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公开(公告)号：CN107768489A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201710959671.4
申请日：2017-10-16
申请人： 湘能华磊光电股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种LED外延生长的方法，包括：处理衬底、生长低温GaN成核层、生长高温GaN缓冲层、生长非掺杂u-GaN层、生长N型GaN层、生长量子阱层、生长电子阻挡层、生长高温P型GaN层和生长AlxGa1-xN:Mg/InyGa1-yN:Mg超晶格结构，降温冷却；其中：AlxGa1-xN:Mg/InyGa1-yN:Mg超晶格结构，进一步为：调节生长温度为750℃-1050℃，调节生长压力为100Torr-500Torr，生长厚度为1nm-5nm的AlxGa1-xN:Mg层；调节生长温度为750℃-1050℃，调节生长压力为100Torr-500Torr，生长厚度为1nm-5nm的InyGa1-yN:Mg层；交替生长AlxGa1-xN:Mg层和InyGa1-yN:Mg层，周期数为1-10。通过AlxGa1-xN:Mg/InyGa1-yN:Mg超晶格结构材料来调整与AZO薄膜材料的势垒高度差，降低了接触电阻，从而减小了LED芯片的工作电压，提高了亮度。
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公开(公告)号：CN106531855A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201611155227.9
申请日：2016-12-14
申请人： 湘能华磊光电股份有限公司
发明人： 林传强
CPC分类号： H01L33/20 , H01L33/005 , H01L33/12 , H01L33/22 , H01L2933/0008 , H01L2933/0033
摘要： 本发明的第一目的在于提供了一种LED外延结构及其生长方法，具体包括处理衬底、生长低温GaN成核层、生长高温GaN缓冲层、生长非掺杂的u-GaN层、生长掺杂Si的n-GaN层、生长多周期量子阱MQW发光层、生长P型AlGaN层、生长P型GaN层、生长P型GaN接触层、降温冷却，该生长p型GaN层先通过低温N2气氛生长P型GaN层；再高温H2气氛生长P型GaN层；最后通过高温N2/H2混合气体生长P型GaN层，从而降低LED的工作电压，提高LED的发光效率。本发明的第二目的在于提供用此外延结构生长方法生产的LED外延结构，该结构将传统的高温p型GaN层价格改变为低温N2气氛、高温H2气氛、高温N2/H2混合气体的变气氛p型GaN层结构，使LED光功率受到P层空穴浓度的限制，驱动电压受到P层空穴迁移率的限制的问题。
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公开(公告)号：CN106299064A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610854692.5
申请日：2016-09-27
申请人： 湘能华磊光电股份有限公司
CPC分类号： H01L33/0075 , H01L33/14
摘要： 本申请公开了一种匹配AZO薄膜的LED外延生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温GaN成核层、生长高温GaN缓冲层、生长非掺杂u-GaN层、生长掺杂浓度稳定的n-GaN层、生长多量子阱发光层、生长p型AlGaN层、生长高温p型GaN层、生长InxGa1-xN:Zn/InxGa1-xN:Si接触层、降温冷却。如此方案，将LED外延最后的接触层设计为InxGa1-xN:Zn/InxGa1-xN:Si结构，以匹配ZnO∶Al(AZO)透明导电薄膜电流扩展层，有效降低了接触电阻，从而有利于降低LED芯片的工作电压。
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公开(公告)号：CN106299045A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610856353.0
申请日：2016-09-27
申请人： 湘能华磊光电股份有限公司
CPC分类号： H01L33/0054 , H01L33/12
摘要： 本申请公开了一种LED外延接触层生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温GaN成核层、生长高温GaN缓冲层、生长非掺杂u-GaN层、生长掺杂浓度稳定的n-GaN层、生长多量子阱发光层、生长p型AlGaN层、生长高温p型GaN层、生长InxGa1-xN:Zn/InxGa1-xN:Mg接触层、降温冷却。如此方案，将LED外延最后的接触层设计为InxGa1-xN:Zn/InxGa1-xN:Mg结构，以匹配ZnO∶Al(AZO)透明导电薄膜电流扩展层，有效降低了接触电阻，从而有利于降低LED芯片的工作电压。
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公开(公告)号：CN103474540B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201310442089.2
申请日：2013-09-25
申请人： 湘能华磊光电股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种势磊厚度渐变的LED结构外延生长方法，生长发光层MQW的步骤为：在温度为730‑750℃、100mbar到800mbar压力的反应室内，采用H2和/或N2作为载气，生长掺杂In的厚度为2.5‑3nm的InxGa（1‑x）N层，x=0.20‑0.21；将反应室温度调节为800‑840℃，通入R含量的三甲基镓，生长出厚度为D的第一个GaN层；重复生长InGaN层，通入0.75‑0.95倍R的三甲基镓，生成厚度为0.75‑0.95D的第二个GaN层；依次类推，GaN层厚度逐层减小。本发明改变了发光层的势磊GaN厚度，使其依次减少，从而改善电子和空穴的分布，提高LED光效。
