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公开(公告)号：CN108899315B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201810662973.X
申请日：2018-06-25
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明提供一种多叉指静电保护器件，包括衬底，衬底上设有深N阱，深N阱内设有第一P阱、第二P阱、第三P阱，第二P阱位于第一P阱和第三P阱的中间，第一P阱内设有第一P+注入区、第一N+注入区、第二N+注入区，第一P阱与第二P阱之间设有第二P+注入区、第三N+注入区、第三P+注入区，第二P阱内设有第四P+注入区、第四N+注入区、N+/P+掺杂注入区、第五N+注入区、第五P+注入区，第四P+注入区以及第五P+注入区均与深N阱跨接，N+/P+掺杂注入区内设有多个交替设置的N+注入区和P+注入区，该多叉指静电保护器件以N+/P+掺杂注入区为对称中心对称设置。本发明能够解决导通不均匀的问题。
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公开(公告)号：CN108807373B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201810661331.8
申请日：2018-06-25
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明提供一种静电保护器件，包括衬底，衬底上设有深N阱，深N阱内设有P阱和N阱，P阱内设有第一P+注入区、第一N‑base注入层和第一N+注入区，N阱内设有第二N‑base注入层、第二N+注入区和第二P+注入区；第一P+注入区、第一N+注入区与阴极相连；第二N+注入区、第二P+注入区与阳极相连；第一P+注入区与第一N+注入区之间设有第一薄栅氧化层，第一薄栅氧化层上覆盖有第一多晶硅栅，第二N+注入区与第二P+注入区之间设有第二薄栅氧化层，第二薄栅氧化层上覆盖有第二多晶硅栅；第二N‑base注入层跨接在P阱和N阱之间，第一N‑base注入层位于第一N+注入区的下方。本发明能够解决触发电压高、抗总剂量能力弱的问题。
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公开(公告)号：CN112599676A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202110017402.2
申请日：2021-01-07
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种有机铵盐作为p型掺杂剂及其在有机半导体光电器件中的应用。这种p型掺杂剂可以通过与受体材料共混或者将受体材料暴露在p型掺杂剂的蒸汽中对受体材料进行p掺杂。这种掺杂剂加入p型半导体中可以提升有机半导体的电导率及空穴迁移率等性质，从而可以应用在有机发光二极管、有机场效应晶体管、有机太阳能电池和钙钛矿太阳能电池等领域。
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公开(公告)号：CN109065538B
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201811162797.X
申请日：2018-09-30
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明提供一种多指SCR静电保护器件，包括衬底，所述衬底上设有第一P阱、第一N阱、第三P阱、第二N阱和第四P阱及第五P阱，第一P阱、第二P阱、第三P阱、第四P阱和第五P阱均设有P+注入区、N+注入区和氧隔离区，第一N阱和第二N阱中均分别设有N+注入区和氧隔离区，第一P阱、第二P阱、第三P阱、第四P阱、第五P阱、第一N阱和第二N阱上均连接有一金属层，与第一P阱、第二P阱、第四P阱、第五P阱连接的金属层上均设有第一电极，与第三P阱连接的金属层上设有第二电极，第一电极和第二电极分别为多指SCR静电保护器件的阳极和阴极。本发明能有效改善多指SCR静电保护器件的触发不均匀特性，提高了多指SCR静电保护器件内部的电压调节性能。
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公开(公告)号：CN108899314A
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201810502138.X
申请日：2018-05-23
