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公开(公告)号：CN116663004A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310931335.4
申请日：2023-07-27
Applicant: 湖南大学
IPC: G06F21/56 , G06N3/0455 , G06N3/088 , G06F8/75 , G06F18/22
Abstract: 本发明提供一种基于图Transformers的二进制函数相似性检测方法及系统。本发明方法包括：对二进制函数进行静态分析，获取所述二进制函数的控制流图以及每个节点的汇编指令段；对汇编指令的操作码进行归一化；通过无监督的对比学习方法对CFG中的每个节点进行编码，生成每个节点的特征向量；使用图Transformers模型提取CFG的结构信息，生成图嵌入；将两个二进制函数的特征向量即图嵌入进行连接输入全连接层，得到两个二进制函数相似的概率。本发明通过利用图Transformers对二进制函数进行相似性检测，不仅能处理复杂的函数结构，还能适应大规模的二进制代码库，具有较高的准确率和效率及可扩展性。
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公开(公告)号：CN113254934B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110722400.3
申请日：2021-06-29
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于图匹配网络的二进制代码相似性检测方法及系统，本发明方法包括获取待测程序对，对其中的待测程序反汇编获取过程间控制流图ICFG及其指令；分别针对待测程序的过程间控制流图ICFG获取其中基本块的初始特征嵌入；通过图匹配神经网络得到待测程序对的过程间控制流图ICFG的最终嵌入hG1和hG2；在向量空间中计算待测程序对的过程间控制流图ICFG的最终嵌入hG1和hG2之间相似性作为待测程序对的相似性检测结果。本发明通过图匹配神经网络得到待测程序对的过程间控制流图ICFG的最终嵌入能够获取丰富的语义表征，从而能够有效地提高检测精确率，对于基于二进制的代码安全分析有重要的基础性作用。
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公开(公告)号：CN109065538A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201811162797.X
申请日：2018-09-30
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明提供一种多指SCR静电保护器件，包括衬底，所述衬底上设有第一P阱、第一N阱、第三P阱、第二N阱和第四P阱及第五P阱，第一P阱、第二P阱、第三P阱、第四P阱和第五P阱均设有P+注入区、N+注入区和氧隔离区，第一N阱和第二N阱中均分别设有N+注入区和氧隔离区，第一P阱、第二P阱、第三P阱、第四P阱、第五P阱、第一N阱和第二N阱上均连接有一金属层，与第一P阱、第二P阱、第四P阱、第五P阱连接的金属层上均设有第一电极，与第三P阱连接的金属层上设有第二电极，第一电极和第二电极分别为多指SCR静电保护器件的阳极和阴极。本发明能有效改善多指SCR静电保护器件的触发不均匀特性，提高了多指SCR静电保护器件内部的电压调节性能。
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公开(公告)号：CN108630747A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201810480779.X
申请日：2018-05-18
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明提供一种LDMOS-SCR器件，包括P型硅衬底，P型硅衬底上设有深N阱，深N阱内从左到右依次设有P阱和N阱，P阱内设有第一P+注入区和N+注入区组件，N+注入区组件包括从左到右依次设置的第一N+注入区和第二N+注入区，N阱内设有第二P+注入区和第三N+注入区；第一N+注入区和第二N+注入区之间设有N型沟道，N型沟道区上方设有第一薄栅氧化层，薄栅氧化层上覆盖有第一多晶硅栅，第一多晶硅栅连接栅极，N+注入区组件中其中一个N+注入区连接阴极，第三N+注入区连接阳极，第一P+注入区与N+注入区组件之间构成第一二极管，第二P+注入区和N+注入区之间构成第二二极管，第一N+注入区和第二N+注入区之间设有NMOS结构。本发明能够解决触发电压较高的问题。
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公开(公告)号：CN108899314B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN201810502138.X
申请日：2018-05-23
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明提供一种静电保护器件，包括衬底，在衬底内设有深N阱，在深N阱内从左到右依次设有第一N阱、第一P阱以及第二N阱，第一N阱内设有第一N+注入区、第一P+注入区以及第二N+注入区，第二N+注入区跨接在第一N阱与第一P阱之间，在第一P阱内设有第三N+注入区、第二P+注入区以及第四N+注入区，在第二N阱内设有第五N+注入区、第三P+注入区以及第六N+注入区，第五N+注入区跨接在第一P阱与第二N阱之间，第一N阱、第一P阱、以及第二N阱组成第一NPN结构，第二N+注入区、第一P阱以及第三N+注入区组成第二NPN结构。本发明提出的静电保护器件，可提高维持电压，降低触发电压，增强静电泄放能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115858002B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202310064656.9
