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公开(公告)号：CN104409590B
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201410634596.0
申请日：2014-11-12
申请人： 湘能华磊光电股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种LED外延结构，包括：蓝宝石衬底；低温缓冲层，位于所述蓝宝石衬底之上；高温GaN层，位于低温缓冲层之上；高温N型GaN层，位于高温GaN层之上；过渡层，位于高温N型GaN层之上，其中过渡层为Si3N4/GaN超晶格层和不掺杂的GaN层交替排列的过渡层，该过渡层的厚度为30‑120nm；发光层，位于过渡层之上，发光层包括交替排列的掺杂In的InxGa(1‑x)N层和不掺杂的GaN层；P型AlGaN层，位于发光层之上；以及，高温P型GaN层，位于P型AlGaN层之上。本发明还公开了一种LED外延结构的生长方法。本发明提供的LED外延结构减少了高温N型GaN层和发光层之间的应力。
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公开(公告)号：CN104409591B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201410635865.5
申请日：2014-11-12
申请人： 湘能华磊光电股份有限公司
摘要： 本申请公开了一种GaN基绿光LED外延结构，自下而上依次包括：蓝宝石衬底、缓冲层、第一非掺杂u GaN层、第二非掺杂u GaN层、高温nGaN层、第一低温nGaN层、InGaN/GaN电子储存层、第二低温nGaN层、InxGa1‑xN/GaN多量子阱层、InyGa1‑yN/GaN MQW发光层、低温P型GaN层、P型AlInGaN层、高温P型GaN层和P型接触层。本发明还提供一种GaN基绿光LED外延结构的制作方法。本发明解决了GaN基发光二极管的MQW结构存在阱垒之间晶格失配变大，极化效应变强，晶体质量差的问题，提高了内量子阱的内量子效，明显提高了LED器件的发光效率。
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公开(公告)号：CN103219352B
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201310104696.8
申请日：2013-03-28
申请人： 湘能华磊光电股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种具有阵列式结构的LED组合芯片及其制备方法，该组合芯片包括通过阵列式结构布线连接为一颗单颗芯粒的若干颗GaN基LED芯片；每一颗GaN基LED芯片从下到上依次包括：外延片、绝缘隔离层、透明导电层、P型电极及P型焊盘、N型电极及N型焊盘和钝化层。本发明是传统GaN基发光二极管与IC电路相结合的器件，由多个传统GaN基LED芯片单元用阵列式集成，芯片单元组成一颗单颗芯粒，用户封装打线的数量大大减少，降低封装难度。并且，本发明组合芯片以大电流小电压的驱动方式工作，不但缓解由于热失配和晶格失配引起的应力，而且由于侧壁面积的增多而增加光提取效率，从而提高发光效率。
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公开(公告)号：CN103219352A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310104696.8
申请日：2013-03-28
申请人： 湘能华磊光电股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种具有阵列式结构的LED组合芯片及其制备方法，该组合芯片包括通过阵列式结构布线连接为一颗单颗芯粒的若干颗GaN基LED芯片；每一颗GaN基LED芯片从下到上依次包括：外延片、绝缘隔离层、透明导电层、P型电极及P型焊盘、N型电极及N型焊盘和钝化层。本发明是传统GaN基发光二极管与IC电路相结合的器件，由多个传统GaN基LED芯片单元用阵列式集成，芯片单元组成一颗单颗芯粒，用户封装打线的数量大大减少，降低封装难度。并且，本发明组合芯片以大电流小电压的驱动方式工作，不但缓解由于热失配和晶格失配引起的应力，而且由于侧壁面积的增多而增加光提取效率，从而提高发光效率。
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公开(公告)号：CN104409586B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201410640054.4
申请日：2014-11-13
申请人： 湘能华磊光电股份有限公司
摘要： 本申请公开了一种GaN基Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体LED外延片及生长方法，所述外延片的结构从下至上依次为：衬底，低温GaN缓冲层，第一高温非掺杂GaN层，第二高温非掺杂GaN层，在第二高温非掺杂GaN层上为AlGaN/GaN超晶格层，在AlGaN/GaN超晶格层上为高温N型GaN层，在高温N型GaN层上为应力释放层，MQW保护层，P型电子阻挡层，高温P型GaN层，在高温P型GaN层上为接触层，高温N型GaN层中周期性插入SiN掩膜/N型GaN层，SiN掩膜/N型GaN层的周期数为5～20，本发明的优点是：第一，显著提高抗静电能力；第二，有效增强载流子的复合效率；第三，提升LED的内量子效率。
