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公开(公告)号：CN106058003B
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201610596423.3
申请日：2016-07-26
申请人： 湘能华磊光电股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种提升LED芯片亮度的方法，包括：制备LED外延层，在外延层上依次蒸镀ITO透明导电层和沉积TiO2钝化膜；在N型半导体层上形成台阶，蚀刻去除下台阶部上的发光层、P型半导体层、ITO透明导电层和TiO2钝化膜；再腐蚀去掉上台阶部上的TiO2钝化膜；最后在ITO透明导电层和下台阶部的LED的上表面形成一层SiO2保护层，通过光刻和蚀刻在ITO透明导电层上方形成凹槽P和凹槽N，并形成相应的电极。本发明使得ITO透明导电层在光刻、刻蚀以及光刻后去胶过程中受到了TiO2钝化膜的保护，避免了ITO透明导电层受损伤和污染，提高了ITO透明导电层的质量，使LED芯片亮度提升的同时电压有所降低。
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公开(公告)号：CN104134625B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201410382700.1
申请日：2014-08-06
申请人： 湘能华磊光电股份有限公司
IPC分类号： H01L21/687
摘要： 本申请公开了一种镊子，包括具有两弹性镊柄的本体、第一镊头和第二镊头，所述第一镊头和所述第二镊头与所述本体相连接，其特征在于，所述第一镊头具有一个矩形孔，所述第二镊头具有与所述矩形孔对应的凸起的矩形柱。本申请的镊子既和普通镊子一样能保证LED芯片不从镊子上脱落，具有常规镊子的作业效率，又可达到如下效果：确保了LED芯片被夹持的距离最多只能是2毫米，限制了LED芯片表面被夹坏的区域。提高芯粒的成品率。
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公开(公告)号：CN106025012A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610595189.2
申请日：2016-07-26
申请人： 湘能华磊光电股份有限公司
CPC分类号： H01L33/42 , H01L33/005 , H01L33/44
摘要： 本发明提供了一种LED芯片的制备方法及采用该方法制备的LED芯片，LED芯片包括依次生长在衬底上的N型半导体层、发光层、P型半导体层、电流阻挡层以及覆盖在电流阻挡层上的ITO透明导电层，N型半导体层制作有N电极，ITO透明导电层上制作P电极，所述N电极外侧的芯片上表面沉积有SiO2保护层，P电极外侧的芯片上表面依次沉积有SiON增透膜和SiO2保护层。本发明由于在ITO透明导电层的表面上沉积了一层SiON增透膜和使用磷酸溶液蚀刻SiON增透膜，使得在ITO透明导电层在芯片的制作流程中避免损伤和污染，提高了ITO透明导电层质量，使得LED芯片亮度提升的同时芯片电压下降，使LED更加节能环保。
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公开(公告)号：CN105118901A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201510454732.2
申请日：2015-07-29
申请人： 湘能华磊光电股份有限公司
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/306 , H01L21/308
CPC分类号： H01L33/005 , H01L21/30608 , H01L21/3081 , H01L21/3083
摘要： 本申请公开了一种深槽蚀刻方法，用于蚀刻蓝宝石衬底上的外延层，包括步骤：在外延层上覆盖氧化硅掩膜，氧化硅掩膜为设有间隙的两个对称的矩形掩膜；在氧化硅掩膜上覆盖正胶掩膜，正胶掩膜的位于氧化硅掩膜上方，为与氧化硅掩膜相配合的设有间隙的两个对称的正胶掩膜，正胶掩膜靠近所述间隙的一端为直角三角形；利用腐蚀液对氧化硅掩膜的间隙处进行蚀刻，蚀刻过程中正胶掩膜的直角三角形一端完全悬空后，掉落在氧化硅掩膜之间的间隙处；继续蚀刻并去掉剩余的正胶掩膜和氧化硅掩膜，形成上方倾斜下方陡直的漏斗形深槽。本发明的深槽刻蚀方法，既提高了深槽底部绝缘层和金属的厚度，又减少了发光区面积的损失，同时确保了高压芯片的可靠性和光效。
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公开(公告)号：CN106025002B
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201610420636.0
申请日：2016-06-13
申请人： 湘能华磊光电股份有限公司
摘要： 本申请公开LED芯片制作方法，依次包括：外延片清洗、沉积CBL电子阻挡层、CBL电子阻挡层图形化、蒸镀ITO透明导电层、沉积SiON膜、ITO光刻、用磷酸将SiON腐蚀图形化、ITO蚀刻图形化、ITO图形化后去胶、ICP光刻、ICP刻蚀露出N区、ICP蚀刻去胶、用磷酸去除SiON、ITO合金和沉积SiO2保护层。在沉积ITO之后，在ITO表面沉积一层SiON，这样就使得ITO光刻、ITO蚀刻图形化、ICP光刻、ICP刻蚀、ICP刻蚀后去胶这五步过程中ITO膜层受到SiON的保护，避免了损伤和污染，提高了ITO膜层质量，从而提高了LED芯片的亮度，降低了电压。
