号(CK)向外部存储器装置(2)供给动作时钟,从外部存储器装置(2)接收数据信号(DQ)以及选通信号(DQS)。接口电路(5)包括使所接收的选通信号(DQS)延迟的延迟电路(25)。延迟电路(25)包括第1调整电路(26)、和与第1调整电路(26)串联地连接了的第2调整电路(27)。第1调整电路(26)能够按照与时钟信号(CK)的设定频率对应的多个阶段,调整选通信号(DQS)的延迟量。第2调整电路(27)能够以比第1调整电路(26)细的精度,调整选通信号(DQS)的延迟量。

    半导体装置
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106936421B

    公开(公告)日:2020-09-01

    申请号:CN201710147817.5

    申请日:2011-12-29

    Abstract: 在半导体装置(1)中设置了的接口电路(5)根据时钟信号(CK)向外部存储器装置(2)供给动作时钟,从外部存储器装置(2)接收数据信号(DQ)以及选通信号(DQS)。接口电路(5)包括使所接收的选通信号(DQS)延迟的延迟电路(25)。延迟电路(25)包括第1调整电路(26)、和与第1调整电路(26)串联地连接了的第2调整电路(27)。第1调整电路(26)能够按照与时钟信号(CK)的设定频率对应的多个阶段,调整选通信号(DQS)的延迟量。第2调整电路(27)能够以比第1调整电路(26)细的精度,调整选通信号(DQS)的延迟量。

    半导体器件
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109584917A

    公开(公告)日:2019-04-05

    申请号:CN201811113924.7

    申请日:2014-11-07

    Inventor: 饭岛正章

    Abstract: 本发明涉及一种半导体器件。过去存在不能够防止产生在信号DQS和DQSB之间的差的高阻抗状态的问题。通过本发明,第一比较器电路在将输入端子耦合到端子电位之后并且从两个信号的前导的开始时刻之前起输出表示DQS和DQSB之间的差的信号DQSIN。第二比较器电路将DQS或者DQSB的电平与基准电压Vref进行比较并且输出表示比较结果的信号ODT_DET。门电路在掩蔽状态下通过信号EW掩蔽信号DQSIN。控制电路基于ODT_DET识别前导的开始时刻,并且在前导的开始之前将信号EW设置为掩蔽状态并且从前导的开始时刻起将信号EW设置为去掩蔽状态。

    半导体器件
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104637526A

    公开(公告)日:2015-05-20

    申请号:CN201410638738.0

    申请日:2014-11-07

    Inventor: 饭岛正章

    Abstract: 本发明涉及一种半导体器件。过去存在不能够防止产生在信号DQS和DQSB之间的差的高阻抗状态的问题。通过本发明,第一比较器电路在将输入端子耦合到端子电位之后并且从两个信号的前导的开始时刻之前起输出表示DQS和DQSB之间的差的信号DQSIN。第二比较器电路将DQS或者DQSB的电平与基准电压Vref进行比较并且输出表示比较结果的信号ODT_DET。门电路在掩蔽状态下通过信号EW掩蔽信号DQSIN。控制电路基于ODT_DET识别前导的开始时刻,并且在前导的开始之前将信号EW设置为掩蔽状态并且从前导的开始时刻起将信号EW设置为去掩蔽状态。

    半导体器件
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109584917B

    公开(公告)日:2023-04-28

    申请号:CN201811113924.7

    申请日:2014-11-07

    Inventor: 饭岛正章

    Abstract: 本发明涉及一种半导体器件。过去存在不能够防止产生在信号DQS和DQSB之间的差的高阻抗状态的问题。通过本发明,第一比较器电路在将输入端子耦合到端子电位之后并且从两个信号的前导的开始时刻之前起输出表示DQS和DQSB之间的差的信号DQSIN。第二比较器电路将DQS或者DQSB的电平与基准电压Vref进行比较并且输出表示比较结果的信号ODT_DET。门电路在掩蔽状态下通过信号EW掩蔽信号DQSIN。控制电路基于ODT_DET识别前导的开始时刻,并且在前导的开始之前将信号EW设置为掩蔽状态并且从前导的开始时刻起将信号EW设置为去掩蔽状态。

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