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公开(公告)号：CN103413872B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201310350597.8
申请日：2013-08-13
申请人： 湘能华磊光电股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种LED外延的生长方法，包括衬底的预处理、生长缓冲层、生长不掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长多量子阱发光层、生长电子阻挡层、生长掺Mg的高温P型GaN层以及退火的步骤；生长不掺杂GaN层步骤具体包括：A、升高反应室温度，保持恒定；B、降低反应室内的压力，生长第一不掺杂GaN层；C、依次将生长第二不掺杂GaN层和生长第三不掺杂GaN层作为一个周期，重复循环20-30个周期。应用本发明的技术方案，通过高压和低压交错生长不掺杂GaN层，使得LED晶格位错密度降低至8E+8-7E+8个/cm2，从而使得其产品具有抗静电能力高、发光效率高以及反向漏电小的效果。
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公开(公告)号：CN102969412B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201210516461.5
申请日：2012-12-05
申请人： 湘能华磊光电股份有限公司
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/762 , H01L27/15
摘要： 本发明公开了一种集成LED芯片及其制作方法。该方法包括以下步骤：S1、在衬底上生长外延层，形成晶片基体；S2、采用激光切割的方式在晶片基体上形成用于隔离相邻单胞的隔离槽，隔离槽的底部延伸至晶片基体的衬底处；S3、去除部分第二半导体层和发光层，露出位于其下的第一半导体层；S4、在第二半导体层的表面上形成透明导电膜；S5、在由第一半导体层、第二半导体层和发光层叠加形成的侧壁上、以及隔离槽中形成钝化层；S6、在由隔离槽隔离的各单胞之间形成金属连接线，形成集成LED芯片。本发明集成LED芯片及其制作方法，通过采用激光切割工艺形成隔离槽简化了制作工艺、提高了生产效率和增加了芯片的有效发光面积。
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公开(公告)号：CN103746054A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201310571979.3
申请日：2013-11-15
申请人： 湘能华磊光电股份有限公司
CPC分类号： H01L33/145 , H01L33/0075 , H01L33/06
摘要： 本发明提供了一种阻挡电子泄漏和缺陷延伸的外延生长方法，在所述生长多量子阱InxGa（1-x）N/GaN层和生长P型GaN层之间，通入NH3、TMGa、TMAl，生长厚度为8-25nm的电子阻挡层；该层包括2-6组双层结构，每一双层结构的UAlGaN层相比上一双层结构的UAlGaN层中的Al组分含量增加15%-50%。本发明采用了Al组分逐层升高的UAlGaN/UGaN结构作为电子阻挡层，改变了传统P-spacer能带的单一能阶高度分布，减弱了其对空穴注入时的阻挡作用，提高MQW的发光效率。
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公开(公告)号：CN103413872A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201310350597.8
申请日：2013-08-13
申请人： 湘能华磊光电股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种LED外延的生长方法，包括衬底的预处理、生长缓冲层、生长不掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长多量子阱发光层、生长电子阻挡层、生长掺Mg的高温P型GaN层以及退火的步骤；生长不掺杂GaN层步骤具体包括：A、升高反应室温度，保持恒定；B、降低反应室内的压力，生长第一不掺杂GaN层；C、依次将生长第二不掺杂GaN层和生长第三不掺杂GaN层作为一个周期，重复循环20-30个周期。应用本发明的技术方案，通过高压和低压交错生长不掺杂GaN层，使得LED晶格位错密度降低至8E+8-7E+8个/cm2，从而使得其产品具有抗静电能力高、发光效率高以及反向漏电小的效果。
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公开(公告)号：CN103107255A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201210563126.0
申请日：2012-12-21
申请人： 湘能华磊光电股份有限公司
摘要： 一种LED外延片生长方法，在生长N型掺杂Si的GaN层时，采用掺杂Si的N型GaN层和不掺杂Si的U型GaN层交替生长方法。该生长方法保持原来N型GaN层的厚度，将传统生长方法持续生长的掺杂Si的GaN层改进为生长掺杂Si的N型GaN层和不掺杂Si的U型GaN层构成的交替结构层，在一定程度上节约掺杂剂的用量。并且，在生长掺杂Si的GaN层和不掺杂Si的GaN层的交替结构中，掺杂Si的GaN层为低电阻值，而不掺杂Si的GaN层为高电阻值，高、低电阻值N型GaN层在电流输送过程中，使得电子横向扩展能力加强，从而降低了驱动电压，同时提升了亮度和光效。
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