公开(公告)号：CN102194881B

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201110057407.4

申请日：2011-03-04

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 岩松俊明 ,  石川晃三 ,  北泽雅志 ,  林清志 ,  丸山隆弘 ,  筱原正昭 ,  川井健治

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L29/66621 ,  H01L21/28 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/772 ,  H01L29/7834 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明提供半导体器件及其制造方法，可以在不使特性恶化的情况下将半导体器件微型化。该半导体器件包括：半导体衬底，具有主表面；源极区域和漏极区域，在主表面中相互分开地形成；栅极电极层，在主表面之上夹在源极区域和漏极区域之间形成；第一导电层，以使其与源极区域的表面接触的方式形成；以及第二导电层，以使其与漏极区域的表面接触的方式形成。在主表面中形成凹陷，使所述凹陷从第一导电层和源极区域之间的接触区域、经过栅极电极层下方的部分、延伸到第二导电层和漏极区域之间的接触区域。

公开(公告)号：CN102194881A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110057407.4

申请日：2011-03-04

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 岩松俊明 ,  石川晃三 ,  北泽雅志 ,  林清志 ,  丸山隆弘 ,  筱原正昭 ,  川井健治

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L29/66621 ,  H01L21/28 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/772 ,  H01L29/7834 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明提供半导体器件及其制造方法，可以在不使特性恶化的情况下将半导体器件微型化。该半导体器件包括：半导体衬底，具有主表面；源极区域和漏极区域，在主表面中相互分开地形成；栅极电极层，在主表面之上夹在源极区域和漏极区域之间形成；第一导电层，以使其与源极区域的表面接触的方式形成；以及第二导电层，以使其与漏极区域的表面接触的方式形成。在主表面中形成凹陷，使所述凹陷从第一导电层和源极区域之间的接触区域、经过栅极电极层下方的部分、延伸到第二导电层和漏极区域之间的接触区域。

公开(公告)号：CN102034713A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN201010500091.7

申请日：2010-09-30

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 山成真市 ,  吉福良一 ,  筱原正昭 ,  丸山隆弘 ,  川井健治 ,  广田祐作

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/823857 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/823462 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 提供一种半导体器件的制造方法，用于提高包括MISFET的半导体器件的可靠性，该MISFET具有高介电常数栅极绝缘体和金属栅极电极。形成包含Hf、La和O作为主要成分的第一含Hf绝缘膜作为用于n沟道MISFET的高介电常数栅极绝缘体。形成包含Hf、Al和O作为主要成分的第二含Hf绝缘膜作为用于p沟道MISFET的高介电常数栅极绝缘体。然后通过干法蚀刻来形成金属膜和硅膜并对它们进行构图以由此形成第一和第二栅极电极。随后通过湿法蚀刻来去除所述第一和第二含Hf绝缘膜的未由第一和第二栅极电极覆盖的部分。这时进行利用不含氢氟酸的酸性溶液的湿法工艺和利用碱性溶液的另一湿法工艺，然后进行利用包含氢氟酸的酸性溶液的又一湿法工艺。

公开(公告)号：CN102034713B

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN201010500091.7

申请日：2010-09-30

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 山成真市 ,  吉福良一 ,  筱原正昭 ,  丸山隆弘 ,  川井健治 ,  广田祐作

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/823857 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/823462 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法，用于提高包括MISFET的半导体器件的可靠性，该MISFET具有高介电常数栅极绝缘体和金属栅极电极。形成包含Hf、La和O作为主要成分的第一含Hf绝缘膜作为用于n沟道MISFET的高介电常数栅极绝缘体。形成包含Hf、Al和O作为主要成分的第二含Hf绝缘膜作为用于p沟道MISFET的高介电常数栅极绝缘体。然后通过干法蚀刻来形成金属膜和硅膜并对它们进行构图以由此形成第一和第二栅极电极。随后通过湿法蚀刻来去除所述第一和第二含Hf绝缘膜的未由第一和第二栅极电极覆盖的部分。这时进行利用不含氢氟酸的酸性溶液的湿法工艺和利用碱性溶液的另一湿法工艺，然后进行利用包含氢氟酸的酸性溶液的又一湿法工艺。