Invention Grant
- Patent Title: 半导体器件
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Application No.: CN201410638738.0Application Date: 2014-11-07
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Publication No.: CN104637526BPublication Date: 2018-10-26
- Inventor: 饭岛正章
- Applicant: 瑞萨电子株式会社
- Applicant Address: 日本东京
- Assignee: 瑞萨电子株式会社
- Current Assignee: 瑞萨电子株式会社
- Current Assignee Address: 日本东京
- Agency: 中原信达知识产权代理有限责任公司
- Agent 韩峰; 孙志湧
- Priority: 2013-231020 2013.11.07 JP
- Main IPC: G11C11/407
- IPC: G11C11/407

Abstract:
本发明涉及一种半导体器件。过去存在不能够防止产生在信号DQS和DQSB之间的差的高阻抗状态的问题。通过本发明,第一比较器电路在将输入端子耦合到端子电位之后并且从两个信号的前导的开始时刻之前起输出表示DQS和DQSB之间的差的信号DQSIN。第二比较器电路将DQS或者DQSB的电平与基准电压Vref进行比较并且输出表示比较结果的信号ODT_DET。门电路在掩蔽状态下通过信号EW掩蔽信号DQSIN。控制电路基于ODT_DET识别前导的开始时刻,并且在前导的开始之前将信号EW设置为掩蔽状态并且从前导的开始时刻起将信号EW设置为去掩蔽状态。
Public/Granted literature
- CN104637526A 半导体器件 Public/Granted day:2015-05-20
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IPC分类: