公开(公告)号：CN101339925B

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN200810144954.4

申请日：2005-01-18

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 佐甲隆

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/525 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/5258 ,  H01L23/564 ,  H01L23/585 ,  H01L24/03 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供半导体装置及其制造方法，在覆盖熔丝而将SiON膜、SiN膜、SiO2膜以该顺序形成后，通过蚀刻至作为蚀刻阻止膜的SiN膜，在熔丝上均一地形成所需的膜厚的SiON膜。另外，通过设置被嵌入熔丝下部的绝缘膜并且包围熔丝的外周部而形成的保护环，就可以防止水分从外部穿过熔丝切断部而浸入的情况。利用本发明可以防止在与电路连接的熔丝上的绝缘膜厚在晶片面内不均一的情况下，因激光照射强度不足而切断不充分，或因激光过度照射而产生切断至相邻的熔丝部分的问题。另外，还可以在熔丝切断后，防止水分从外部穿过切断部而浸入，对配置于下层部的膜质造成不良影响的问题。

公开(公告)号：CN101471379B

公开(公告)日：2011-03-02

申请号：CN200810188589.7

申请日：2008-12-25

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 松原义久 ,  佐甲隆

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/49 ,  H01L29/423 ,  H01L27/108 ,  H01L23/522 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/823842 ,  H01L21/76885 ,  H01L21/76897 ,  H01L27/10894 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件及其制造工艺。半导体器件(100)包括使用后栅极工艺形成的第一栅极(210)。第一栅极(210)包括：在绝缘膜中形成的第一凹入部分中的底表面上形成的栅绝缘膜；形成在第一凹入部分中的栅绝缘膜上的栅电极；以及形成在第一凹入部分中的栅电极上的保护绝缘膜(140)。另外，该半导体器件(100)包括接触(134)，该接触(134)耦合到第一栅极(210)两侧上的N型杂质扩散区(116a)，并且掩埋在直径比第一凹入部分更大的第二凹入部分中。