公开(公告)号：CN102315251A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201110193874.X

申请日：2011-07-05

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 吉森宏雅 ,  岩松俊明

IPC: H01L29/10 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/82385 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明涉及半导体集成电路器件以及半导体集成电路器件的制造方法。与纯粹的内部电路不同，LSI中包含的高击穿电压MOSFET的高击穿电压电路由于与外部的关系而具有固定在高状态中的操作电压，并且因此与普通情况不同，不可以应用通过电压降低进行的微型化。因此，内部电路部分的电压降低导致进一步加大芯片内的占用面积。本发明人评估了针对该问题的各种措施，并且清楚了：如与CMOSFET电路配置和器件配置等的兼容性之类的问题构成了障碍。本发明是具有N沟道型MISFET和P沟道型MISFET的半导体集成电路器件，每种MISFET被提供有在沟道表面上的波状起伏，其中与P沟道型MISFET的沟道表面上提供的波状起伏的间距相比，N沟道型MISFET的沟道表面上提供的波状起伏具有较窄的间距。

公开(公告)号：CN102315251B

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201110193874.X

申请日：2011-07-05

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 吉森宏雅 ,  岩松俊明

IPC: H01L29/10 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/82385 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明涉及半导体集成电路器件以及半导体集成电路器件的制造方法。与纯粹的内部电路不同，LSI中包含的高击穿电压MOSFET的高击穿电压电路由于与外部的关系而具有固定在高状态中的操作电压，并且因此与普通情况不同，不可以应用通过电压降低进行的微型化。因此，内部电路部分的电压降低导致进一步加大芯片内的占用面积。本发明人评估了针对该问题的各种措施，并且清楚了：如与CMOSFET电路配置和器件配置等的兼容性之类的问题构成了障碍。本发明是具有N沟道型MISFET和P沟道型MISFET的半导体集成电路器件，每种MISFET被提供有在沟道表面上的波状起伏，其中与P沟道型MISFET的沟道表面上提供的波状起伏的间距相比，N沟道型MISFET的沟道表面上提供的波状起伏具有较窄的间距。

公开(公告)号：CN104882413B

公开(公告)日：2020-12-18

申请号：CN201510090119.7

申请日：2015-02-27

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 吉森宏雅 ,  时田裕文

IPC: H01L27/11568 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/1157 ,  H01L29/792 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明涉及一种制造半导体器件的方法，提供的是具有提升的性能的半导体器件。在半导体衬底之上，经由第一绝缘膜形成虚设控制栅极电极。在半导体衬底之上，经由具有内部电荷存储部分的第二绝缘膜形成用于存储器单元的存储器栅极电极，以便与虚设控制栅极电极相邻。此时，将存储器栅极电极的高度调节成低于虚设控制栅极电极的高度。接着，形成第三绝缘膜以便覆盖虚设控制栅极电极和存储器栅极电极。接着，对第三绝缘膜抛光以使虚设控制栅极电极露出。此时，未使存储器栅极电极露出。接着，去除虚设控制栅极电极并用金属栅极电极取代。

公开(公告)号：CN104882413A

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201510090119.7

申请日：2015-02-27

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 吉森宏雅 ,  时田裕文

IPC: H01L21/8247 ,  H01L21/28 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L27/1157 ,  H01L21/266 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823468 ,  H01L23/535 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11573 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/36 ,  H01L29/40117 ,  H01L29/42344 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明涉及一种制造半导体器件的方法，提供的是具有提升的性能的半导体器件。在半导体衬底之上，经由第一绝缘膜形成虚设控制栅极电极。在半导体衬底之上，经由具有内部电荷存储部分的第二绝缘膜形成用于存储器单元的存储器栅极电极，以便与虚设控制栅极电极相邻。此时，将存储器栅极电极的高度调节成低于虚设控制栅极电极的高度。接着，形成第三绝缘膜以便覆盖虚设控制栅极电极和存储器栅极电极。接着，对第三绝缘膜抛光以使虚设控制栅极电极露出。此时，未使存储器栅极电极露出。接着，去除虚设控制栅极电极并用金属栅极电极取代。