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公开(公告)号：CN108735733B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201810542367.4
申请日：2018-05-30
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明提供一种可控硅静电保护器件，包括衬底，所述衬底上设有深N阱，所述深N阱内设有P阱和N阱，所述P阱内设有第一N+注入区、第二N+注入区和第一P+注入区，所述N阱内设有第三N+注入区、第二P+注入区和第三P+注入区；所述第一N+注入区、所述第三N+注入区、所述第二P+注入区与阳极相连，所述第二N+注入区、所述第一P+注入区、所述第三P+注入区与阴极相连；所述第二N+注入区、所述P阱、所述N阱构成NPN结构，所述P阱、所述N阱、所述第三P+注入区构成PNP结构，形成可控硅结构；所述第一N+注入区和所述P阱构成第一反偏二极管，所述第三P+注入区和所述N阱构成第二反偏二极管。本发明能够解决触发电压过高的问题。
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公开(公告)号：CN108735733A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810542367.4
申请日：2018-05-30
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明提供一种可控硅静电保护器件，包括衬底，所述衬底上设有深N阱，所述深N阱内设有P阱和N阱，所述P阱内设有第一N+注入区、第二N+注入区和第一P+注入区，所述N阱内设有第三N+注入区、第二P+注入区和第三P+注入区；所述第一N+注入区、所述第三N+注入区、所述第二P+注入区与阳极相连，所述第二N+注入区、所述第一P+注入区、所述第三P+注入区与阴极相连；所述第二N+注入区、所述P阱、所述N阱构成NPN结构，所述P阱、所述N阱、所述第三P+注入区构成PNP结构，形成可控硅结构；所述第一N+注入区和所述P阱构成第一反偏二极管，所述第三P+注入区和所述N阱构成第二反偏二极管。本发明能够解决触发电压过高的问题。
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公开(公告)号：CN108630747A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201810480779.X
申请日：2018-05-18
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明提供一种LDMOS-SCR器件，包括P型硅衬底，P型硅衬底上设有深N阱，深N阱内从左到右依次设有P阱和N阱，P阱内设有第一P+注入区和N+注入区组件，N+注入区组件包括从左到右依次设置的第一N+注入区和第二N+注入区，N阱内设有第二P+注入区和第三N+注入区；第一N+注入区和第二N+注入区之间设有N型沟道，N型沟道区上方设有第一薄栅氧化层，薄栅氧化层上覆盖有第一多晶硅栅，第一多晶硅栅连接栅极，N+注入区组件中其中一个N+注入区连接阴极，第三N+注入区连接阳极，第一P+注入区与N+注入区组件之间构成第一二极管，第二P+注入区和N+注入区之间构成第二二极管，第一N+注入区和第二N+注入区之间设有NMOS结构。本发明能够解决触发电压较高的问题。
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公开(公告)号：CN108899315B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201810662973.X
申请日：2018-06-25
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明提供一种多叉指静电保护器件，包括衬底，衬底上设有深N阱，深N阱内设有第一P阱、第二P阱、第三P阱，第二P阱位于第一P阱和第三P阱的中间，第一P阱内设有第一P+注入区、第一N+注入区、第二N+注入区，第一P阱与第二P阱之间设有第二P+注入区、第三N+注入区、第三P+注入区，第二P阱内设有第四P+注入区、第四N+注入区、N+/P+掺杂注入区、第五N+注入区、第五P+注入区，第四P+注入区以及第五P+注入区均与深N阱跨接，N+/P+掺杂注入区内设有多个交替设置的N+注入区和P+注入区，该多叉指静电保护器件以N+/P+掺杂注入区为对称中心对称设置。本发明能够解决导通不均匀的问题。
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公开(公告)号：CN108807373B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201810661331.8
申请日：2018-06-25
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明提供一种静电保护器件，包括衬底，衬底上设有深N阱，深N阱内设有P阱和N阱，P阱内设有第一P+注入区、第一N‑base注入层和第一N+注入区，N阱内设有第二N‑base注入层、第二N+注入区和第二P+注入区；第一P+注入区、第一N+注入区与阴极相连；第二N+注入区、第二P+注入区与阳极相连；第一P+注入区与第一N+注入区之间设有第一薄栅氧化层，第一薄栅氧化层上覆盖有第一多晶硅栅，第二N+注入区与第二P+注入区之间设有第二薄栅氧化层，第二薄栅氧化层上覆盖有第二多晶硅栅；第二N‑base注入层跨接在P阱和N阱之间，第一N‑base注入层位于第一N+注入区的下方。本发明能够解决触发电压高、抗总剂量能力弱的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108899314A
