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公开(公告)号：CN103503437B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201280021217.X
申请日：2012-03-15
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: H04N5/355 , H01L27/146 , H01L31/10 , H04N5/369
CPC classification number: H04N5/378 , H01L27/14609 , H04N5/355 , H04N5/374
Abstract: 动态范围的扩张在被设计为具有大增益的传统放大光电转换器件中是困难的，这是由于电流超过利用用于高输入光强度的设计规则获得的晶体管的接近最小尺寸的电容。此外，在传统光电转换器件等中，用于在器件级处实时改变电信号输出的技术对具有高对比度的观察目标或图像的实时导入来说以及对局部区域的实时可视化来说必要。为了解决该问题，本发明提供了在其中组合了放大光电转换器件和场效应晶体管的增益改变方法、可变增益光电转换器件、光电转换单元、光电转换阵列、其读出方法、以及其电路。通过该手段，实时改变输出电信号的增益和所捕获的图像的局部区域的可视化以及光学检测的动态范围扩张直到11位成为可能。
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公开(公告)号：CN103503437A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201280021217.X
申请日：2012-03-15
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: H04N5/355 , H01L27/146 , H01L31/10 , H04N5/369
CPC classification number: H04N5/378 , H01L27/14609 , H04N5/355 , H04N5/374
Abstract: 动态范围的扩张在被设计为具有大增益的传统放大光电转换器件中是困难的，这是由于电流超过利用用于高输入光强度的设计规则获得的晶体管的接近最小的电容。此外，在传统光电转换器件等中，用于在器件级处实时改变电信号输出的技术对具有高对比度的观察目标或图像的实时导入来说以及对局部区域的实时可视化来说必要。为了解决该问题，本发明提供了在其中组合了放大光电转换器件和场效应晶体管的增益改变方法、可变增益光电转换器件、光电转换单元、光电转换阵列、其读出方法、以及其电路。通过该手段，实时改变输出电信号的增益和所捕获的图像的局部区域的可视化以及光学检测的动态范围扩张直到11位成为可能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103460355B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201280016617.1
申请日：2012-02-01
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: H01L21/331 , H01L29/732
CPC classification number: H01L29/66234 , H01L29/0692 , H01L29/0821 , H01L29/1004 , H01L29/41708 , H01L29/66272 , H01L29/7322
Abstract: 本发明的目的是在不使用复杂电路的情况下放大在恒定增益下以若干量级的因子变化的电流。为了解决该问题，利用了一种半导体器件，其包括：具有第一导电类型的第一半导体区；第二半导体区，具有相反导电类型并与所述第一半导体区相接触；以及第三半导体区，具有所述第一导电类型并在所述第二表面处与所述第二半导体区相接触，与所述第二半导体区相接触的第四半导体区被提供以与所述第三半导体区分离并包围所述第三半导体区，并且所述第四半导体区的杂质浓度大于所述第二半导体区的杂质浓度。
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公开(公告)号：CN103460355A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201280016617.1
申请日：2012-02-01
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: H01L21/331 , H01L29/732
CPC classification number: H01L29/66234 , H01L29/0692 , H01L29/0821 , H01L29/1004 , H01L29/41708 , H01L29/66272 , H01L29/7322
Abstract: 本发明的目的是在不使用复杂电路的情况下放大在恒定增益下以若干量级的因子变化的电流。为了解决该问题，利用了一种半导体器件，其包括：具有第一导电类型的第一半导体区；第二半导体区，具有相反导电类型并与所述第一半导体区相接触；以及第三半导体区，具有所述第一导电类型并在所述第二表面处与所述第二半导体区相接触，与所述第二半导体区相接触的第四半导体区被提供以与所述第三半导体区分离并包围所述第三半导体区，并且所述第四半导体区的杂质浓度大于所述第二半导体区的杂质浓度。
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公开(公告)号：CN101689547B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200880021776.4
申请日：2008-05-23
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: H01L27/10 , H01L21/8246 , H01L21/8247 , H01L27/105 , H01L27/115 , H01L29/06 , H01L29/788 , H01L29/792
CPC classification number: H01L29/7881 , B82Y10/00 , H01L29/0657 , H01L29/1606 , H01L29/40111 , H01L29/40114 , H01L29/40117 , H01L29/42336 , H01L29/42352 , H01L29/66825 , H01L29/66833 , H01L29/6684 , H01L29/7781 , H01L29/792
Abstract: 一种存储元件(1)至少由以下部分构成：第一半导体区域(100)，其具有长度、第一表面以及被第一表面包围的截面；存储单元(300)，其设置在第一表面上；以及栅极(400)，其设置在存储单元(300)上，其中，通过将第一半导体区域(100)的截面的等效截面半径设为存储单元(300)的等效氧化硅膜厚以下来实现低编程电压。通过将截面的等效截面半径r设为10nm以下、将栅极长设为20nm以下，来将栅极电压换算的多值电平间隔设为能够在室温下识别的固有值。
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公开(公告)号：CN101689547A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200880021776.4
申请日：2008-05-23
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: H01L27/10 , H01L21/8246 , H01L21/8247 , H01L27/105 , H01L27/115 , H01L29/06 , H01L29/788 , H01L29/792
CPC classification number: H01L29/7881 , B82Y10/00 , H01L29/0657 , H01L29/1606 , H01L29/40111 , H01L29/40114 , H01L29/40117 , H01L29/42336 , H01L29/42352 , H01L29/66825 , H01L29/66833 , H01L29/6684 , H01L29/7781 , H01L29/792
Abstract: 一种存储元件(1)至少由以下部分构成：第一半导体区域(100)，其具有长度、第一表面以及被第一表面包围的截面；存储单元(300)，其设置在第一表面上；以及栅极(400)，其设置在存储单元(300)上，其中，通过将第一半导体区域(100)的截面的等效截面半径设为存储单元(300)的等效氧化硅膜厚以下来实现低编程电压。通过将截面的等效截面半径r设为10nm以下、将栅极长设为20nm以下，来将栅极电压换算的多值电平间隔设为能够在室温下识别的固有值。
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公开(公告)号：CN101616868A
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200880003081.3
申请日：2008-01-22
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所
CPC classification number: H01L31/182 , C30B15/002 , C30B15/007 , C30B15/30 , C30B28/10 , C30B29/06 , Y02E10/546 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供：可有效生产不良杂质混入及缺陷少的、平坦的、大面积的多晶薄板状硅基板以及表面具有氧化物被膜等的复合硅基板的制造装置、制造方法以及制品。在惰性氛围气中，从熔融硅制造硅带(12)的成型区中，来自坩埚炉的熔融硅(2)，通过把该熔融硅调整至适于成型状态的旋转辊筒(3)，配置由供给的基材(11)构成的成型用传送带(成型头)(5)，基材(11)具有：相对由熔融硅(2)成型的成型硅带(4)，从其下方分别喷出、排出气体的多个气体喷出孔及气体排出孔，通过这些喷出的气体与排出的气体两者的动态压力均衡状态，在气体上成型的硅带(4)，一边被稳定保持一边在硅表面上通过气体中含有的反应性物质形成被膜，一边在与成型的硅带(4)的面的平行方向施加拉伸应力，成型硅带(12)。
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