公开(公告)号：CN101689547B

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN200880021776.4

申请日：2008-05-23

Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 林丰 ,  松本和彦 ,  上村崇史

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/8246 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L29/06 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L29/7881 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/40111 ,  H01L29/40114 ,  H01L29/40117 ,  H01L29/42336 ,  H01L29/42352 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/6684 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/792

Abstract: 一种存储元件(1)至少由以下部分构成：第一半导体区域(100)，其具有长度、第一表面以及被第一表面包围的截面；存储单元(300)，其设置在第一表面上；以及栅极(400)，其设置在存储单元(300)上，其中，通过将第一半导体区域(100)的截面的等效截面半径设为存储单元(300)的等效氧化硅膜厚以下来实现低编程电压。通过将截面的等效截面半径r设为10nm以下、将栅极长设为20nm以下，来将栅极电压换算的多值电平间隔设为能够在室温下识别的固有值。

公开(公告)号：CN101689547A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200880021776.4

申请日：2008-05-23

Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 林丰 ,  松本和彦 ,  上村崇史

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/8246 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L29/06 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L29/7881 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/40111 ,  H01L29/40114 ,  H01L29/40117 ,  H01L29/42336 ,  H01L29/42352 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/6684 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/792

Abstract: 一种存储元件(1)至少由以下部分构成：第一半导体区域(100)，其具有长度、第一表面以及被第一表面包围的截面；存储单元(300)，其设置在第一表面上；以及栅极(400)，其设置在存储单元(300)上，其中，通过将第一半导体区域(100)的截面的等效截面半径设为存储单元(300)的等效氧化硅膜厚以下来实现低编程电压。通过将截面的等效截面半径r设为10nm以下、将栅极长设为20nm以下，来将栅极电压换算的多值电平间隔设为能够在室温下识别的固有值。