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201810502138.X
申请日：2018-05-23
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明提供一种静电保护器件，包括衬底，在衬底内设有深N阱，在深N阱内从左到右依次设有第一N阱、第一P阱以及第二N阱，第一N阱内设有第一N+注入区、第一P+注入区以及第二N+注入区，第二N+注入区跨接在第一N阱与第一P阱之间，在第一P阱内设有第三N+注入区、第二P+注入区以及第四N+注入区，在第二N阱内设有第五N+注入区、第三P+注入区以及第六N+注入区，第五N+注入区跨接在第一P阱与第二N阱之间，第一N阱、第一P阱、以及第二N阱组成第一NPN结构，第二N+注入区、第一P阱以及第三N+注入区组成第二NPN结构。本发明提出的静电保护器件，可提高维持电压，降低触发电压，增强静电泄放能力。
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公开(公告)号：CN108649028A
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201810496599.0
申请日：2018-05-22
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明提供一种静电保护器件，包括衬底、在衬底内设有深N阱，在深N阱内设有第一P阱、第二N+注入区、第二P+注入区、第三P+注入区、第四P+注入区、第三N+注入区以及第二P阱，第一P阱内设有第一P+注入区以及第一N+注入区，第二P阱内设有第四N+注入区以及第五P+注入区，第三P+注入区与阳极相连，第一P+注入区和第五P+注入区均与阴极相连，第二多晶硅栅和第三多晶硅栅均与栅极相连。本发明提出的静电保护器件，可有效降低触发电压，提高静电泄放电流能力，满足高压功率集成电路的鲁棒性要求。
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公开(公告)号：CN108899314B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN201810502138.X
申请日：2018-05-23
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明提供一种静电保护器件，包括衬底，在衬底内设有深N阱，在深N阱内从左到右依次设有第一N阱、第一P阱以及第二N阱，第一N阱内设有第一N+注入区、第一P+注入区以及第二N+注入区，第二N+注入区跨接在第一N阱与第一P阱之间，在第一P阱内设有第三N+注入区、第二P+注入区以及第四N+注入区，在第二N阱内设有第五N+注入区、第三P+注入区以及第六N+注入区，第五N+注入区跨接在第一P阱与第二N阱之间，第一N阱、第一P阱、以及第二N阱组成第一NPN结构，第二N+注入区、第一P阱以及第三N+注入区组成第二NPN结构。本发明提出的静电保护器件，可提高维持电压，降低触发电压，增强静电泄放能力。
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公开(公告)号：CN108899313B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201810495782.9
申请日：2018-05-22
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明提供一种静电保护器件，包括衬底、在所述衬底内设有深N阱，在深N阱内从左到右依次设有第一P阱、第一N阱以及第二P阱，第一P阱内从左到右依次设有第一P+注入区、第一N+注入区以及第二N+注入区，第二P阱内从左到右依次设有第三N+注入区、第四N+注入区以及第四P+注入区，第二P+注入区跨接在第一P阱与第一N阱之间，第三P+注入区跨接在第一N阱与第二P阱之间，第一P+注入区以及第一N+注入区均与阳极连接，第四P+注入区以及第四N+注入区均与阴极连接。本发明提出的静电保护器件，可提高维持电压，降低触发电压，提高器件的ESD鲁棒性。
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公开(公告)号：CN108899315A
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201810662973.X
申请日：2018-06-25
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明提供一种多叉指静电保护器件，包括衬底，衬底上设有深N阱，深N阱内设有第一P阱、第二P阱、第三P阱，第二P阱位于第一P阱和第三P阱的中间，第一P阱内设有第一P+注入区、第一N+注入区、第二N+注入区，第一P阱与第二P阱之间设有第二P+注入区、第三N+注入区、第三P+注入区，第二P阱内设有第四P+注入区、第四N+注入区、N+/P+掺杂注入区、第五N+注入区、第五P+注入区，第四P+注入区以及第五P+注入区均与深N阱跨接，N+/P+掺杂注入区内设有多个交替设置的N+注入区和P+注入区，该多叉指静电保护器件以N+/P+掺杂注入区为对称中心对称设置。本发明能够解决导通不均匀的问题。
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