公开(公告)号：CN108363447B

公开(公告)日：2020-05-01

申请号：CN201810176067.9

申请日：2018-03-02

Applicant: 湖南大学

Inventor： 陈卓俊 ,  张仁梓 ,  卢谆 ,  陈迪平 ,  胡袁源

IPC: G05F1/567

Abstract: 本发明提供了一种具有工艺补偿的低温度系数全MOS型电流源电路，包括：启动电路，工艺补偿偏置电路，基准电流产生电路，二级补偿电路。通过工艺补偿偏置电路，降低了亚阈值基准电流产生电路受工艺偏差的影响；同时利用二级补偿电路，获得低温度系数。本发明公开的全MOS电流源电路具有工艺偏差小、温度系数低、结构简单、无电阻、无双极型晶体管等优点；本发明适用于基准电流源电路中。

公开(公告)号：CN108398978A

公开(公告)日：2018-08-14

申请号：CN201810175390.4

申请日：2018-03-02

Applicant: 湖南大学

Inventor： 陈卓俊 ,  张仁梓 ,  卢谆 ,  陈迪平 ,  胡袁源

IPC: G05F1/56

CPC classification number: G05F1/56

Abstract: 本发明提供了一种具有抗工艺角变化和宽电压追踪范围的基准电压电路，包括偏置电压产生电路、单位增益缓冲电路、基准电压产生电路。偏置电压产生电路能产生一个不随工艺角变化的电压，经单位增益缓冲电路后，为基准电压产生电路提供稳定的偏置电压，从而使得基准电压产生电路输出抗工艺角变化的基准电压；输出电压能在宽电压范围内线性跟随电源电压的变化；输出电压在不同的工作电压下均具有非常低的温度系数。本发明公开的具有抗工艺角变化和宽电压追踪范围的基准电压电路具备结构简单、与工艺角无关、电压追踪准确、温度系数低、无电阻、无双极型晶体管等优点。

公开(公告)号：CN108363447A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201810176067.9

申请日：2018-03-02

Applicant: 湖南大学

Inventor： 陈卓俊 ,  张仁梓 ,  卢谆 ,  陈迪平 ,  胡袁源

IPC: G05F1/567

Abstract: 本发明提供了一种具有工艺补偿的低温度系数全MOS型电流源电路，包括：启动电路，工艺补偿偏置电路，基准电流产生电路，二级补偿电路。通过工艺补偿偏置电路，降低了亚阈值基准电流产生电路受工艺偏差的影响；同时利用二级补偿电路，获得低温度系数。本发明公开的全MOS电流源电路具有工艺偏差小、温度系数低、结构简单、无电阻、无双极型晶体管等优点；本发明适用于基准电流源电路中。