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公开(公告)号：CN105706221B
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201480061004.9
申请日：2014-09-18
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/66 , H01L29/12 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78
Abstract: 一种碳化硅半导体器件包括碳化硅衬底(10)、栅极绝缘膜(15)和栅电极(27)。碳化硅衬底(10)具有第一主表面(10a)和与所述第一主表面(10a)相反的第二主表面(10b)。所述栅极绝缘膜(15)被设置成接触所述碳化硅衬底(10)的所述第一主表面(10a)。所述栅电极(27)设置在所述栅极绝缘膜(15)上，使得所述栅极绝缘膜(15)位于所述栅电极(27)和所述碳化硅衬底(10)之间。在175℃的温度下向栅电极(27)施加‑5V的栅电压达100小时的第一应力测试中，第一阈值电压和第二阈值电压之差的绝对值不大于0.5V，所述第一应力测试之前的阈值电压被定义为所述第一阈值电压并且所述第一应力测试之后的阈值电压被定义为所述第二阈值电压。因此，提供了阈值电压的波动可减弱的碳化硅半导体器件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN102291093B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201110160332.2
申请日：2011-06-07
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: H03F3/245 , H03F1/0216 , H03F1/0277 , H03F3/195 , H03F3/211 , H03F3/45475 , H03F3/72 , H03F2200/108 , H03F2200/222 , H03F2200/27 , H03F2200/318 , H03F2200/387 , H03F2200/411 , H03F2200/451 , H03F2200/504 , H03F2200/555 , H03F2203/7206
Abstract: 本发明提供一种RF功率放大装置及其工作方法。RF功率放大装置(200)包括根据外部电源电压(Vcc1、Vcc2、Vcc3)进行工作的驱动级放大器(230)、第一RF放大器(270a)、第二RF放大器(270b)以及DC电压转换器(280)。驱动级放大器(230)输出提供给第一及第二RF放大器(270a、270b)的输入，第一RF放大器(270a)的有效元件尺寸设定为比第二RF放大器(270b)大。向DC电压转换器(280)提供外部电源电压(Vcc3)，DC电压转换器(280)生成低电压的工作电源电压(Vcc4)并提供给第二RF放大器(270b)的输出端子。能不通过DC电压转换器(280)而向第一RF放大器(270a)的输出端子提供外部电源电压(Vcc2)。根据本发明，能通过减少低功率输出时的消耗电流来减缓由于DC电压转换器导致的安装面积的增大。
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公开(公告)号：CN102820856A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201210270190.X
申请日：2010-02-03
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: H03F3/245 , H03F1/0272 , H03F3/195 , H03F3/68 , H03F2200/105 , H03F2200/108 , H03F2200/204 , H03F2200/222 , H03F2200/387 , H03F2200/408 , H03F2200/414 , H03F2200/417 , H03F2203/45136 , H03G3/3042
Abstract: 本发明提供一种RF功率放大电路和使用该电路的RF功率模块。RF功率放大电路(313)具备前级放大器(310)、后级放大器(311)、控制部(312)。前级放大器响应于RF发送输入信号(Pin)，后级放大器响应于前级放大器输出的放大信号。控制部响应于输出功率控制电压(Vapc)对前后级放大器的无功电流进行控制，从而控制前后级放大器的增益。响应于输出功率控制电压，前后级放大器的无功电流和增益分别按第一连续函数(2ndAmp)、第二连续函数(3rdAmp)连续变化。第二连续函数比第一连续函数高一次以上的函数。减轻包含多级放大级的RF功率放大电路的低功率和中间功率时的功率附加效率(PAE)的降低。
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公开(公告)号：CN102307049A
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN201110185923.5
申请日：2005-06-21
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H04B1/00
CPC classification number: H04B1/006
Abstract: 本发明提供了一种可以减少元件个数，适于小型化的移动通信设备用的无线发送电路。在过去移动通信设备中必需的TX、RF、IF频带的3个振荡器中，可以用1个PLL合成器(SS)兼用作RF频带PLL和IF频带PLL，可以减少在芯片内必须占有大面积的振荡器个数，减少了元件个数。具体地说通过对RF频带PLL的VCO(21)的输出进行分频而生成RF、IF频带中使用的局部振荡信号。
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公开(公告)号：CN1756093B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200510078673.X
申请日：2005-06-21
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: H04B1/006
Abstract: 本发明提供了一种可以减少元件个数，适于小型化的移动通信设备用的无线发送电路。在过去移动通信设备中必需的TX、RF、IF频带的3个振荡器中，可以用1个PLL合成器(SS)兼用作RF频带PLL和IF频带PLL，可以减少在芯片内必须占有大面积的振荡器个数，减少了元件个数。具体地说通过对RF频带PLL的VCO(21)的输出进行分频而生成RF、IF频带中使用的局部振荡信号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101902207A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN201010174684.9
申请日：2010-05-07
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: H03F1/30 , H03F3/193 , H03F3/245 , H03F3/72 , H03F2200/111 , H03F2200/18 , H03F2200/318 , H03F2200/408 , H03F2203/7209