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公开(公告)号：CN104091872A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201410368260.4
申请日：2014-07-30
申请人： 湘能华磊光电股份有限公司
发明人： 林传强
CPC分类号： H01L33/04 , H01L33/007 , H01L33/325
摘要： 本申请公开了一种Mg扩散的LED外延片、生长方法及LED结构，该LED外延片结构从下至上依次为：衬底，GaN缓冲层，非掺杂GaN层，n型GaN层，多量子阱层，P型AlGaN层，在所述的P型AlGaN层上为渐变掺杂Mg的P型GaN层，所述的P型GaN层为进行了Mg扩散处理的GaN层。进一步提供一种LED结构。本发明的优点是：在生长完一小段渐变掺杂Mg的p型GaN后停止生长，再通入大量的Mg对前段p型GaN进行Mg的扩散处理，通过扩散的方式Mg更好地取代Ga位，同时减少了Mg-H键的形成，减少了填充类型的Mg原子，使得并入的Mg原子大部分处在Ga位，提高了处于Ga位Mg原子的比例，使得电离能低的Mg原子比例增加。
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公开(公告)号：CN107768489B
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201710959671.4
申请日：2017-10-16
申请人： 湘能华磊光电股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种LED外延生长的方法，包括：处理衬底、生长低温GaN成核层、生长高温GaN缓冲层、生长非掺杂u‑GaN层、生长N型GaN层、生长量子阱层、生长电子阻挡层、生长高温P型GaN层和生长AlxGa1‑xN:Mg/InyGa1‑yN:Mg超晶格结构，降温冷却；其中：AlxGa1‑xN:Mg/InyGa1‑yN:Mg超晶格结构，进一步为：调节生长温度为750℃‑1050℃，调节生长压力为100Torr‑500Torr，生长厚度为1nm‑5nm的AlxGa1‑xN:Mg层；调节生长温度为750℃‑1050℃，调节生长压力为100Torr‑500Torr，生长厚度为1nm‑5nm的InyGa1‑yN:Mg层；交替生长AlxGa1‑xN:Mg层和InyGa1‑yN:Mg层，周期数为1‑10。通过AlxGa1‑xN:Mg/InyGa1‑yN:Mg超晶格结构材料来调整与AZO薄膜材料的势垒高度差，降低了接触电阻，从而减小了LED芯片的工作电压，提高了亮度。
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公开(公告)号：CN106098870B
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201610560181.2
申请日：2016-07-15
申请人： 湘能华磊光电股份有限公司
发明人： 林传强
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 本申请公开了一种LED外延接触层生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温GaN成核层、生长高温GaN缓冲层、生长非掺杂u‑GaN层、生长掺杂浓度稳定的n‑GaN层、生长多量子阱发光层、生长p型AlGaN层、生长高温p型GaN层、生长Mg:GaN/InxGa1‑xn/Si:GaN隧穿结结构接触层、降温冷却。如此方案，将LED外延最后的接触层设计为Mg:GaN/InxGa1‑xn/Si:GaN的隧穿结构，有效降低了接触电阻，从而有利于降低LED芯片的工作电压。
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公开(公告)号：CN106299064B
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201610854692.5
申请日：2016-09-27
申请人： 湘能华磊光电股份有限公司
摘要： 本申请公开了一种匹配AZO薄膜的LED外延生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温GaN成核层、生长高温GaN缓冲层、生长非掺杂u‑GaN层、生长掺杂浓度稳定的n‑GaN层、生长多量子阱发光层、生长p型AlGaN层、生长高温p型GaN层、生长InxGa1‑xN:Zn/InxGa1‑xN:Si接触层、降温冷却。如此方案，将LED外延最后的接触层设计为InxGa1‑xN:Zn/InxGa1‑xN:Si结构，以匹配ZnO∶Al(AZO)透明导电薄膜电流扩展层，有效降低了接触电阻，从而有利于降低LED芯片的工作电压。
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公开(公告)号：CN105870269B
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201610355656.4
申请日：2016-05-26
申请人： 湘能华磊光电股份有限公司
发明人： 林传强
摘要： 本发明公开提高空穴注入的发光二极管外延生长方法，包括：蓝宝石衬底退火后；通入TMGa和NH3生长低温GaN成核层；原位退火处理5‑10min后，外延生长高温GaN缓冲层；通入NH3和TMGa，生长高温非掺杂的u‑GaN层；通入NH3、TMGa和SiH4，生长Si掺杂的n‑GaN层；生长多周期量子阱MQW发光层；生长厚度为20‑120nm的掺Mg与不掺Mg的超晶格层；生长p型AlGaN层；生长高温p型GaN层；生长p型GaN接触层；在氮气氛围中进行退火处理5‑10min后结束生长；所得到的发光二极管外延结构经过清洗、沉积、光刻和刻蚀后制成单颗发光二极管芯片。本发明提高了LED的发光效率。
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