公开(公告)号：CN106449767A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610587483.9

申请日：2016-07-22

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 中山达峰 ,  宫本宏信 ,  增本一郎 ,  三宅慎一 ,  川口宏

IPC: H01L29/80 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/2258 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/808 ,  H01L29/80 ,  H01L29/66893 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明改进了半导体器件的特性。半导体器件具有包含杂质的电位固定层和栅极电极。漏极电极和源极电极形成在栅极电极的相对侧。中间层绝缘膜形成在栅极电极和漏极电极之间及栅极电极和源极电极之间。漏极电极之下电位固定层部分中的去激活元素浓度高于源极电极之下电位固定层部分中的去激活元素浓度。栅极电极和漏极电极之间的中间层绝缘膜部分的膜厚度不同于栅极电极和源极电极之间的中间层绝缘膜部分的膜厚度。