公开(公告)号：CN106449767A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610587483.9

申请日：2016-07-22

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 中山达峰 ,  宫本宏信 ,  增本一郎 ,  三宅慎一 ,  川口宏

IPC: H01L29/80 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/2258 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/808 ,  H01L29/80 ,  H01L29/66893 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明改进了半导体器件的特性。半导体器件具有包含杂质的电位固定层和栅极电极。漏极电极和源极电极形成在栅极电极的相对侧。中间层绝缘膜形成在栅极电极和漏极电极之间及栅极电极和源极电极之间。漏极电极之下电位固定层部分中的去激活元素浓度高于源极电极之下电位固定层部分中的去激活元素浓度。栅极电极和漏极电极之间的中间层绝缘膜部分的膜厚度不同于栅极电极和源极电极之间的中间层绝缘膜部分的膜厚度。

公开(公告)号：CN105702734B

公开(公告)日：2021-11-05

申请号：CN201510909918.2

申请日：2015-12-10

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 三宅慎一 ,  中山达峰

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/778 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及半导体器件及制造半导体器件的方法。一种半导体器件，其包括在衬底上方的缓冲层、沟道层、阻挡层和栅极电极，栅极电极布置在其间有栅极绝缘膜的第一开口中，第一开口穿过阻挡层到达沟道层的中间。将要具有沟道的、在第二开口两侧的第一区域中的二维电子气的浓度被控制为低于在第一区域端部和源极或漏极电极之间的第二区域中的二维电子气的浓度。因此降低了第一区域中的二维电子气的浓度，从而防止了极化电荷的导带增强效应的降低。这防止了阈值电位的降低，从而提高了常闭的可操作性。

公开(公告)号：CN105702734A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201510909918.2

申请日：2015-12-10

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 三宅慎一 ,  中山达峰

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/778 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/432 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7785 ,  H01L29/861 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明涉及半导体器件及制造半导体器件的方法。一种半导体器件，其包括在衬底上方的缓冲层、沟道层、阻挡层和栅极电极，栅极电极布置在其间有栅极绝缘膜的第一开口中，第一开口穿过阻挡层到达沟道层的中间。将要具有沟道的、在第二开口两侧的第一区域中的二维电子气的浓度被控制为低于在第一区域端部和源极或漏极电极之间的第二区域中的二维电子气的浓度。因此降低了第一区域中的二维电子气的浓度，从而防止了极化电荷的导带增强效应的降低。这防止了阈值电位的降低，从而提高了常闭的可操作性。