Abstract: 本发明提供一种偏置电路、高功率放大器和便携信息终端。提供一种可以在低功率输出时减少增益变化、有助于设置输出功率并且不太可能受元件值的变化和产品之间的变化所影响的用于增益控制的偏置电路。假设在让三个偏置电路串行连接的HPA中使用。第三偏置电路的电流随着平方律特性而变化。平方律特性由包括线性放大器及其外围电路的缓冲放大器放大。第三偏置电路的输出电流根据从恒定电流源与线性放大器之间的连接点分支的连接有二极管的FET的电流可驱动性系数而变化。通过提供如下电路来控制第三偏置电路的输出电流，该电路从FET中流动的电流汲取某一数量的电流。
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公开(公告)号：CN106716609A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201580051484.5
申请日：2015-08-31
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/283 , H01L21/316 , H01L21/768 , H01L23/532 , H01L29/12 , H01L29/78
CPC classification number: H01L23/53295 , H01L21/043 , H01L23/291 , H01L23/3171 , H01L23/3192 , H01L23/53223 , H01L29/1608 , H01L29/45 , H01L29/51 , H01L29/66068 , H01L29/78 , H01L29/7802 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种碳化硅半导体装置(1)，其具有碳化硅基板(10)、栅绝缘膜(15)、栅电极(27)和层间绝缘膜(2)。碳化硅基板(10)具有主面(10a)。栅绝缘膜(15)设置在碳化硅基板(10)的主面(10a)上。栅电极(27)设置在栅绝缘膜(15)上。以覆盖栅电极(27)的方式设置层间绝缘膜(2)。层间绝缘膜(2)包含：第一绝缘膜(2a)，其与栅电极(27)接触、含有硅原子并且既不含磷原子也不含硼原子；第二绝缘膜(2b)，其设置在第一绝缘膜(2a)上并且含有硅原子以及磷原子和硼原子中的至少一种；和第三绝缘膜(2c)，其含有硅原子并且既不含磷原子也不含硼原子。第二绝缘膜(2b)具有与第一绝缘膜(2a)接触的第一面(2b1)、第一面(2b1)相反侧的第二面(2b2)、以及连接第一面(2b1)和第二面(2b2)的第三面(2b3)。第三绝缘膜(2c)与第二面(2b2)和第三面(2b3)中的至少一者接触。
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公开(公告)号：CN105706221A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201480061004.9
申请日：2014-09-18
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/66 , H01L29/12 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/1608 , G01R31/2621 , G01R31/2856 , H01L21/0485 , H01L21/049 , H01L21/28 , H01L21/321 , H01L21/324 , H01L21/326 , H01L22/14 , H01L29/12 , H01L29/423 , H01L29/45 , H01L29/49 , H01L29/51 , H01L29/66068 , H01L29/78 , H01L29/7827
Abstract: 一种碳化硅半导体器件包括碳化硅衬底(10)、栅极绝缘膜(15)和栅电极(27)。碳化硅衬底(10)具有第一主表面(10a)和与所述第一主表面(10a)相反的第二主表面(10b)。所述栅极绝缘膜(15)被设置成接触所述碳化硅衬底(10)的所述第一主表面(10a)。所述栅电极(27)设置在所述栅极绝缘膜(15)上，使得所述栅极绝缘膜(15)位于所述栅电极(27)和所述碳化硅衬底(10)之间。在175℃的温度下向栅电极(27)施加-5V的栅电压达100小时的第一应力测试中，第一阈值电压和第二阈值电压之差的绝对值不大于0.5V，所述第一应力测试之前的阈值电压被定义为所述第一阈值电压并且所述第一应力测试之后的阈值电压被定义为所述第二阈值电压。因此，提供了阈值电压的波动可减弱的碳化硅半导体器件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN102820856B
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201210270190.X
申请日：2010-02-03
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: H03F3/245 , H03F1/0272 , H03F3/195 , H03F3/68 , H03F2200/105 , H03F2200/108 , H03F2200/204 , H03F2200/222 , H03F2200/387 , H03F2200/408 , H03F2200/414 , H03F2200/417 , H03F2203/45136 , H03G3/3042
Abstract: 本发明提供一种RF功率放大电路和使用该电路的RF功率模块。RF功率放大电路(313)具备前级放大器(310)、后级放大器(311)、控制部(312)。前级放大器响应于RF发送输入信号(Pin)，后级放大器响应于前级放大器输出的放大信号。控制部响应于输出功率控制电压(Vapc)对前后级放大器的无功电流进行控制，从而控制前后级放大器的增益。响应于输出功率控制电压，前后级放大器的无功电流和增益分别按第一连续函数(2ndAmp)、第二连续函数(3rdAmp)连续变化。第二连续函数比第一连续函数高一次以上的函数。减轻包含多级放大级的RF功率放大电路的低功率和中间功率时的功率附加效率(PAE)的降低。
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公开(公告)号：CN102307049B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201110185923.5
申请日：2005-06-21
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H04B1/00
CPC classification number: H04B1/006
Abstract: 本发明提供了一种可以减少元件个数，适于小型化的移动通信设备用的无线发送电路。在过去移动通信设备中必需的TX、RF、IF频带的3个振荡器中，可以用1个PLL合成器(SS)兼用作RF频带PLL和IF频带PLL，可以减少在芯片内必须占有大面积的振荡器个数，减少了元件个数。具体地说通过对RF频带PLL的VCO(21)的输出进行分频而生成RF、IF频带中使用的局部振荡信号。
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