申请日：2023-02-06
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明提供一种基于图对比学习的二进制代码相似性检测方法及系统与存储介质，方法包括：S1、获取用于训练的二进制程序对；S2、对二进制程序对进行反汇编，并获取过程间控制流图及其指令；S3、计算基本块中指令的TF‑IDF；S4、通过图对比学习预训练图神经网络；S5、在冻结模式下，冻结预训练图神经网络的参数并训练二进制程序对匹配的分类器；S6、通过图神经网络及其分类器得到二进制程序对的相似性检测结果。本发明通过图对比学习训练图神经网络得到二进制程序的过程间控制流图的最终嵌入，其具有程序的结构表征，从而能够应对大型复杂程序的检测问题，并有效提高检测精确度，对于二进制程序安全分析有重要的基础性作用。
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公开(公告)号：CN113254934A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110722400.3
申请日：2021-06-29
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于图匹配网络的二进制代码相似性检测方法及系统，本发明方法包括获取待测程序对，对其中的待测程序反汇编获取过程间控制流图ICFG及其指令；分别针对待测程序的过程间控制流图ICFG获取其中基本块的初始特征嵌入；通过图匹配神经网络得到待测程序对的过程间控制流图ICFG的最终嵌入hG1和hG2；在向量空间中计算待测程序对的过程间控制流图ICFG的最终嵌入hG1和hG2之间相似性作为待测程序对的相似性检测结果。本发明通过图匹配神经网络得到待测程序对的过程间控制流图ICFG的最终嵌入能够获取丰富的语义表征，从而能够有效地提高检测精确率，对于基于二进制的代码安全分析有重要的基础性作用。
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公开(公告)号：CN109346462B
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201811162796.5
申请日：2018-09-30
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明公开了一种ESD保护器件，主要由衬底P‑SUB，双阱工艺中的第一N阱、第二N阱和P阱，第一P+注入区，第一N+注入区，第二P+注入区，第二N+注入区，第三P+注入区，第四P+注入区，薄栅氧和多晶硅栅构成。本发明的ESD保护器件的阴极嵌入PMOS的SCR结构，形成了一条电流的泄放路径，这条泄放路径削弱了SCR结构的正反馈，以此来抬高静电防护应用中的SCR结构的维持电压。
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公开(公告)号：CN108899315A
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201810662973.X
申请日：2018-06-25
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明提供一种多叉指静电保护器件，包括衬底，衬底上设有深N阱，深N阱内设有第一P阱、第二P阱、第三P阱，第二P阱位于第一P阱和第三P阱的中间，第一P阱内设有第一P+注入区、第一N+注入区、第二N+注入区，第一P阱与第二P阱之间设有第二P+注入区、第三N+注入区、第三P+注入区，第二P阱内设有第四P+注入区、第四N+注入区、N+/P+掺杂注入区、第五N+注入区、第五P+注入区，第四P+注入区以及第五P+注入区均与深N阱跨接，N+/P+掺杂注入区内设有多个交替设置的N+注入区和P+注入区，该多叉指静电保护器件以N+/P+掺杂注入区为对称中心对称设置。本发明能够解决导通不均匀的问题。
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公开(公告)号：CN115858002A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202310064656.9
申请日：2023-02-06
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明提供一种基于图对比学习的二进制代码相似性检测方法及系统与存储介质，方法包括：S1、获取用于训练的二进制程序对；S2、对二进制程序对进行反汇编，并获取过程间控制流图及其指令；S3、计算基本块中指令的TF‑IDF；S4、通过图对比学习预训练图神经网络；S5、在冻结模式下，冻结预训练图神经网络的参数并训练二进制程序对匹配的分类器；S6、通过图神经网络及其分类器得到二进制程序对的相似性检测结果。本发明通过图对比学习训练图神经网络得到二进制程序的过程间控制流图的最终嵌入，其具有程序的结构表征，从而能够应对大型复杂程序的检测问题，并有效提高检测精确度，对于二进制程序安全分析有重要的基础性作用。
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