公开(公告)号：CN102034713A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN201010500091.7

申请日：2010-09-30

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 山成真市 ,  吉福良一 ,  筱原正昭 ,  丸山隆弘 ,  川井健治 ,  广田祐作

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/823857 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/823462 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 提供一种半导体器件的制造方法，用于提高包括MISFET的半导体器件的可靠性，该MISFET具有高介电常数栅极绝缘体和金属栅极电极。形成包含Hf、La和O作为主要成分的第一含Hf绝缘膜作为用于n沟道MISFET的高介电常数栅极绝缘体。形成包含Hf、Al和O作为主要成分的第二含Hf绝缘膜作为用于p沟道MISFET的高介电常数栅极绝缘体。然后通过干法蚀刻来形成金属膜和硅膜并对它们进行构图以由此形成第一和第二栅极电极。随后通过湿法蚀刻来去除所述第一和第二含Hf绝缘膜的未由第一和第二栅极电极覆盖的部分。这时进行利用不含氢氟酸的酸性溶液的湿法工艺和利用碱性溶液的另一湿法工艺，然后进行利用包含氢氟酸的酸性溶液的又一湿法工艺。

公开(公告)号：CN102034713B

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN201010500091.7

申请日：2010-09-30

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 山成真市 ,  吉福良一 ,  筱原正昭 ,  丸山隆弘 ,  川井健治 ,  广田祐作

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/823857 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/823462 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法，用于提高包括MISFET的半导体器件的可靠性，该MISFET具有高介电常数栅极绝缘体和金属栅极电极。形成包含Hf、La和O作为主要成分的第一含Hf绝缘膜作为用于n沟道MISFET的高介电常数栅极绝缘体。形成包含Hf、Al和O作为主要成分的第二含Hf绝缘膜作为用于p沟道MISFET的高介电常数栅极绝缘体。然后通过干法蚀刻来形成金属膜和硅膜并对它们进行构图以由此形成第一和第二栅极电极。随后通过湿法蚀刻来去除所述第一和第二含Hf绝缘膜的未由第一和第二栅极电极覆盖的部分。这时进行利用不含氢氟酸的酸性溶液的湿法工艺和利用碱性溶液的另一湿法工艺，然后进行利用包含氢氟酸的酸性溶液的又一湿法工艺。