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明提供一种静电保护器件，包括衬底，在衬底内设有深N阱，在深N阱内从左到右依次设有第一N阱、第一P阱以及第二N阱，第一N阱内设有第一N+注入区、第一P+注入区以及第二N+注入区，第二N+注入区跨接在第一N阱与第一P阱之间，在第一P阱内设有第三N+注入区、第二P+注入区以及第四N+注入区，在第二N阱内设有第五N+注入区、第三P+注入区以及第六N+注入区，第五N+注入区跨接在第一P阱与第二N阱之间，第一N阱、第一P阱、以及第二N阱组成第一NPN结构，第二N+注入区、第一P阱以及第三N+注入区组成第二NPN结构。本发明提出的静电保护器件，可提高维持电压，降低触发电压，增强静电泄放能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108649028A
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201810496599.0
申请日：2018-05-22
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明提供一种静电保护器件，包括衬底、在衬底内设有深N阱，在深N阱内设有第一P阱、第二N+注入区、第二P+注入区、第三P+注入区、第四P+注入区、第三N+注入区以及第二P阱，第一P阱内设有第一P+注入区以及第一N+注入区，第二P阱内设有第四N+注入区以及第五P+注入区，第三P+注入区与阳极相连，第一P+注入区和第五P+注入区均与阴极相连，第二多晶硅栅和第三多晶硅栅均与栅极相连。本发明提出的静电保护器件，可有效降低触发电压，提高静电泄放电流能力，满足高压功率集成电路的鲁棒性要求。
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公开(公告)号：CN108398978A
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201810175390.4
申请日：2018-03-02
Applicant: 湖南大学
IPC: G05F1/56
CPC classification number: G05F1/56
Abstract: 本发明提供了一种具有抗工艺角变化和宽电压追踪范围的基准电压电路，包括偏置电压产生电路、单位增益缓冲电路、基准电压产生电路。偏置电压产生电路能产生一个不随工艺角变化的电压，经单位增益缓冲电路后，为基准电压产生电路提供稳定的偏置电压，从而使得基准电压产生电路输出抗工艺角变化的基准电压；输出电压能在宽电压范围内线性跟随电源电压的变化；输出电压在不同的工作电压下均具有非常低的温度系数。本发明公开的具有抗工艺角变化和宽电压追踪范围的基准电压电路具备结构简单、与工艺角无关、电压追踪准确、温度系数低、无电阻、无双极型晶体管等优点。
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公开(公告)号：CN114372299B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202210024761.5
申请日：2022-01-09
Applicant: 北京航空航天大学杭州创新研究院 , 湖南大学
IPC: G06F21/72
Abstract: 本发明提出一种基于物理不可克隆函数的安全分支预测器抗Spectre攻击的方法，包括BTB的逆向过程、Spectre防御微架构设计以及基于PUF的安全分支预测器的实施及性能开销测试。基于PUF的安全分支预测器，通过引入进程标识符和完整分支地址作为物理不可克隆函数的激励，物理不可克隆函数的响应用来生成抗冲突的分支索引。本发明提出的方法，可为同地址空间和跨地址空间的分支预测状态提供安全隔离，使攻击者难以创建分支冲突来毒化受害分支，有效缓解了Spectre‑BTB和Spectre‑PHT攻击；且在各分支预测器上的实验评估表明该方法产生的平均性能开销小于3％，较好地平衡开销并保证了安全性。
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公开(公告)号：CN114372299A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202210024761.5
申请日：2022-01-09
Applicant: 北京航空航天大学杭州创新研究院 , 湖南大学
IPC: G06F21/72
Abstract: 本发明提出一种基于物理不可克隆函数的安全分支预测器抗Spectre攻击的方法，包括BTB的逆向过程、Spectre防御微架构设计以及基于PUF的安全分支预测器的实施及性能开销测试。基于PUF的安全分支预测器，通过引入进程标识符和完整分支地址作为物理不可克隆函数的激励，物理不可克隆函数的响应用来生成抗冲突的分支索引。本发明提出的方法，可为同地址空间和跨地址空间的分支预测状态提供安全隔离，使攻击者难以创建分支冲突来毒化受害分支，有效缓解了Spectre‑BTB和Spectre‑PHT攻击；且在各分支预测器上的实验评估表明该方法产生的平均性能开销小于3％，较好地平衡开销并保证了安全性。
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