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公开(公告)号：CN105826325B
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN201610053633.8
申请日：2016-01-26
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L27/11521 , H01L27/11551 , H01L27/11568 , H01L27/11578 , H01L29/423
Abstract: 本发明的各个实施例涉及半导体器件及其制造方法。改进了具有非易失性存储器的半导体器件的可靠性。非易失性存储器的存储器单元是分离栅极型，并且在半导体衬底中具有第一n型半导体区域和第二n型半导体区域、经由第一绝缘膜形成在半导体区域之间的衬底之上的控制电极、和经由具有电荷累积部分的第二绝缘膜形成在第一n型半导体区域和第二n型半导体区域之间的衬底之上的存储器栅极电极。SSI方法用于向存储器单元写入。在存储器单元的读出操作期间，第一半导体区域和第二半导体区域分别用作源极区域和漏极区域。形成为与存储器栅极电极的侧表面相邻的第一侧壁间隔件的第一宽度，大于形成为与控制栅极电极的侧表面相邻的第二侧壁间隔件的第二宽度。
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公开(公告)号：CN105826325A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610053633.8
申请日：2016-01-26
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/66545 , H01L21/28282 , H01L27/11568 , H01L29/42344 , H01L29/66833 , H01L29/792 , H01L27/11521 , H01L27/115 , H01L27/11551 , H01L27/11578 , H01L29/42324 , H01L29/4234
Abstract: 本发明的各个实施例涉及半导体器件及其制造方法。改进了具有非易失性存储器的半导体器件的可靠性。非易失性存储器的存储器单元是分离栅极型，并且在半导体衬底中具有第一n型半导体区域和第二n型半导体区域、经由第一绝缘膜形成在半导体区域之间的衬底之上的控制电极、和经由具有电荷累积部分的第二绝缘膜形成在第一n型半导体区域和第二n型半导体区域之间的衬底之上的存储器栅极电极。SSI方法用于向存储器单元写入。在存储器单元的读出操作期间，第一半导体区域和第二半导体区域分别用作源极区域和漏极区域。形成为与存储器栅极电极的侧表面相邻的第一侧壁间隔件的第一宽度，大于形成为与控制栅极电极的侧表面相邻的第二侧壁间隔件的第二宽度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102822959B
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201080066028.5
申请日：2010-03-30
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 时田裕文
IPC: H01L21/8244 , H01L27/11 , H01L29/78 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/42364 , G11C11/412 , G11C11/4125 , G11C11/419 , H01L21/76224 , H01L21/823462 , H01L21/823842 , H01L21/823857 , H01L21/823871 , H01L27/0207 , H01L27/0629 , H01L27/092 , H01L27/1104 , H01L29/0653 , H01L29/495 , H01L29/513 , H01L29/517
Abstract: 本发明提供了一种n沟道型HK/MG晶体管，其具有由含有La和Hf的第一高介电膜形成的栅极绝缘膜、及由金属膜和多晶硅膜的层叠膜形成的栅电极，并形成在由形成在半导体衬底的主面上的由含有氧原子的绝缘膜形成的元件分离部围成的活性区域，其中，在跨过元件分离部的上述栅电极下方，代替第一高介电膜，形成有La的含量比第一高介电膜少的、含有Hf的第二高介电膜。
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公开(公告)号：CN104882413B
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201510090119.7
申请日：2015-02-27
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L27/11568 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L27/11573 , H01L27/1157 , H01L29/792 , H01L29/423
Abstract: 本发明涉及一种制造半导体器件的方法，提供的是具有提升的性能的半导体器件。在半导体衬底之上，经由第一绝缘膜形成虚设控制栅极电极。在半导体衬底之上，经由具有内部电荷存储部分的第二绝缘膜形成用于存储器单元的存储器栅极电极，以便与虚设控制栅极电极相邻。此时，将存储器栅极电极的高度调节成低于虚设控制栅极电极的高度。接着，形成第三绝缘膜以便覆盖虚设控制栅极电极和存储器栅极电极。接着，对第三绝缘膜抛光以使虚设控制栅极电极露出。此时，未使存储器栅极电极露出。接着，去除虚设控制栅极电极并用金属栅极电极取代。
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公开(公告)号：CN104882413A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510090119.7
申请日：2015-02-27
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L21/8247 , H01L21/28 , H01L27/115
CPC classification number: H01L27/1157 , H01L21/266 , H01L21/82345 , H01L21/823462 , H01L21/823468 , H01L23/535 , H01L27/11568 , H01L27/11573 , H01L29/0649 , H01L29/36 , H01L29/40117 , H01L29/42344 , H01L29/66545 , H01L29/6659 , H01L29/66833 , H01L29/7833 , H01L29/792
Abstract: 本发明涉及一种制造半导体器件的方法，提供的是具有提升的性能的半导体器件。在半导体衬底之上，经由第一绝缘膜形成虚设控制栅极电极。在半导体衬底之上，经由具有内部电荷存储部分的第二绝缘膜形成用于存储器单元的存储器栅极电极，以便与虚设控制栅极电极相邻。此时，将存储器栅极电极的高度调节成低于虚设控制栅极电极的高度。接着，形成第三绝缘膜以便覆盖虚设控制栅极电极和存储器栅极电极。接着，对第三绝缘膜抛光以使虚设控制栅极电极露出。此时，未使存储器栅极电极露出。接着，去除虚设控制栅极电极并用金属栅极电极取代。
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公开(公告)号：CN102822959A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201080066028.5
申请日：2010-03-30
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 时田裕文
IPC: H01L21/8244 , H01L27/11 , H01L29/78 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/42364 , G11C11/412 , G11C11/4125 , G11C11/419 , H01L21/76224 , H01L21/823462 , H01L21/823842 , H01L21/823857 , H01L21/823871 , H01L27/0207 , H01L27/0629 , H01L27/092 , H01L27/1104 , H01L29/0653 , H01L29/495 , H01L29/513 , H01L29/517
Abstract: 本发明提供了一种n沟道型HK/MG晶体管，其具有由含有La和Hf的第一高介电膜形成的栅极绝缘膜、及由金属膜和多晶硅膜的层叠膜形成的栅电极，并形成在由形成在半导体衬底的主面上的由含有氧原子的绝缘膜形成的元件分离部围成的活性区域，其中，在跨过元件分离部的上述栅电极下方，代替第一高介电膜，形成有La的含量比第一高介电膜少的、含有Hf的第二高介电膜。
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公开(公告)号：CN102479810A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201110385037.7
申请日：2011-11-29
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 时田裕文
IPC: H01L29/423 , H01L27/085 , H01L21/28 , H01L21/8234
CPC classification number: H01L27/0629 , H01L21/823857 , H01L21/823892 , H01L27/0802 , H01L29/665 , H01L29/6656 , H01L29/7833
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法，公开了能够制造配备有具有包含高k值材料的栅极绝缘膜以及包含金属材料的栅电极的并且具有稳定的操作特性HK/MG晶体管的半导体器件的技术。配置Nch栅极叠层结构的膜叠层仅形成在位于以元件隔离部分包围的并且核心nMIS的栅极将要在后面的步骤中形成于其内的有源区之内的区域中，而配置Pch栅极叠层结构的膜叠层则形成于与以上区域不同的区域中。这使得有可能减少氧原子的供应量由元件隔离部分吸引到核心nMIS的栅极将要形成于其内的区域中。
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