公开(公告)号：CN102760734A

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN201210131432.7

申请日：2012-04-26

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 德光成太 ,  上西明夫

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/82 ,  H01L29/36

CPC classification number: H01L29/1045 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823493 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/82385 ,  H01L21/823871 ,  H01L21/823892 ,  H01L27/0207 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/36 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66568 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/66689 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/7836

Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法。高压晶体管包括：第一杂质层；形成于所述第一杂质层内部的第二杂质层，以便将所述第二杂质层置于其间；形成于所述第一杂质层内部的第三杂质层和第四杂质层的配对；第五杂质层，从所述第一杂质层的最上表面形成至所述第一杂质层的内部以便在布置所述第二杂质层的方向上沿着所述主表面突出；以及导电层，形成于所述第二杂质层的最上表面上方。所述第四杂质层中的杂质浓度高于所述第三杂质层和所述第五杂质层中的杂质浓度，并且所述第五杂质层中的杂质浓度高于所述第三杂质层中的杂质浓度。

公开(公告)号：CN102760734B

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201210131432.7

申请日：2012-04-26

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 德光成太 ,  上西明夫

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/82 ,  H01L29/36

CPC classification number: H01L29/1045 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823493 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/82385 ,  H01L21/823871 ,  H01L21/823892 ,  H01L27/0207 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/36 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66568 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/66689 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/7836

Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法。高压晶体管包括：第一杂质层；形成于所述第一杂质层内部的第二杂质层，以便将所述第二杂质层置于其间；形成于所述第一杂质层内部的第三杂质层和第四杂质层的配对；第五杂质层，从所述第一杂质层的最上表面形成至所述第一杂质层的内部以便在布置所述第二杂质层的方向上沿着所述主表面突出；以及导电层，形成于所述第二杂质层的最上表面上方。所述第四杂质层中的杂质浓度高于所述第三杂质层和所述第五杂质层中的杂质浓度，并且所述第五杂质层中的杂质浓度高于所述第三杂质层中的杂质浓度。