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公开(公告)号:CN101783168B
公开(公告)日:2013-06-05
申请号:CN201010003179.8
申请日:2010-01-14
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: G11C11/41 , G11C11/413
CPC classification number: G11C11/413 , G11C7/08 , G11C7/22 , G11C7/227
Abstract: 本发明提供一种半导体集成电路器件,其包括多条字线(wl[0]~)、多条位线(bt[0]、bb[0]~)、多个常规存储单元(MEMCELL)、存取控制电路(WD、CTRL)、多个读出放大器(SA)、第一和第二复制位线(rplbt[0]、[1])、第一和第二复制存储单元(RPLCELL)、第一和第二逻辑电路(INV0、1)。分别在第一和第二复制位线上连接第一和第二复制存储单元,在第一和第二复制位线(rplbt[0]、[1])上分别连接第一和第二逻辑电路(INV0、1)的输入,从第二逻辑电路的输出生成读出放大器使能信号(sae),该信号(sae)被提供给多个读出放大器(SA)。即使使用了复制位线的存储器的存储容量大容量化,也能减少读出放大器使能信号的生成定时的变化。
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公开(公告)号:CN101741372B
公开(公告)日:2013-01-02
申请号:CN200910208332.8
申请日:2009-11-10
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: H03L7/0814 , G06F1/10 , G06F1/3203 , G06F1/324 , G06F1/3296 , H03L7/0818 , H03L7/089 , Y02D10/126 , Y02D10/172
Abstract: 本发明提供一种半导体集成电路和时钟同步化控制方法,能够以低成本且高精度地对DVFS控制对象电路区域抑制该区域在电源电压变更工作中的工作性能劣化。如下这样的时钟同步化控制中,进行工作,使得在变更第一电路的电源电压的过程中也能使比较的两个时钟的相位落入设计值内,该时钟同步化控制为:在对将时钟传输到使用第一电源电压(VDDA)进行工作的第一电路(FVA)的路径与将时钟传输到使用第二电源电压(VDDB)进行工作的第二电路(NFVA)的路径之间的时钟进行时钟延迟调整时,在VDDA和VDDB为相同电压时,用不含有相位调整用的延迟元件的路径分配向FVA分配的时钟,在降低FVA区域的电源电压时,暂时以错开1周期~2周期的相位将向FVA区域分配的时钟分配于FVA区域,并使双方的时钟(CKAF、CKBF)同步化。
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公开(公告)号:CN101206919B
公开(公告)日:2011-03-30
申请号:CN200710186826.1
申请日:2007-11-22
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: G11C11/417 , H03K19/0948 , H01L27/02
CPC classification number: G11C11/417
Abstract: 一种半导体集成电路及其制造方法,其可以实现较高的制造成品率,并且补偿CMOS型SRAM的MOS晶体管的阈值电压的标准离差。在SRAM的信息保存工作和写入工作和读出工作的任一有源模式下,对SRAM存储单元的MOS晶体管的衬底(阱)施加衬底偏压(Vbp、Vbn)。首先,测定SRAM的PMOS和NMOS的晶体管的阈值电压。根据测定结果,编程控制存储器(Cnt_MM1、2)的控制信息(Cnt_Sg1、2)。利用程序调整衬底偏压(Vbp、Vbn)的电平,CMOS型SRAM的MOS晶体管的阈值电压的标准离差被控制在规定的误差范围内。相对于施加给MOS晶体管的源极的工作电压,对MOS晶体管的衬底施加反偏置、或者极弱正偏置的衬底偏压。
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公开(公告)号:CN101546758B
公开(公告)日:2012-10-17
申请号:CN200910005796.9
申请日:2009-02-12
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H04L1/00
Abstract: 本发明提供一种半导体器件和半导体集成电路。在具有被层叠且可相互进行无线电通信的一对半导体集成电路的半导体器件中,上述半导体集成电路包括:发送电路,其能够通过无线电发送用于规定发送定时的时钟信号和发送数据,并且调整基于无线电的发送定时;接收电路,其能够与通过无线电接收到的时钟信号同步接收数据,并调整基于无线电的接收定时;控制电路,其根据响应从上述发送电路发送来的数据而从其他半导体集成电路返回并由上述接收电路接收到的数据的正确与否,进行上述发送电路和接收电路的定时调整。能缩小用于调整进行了层叠的半导体集成电路间的近距离通信中的通信定时的电路的规模,能高精度地调整通信定时。
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