公开(公告)号：CN105870010A

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201610073025.3

申请日：2016-02-02

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 增本一郎

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明涉及半导体器件的制造方法和半导体器件。改进了使用氮化物半导体的半导体器件的特性。通过蚀刻形成在衬底上方的沟道层、势垒层和绝缘膜，形成贯穿绝缘膜和势垒层并且到达沟道层内部的沟槽。然后，通过使用外延生长法，在沟槽的底表面和侧表面上方形成外延再生长层。通过以这种方式形成外延再生长层，可以减小由于沟槽的底表面和侧表面的蚀刻等而导致的晶体表面的粗糙度(不均匀度)。在外延再生长层和栅绝缘膜之间的界面中形成沟道，使得载流子的迁移率提高并且元件的导通电阻减小。

公开(公告)号：CN106449767A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610587483.9

申请日：2016-07-22

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 中山达峰 ,  宫本宏信 ,  增本一郎 ,  三宅慎一 ,  川口宏

IPC: H01L29/80 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/2258 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/808 ,  H01L29/80 ,  H01L29/66893 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明改进了半导体器件的特性。半导体器件具有包含杂质的电位固定层和栅极电极。漏极电极和源极电极形成在栅极电极的相对侧。中间层绝缘膜形成在栅极电极和漏极电极之间及栅极电极和源极电极之间。漏极电极之下电位固定层部分中的去激活元素浓度高于源极电极之下电位固定层部分中的去激活元素浓度。栅极电极和漏极电极之间的中间层绝缘膜部分的膜厚度不同于栅极电极和源极电极之间的中间层绝缘膜部分的膜厚度。