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公开(公告)号：CN103035806B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201210580748.4
申请日：2012-12-28
申请人： 湘能华磊光电股份有限公司
摘要： 本发明在氮化物外延生长的衬底上制备微米PSS，其上沉积二氧化硅膜，在该膜上，沉积金属Ni层，通过退火处理后，以表面均匀分布的纳米尺度的金属Ni颗粒作为掩膜刻蚀衬底，形成纳米图形结构。然后，以所述具有纳米图形结构的二氧化硅作为掩膜刻蚀衬底，将纳米图形结构复制到微米PSS衬底上，通过腐蚀去除所述二氧化硅膜，得到纳米级PSS。本发明能够实现纳米图形化衬底的制备，可操作性强，并且不涉及昂贵精密的光刻设备，有利于实现规模化和产业化。
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公开(公告)号：CN104134625A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201410382700.1
申请日：2014-08-06
申请人： 湘能华磊光电股份有限公司
IPC分类号： H01L21/687
CPC分类号： H01L21/68785
摘要： 本申请公开了一种镊子，包括具有两弹性镊柄的本体、第一镊头和第二镊头，所述第一镊头和所述第二镊头与所述本体相连接，其特征在于，所述第一镊头具有一个矩形孔，所述第二镊头具有与所述矩形孔对应的凸起的矩形柱。本申请的镊子既和普通镊子一样能保证LED芯片不从镊子上脱落，具有常规镊子的作业效率，又可达到如下效果：确保了LED芯片被夹持的距离最多只能是2毫米，限制了LED芯片表面被夹坏的区域。提高芯粒的成品率。
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公开(公告)号：CN104932209A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201510362488.7
申请日：2015-06-26
申请人： 湘能华磊光电股份有限公司
摘要： 本申请公开了一种改进的图形化衬底显影方法，其特征在于，包括步骤：添加显影液至少2毫升，显影时间5-10秒，一边显影一边以30-60转/分钟速度转动蓝宝石片，显影后以1500-3000转/分钟的速度转动所述蓝宝石片，将剩余在所述蓝宝石片上的显影液甩去，然后所述蓝宝石片的转速将低到30-60转/分钟并用去离子水清洗5-10秒，之后再以1500-3000转/分钟的转速转动所述蓝宝石片，将杂质、残留的显影液及去离子水甩去；再添加显影液至少2毫升，重复上述步骤2至4次。本发明所述的改进的图形化衬底显影方法显影更完全，解决了现有技术在显影过程中PSS图形不规则的问题。
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公开(公告)号：CN102969412B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201210516461.5
申请日：2012-12-05
申请人： 湘能华磊光电股份有限公司
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/762 , H01L27/15
摘要： 本发明公开了一种集成LED芯片及其制作方法。该方法包括以下步骤：S1、在衬底上生长外延层，形成晶片基体；S2、采用激光切割的方式在晶片基体上形成用于隔离相邻单胞的隔离槽，隔离槽的底部延伸至晶片基体的衬底处；S3、去除部分第二半导体层和发光层，露出位于其下的第一半导体层；S4、在第二半导体层的表面上形成透明导电膜；S5、在由第一半导体层、第二半导体层和发光层叠加形成的侧壁上、以及隔离槽中形成钝化层；S6、在由隔离槽隔离的各单胞之间形成金属连接线，形成集成LED芯片。本发明集成LED芯片及其制作方法，通过采用激光切割工艺形成隔离槽简化了制作工艺、提高了生产效率和增加了芯片的有效发光面积。
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公开(公告)号：CN104269484A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410566098.7
申请日：2014-10-22
申请人： 湘能华磊光电股份有限公司
CPC分类号： H01L33/40 , H01L33/005 , H01L33/38 , H01L2933/0016
摘要： 本申请公开了一种防止蒸镀铝时LED芯片电极产生麻点的方法，包括：将厚度为N的铝膜分成n个部分层进行分别蒸镀，N＝N1+N2+…+Nn，每个部分层进行蒸镀的间隔时间为5秒～60秒，直到把整个铝膜蒸镀完毕；或将厚度为N的铝膜分成n个部分层进行分别蒸镀，N＝N1+N2+…+Nn，所述N1＝N2＝…＝Nn，每个部分层进行蒸镀的间隔时间为10秒，直到把整个铝膜蒸镀完毕；所述每个部分层进行蒸镀的间隔时间相等。所述蒸镀在20～50℃的温度条件下使用的速率进行。本发明的优点是：第一，操作性强，铝粒不会生长成较大的铝颗粒；第二，可靠性高，对产能没有影响。
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