-
-
公开(公告)号：CN114709332A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210376487.8
申请日：2022-04-12
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种透明钙钛矿薄膜晶体管，其包括透明衬底、源电极、漏电极、栅电极、插入层、半导体层，铁电介电层；所述插入层为透明金属氧化物，置于源、漏电极与半导体层之间；铁电介电层位于栅电极与半导体层之间；所述半导体层为透明钙钛矿薄膜。通过在源、漏电极与透明钙钛矿薄膜间插入一层金属氧化物薄膜作为电子注入层以降低电子注入势垒，提升电子注入效率；同时采用铁电材料作为介电层以抑制透明钙钛矿薄膜的离子迁移引起的栅电压屏蔽效应；在此基础上制备的透明钙钛矿薄膜晶体管能在室温下工作，且稳定性佳。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114709332B
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202210376487.8
申请日：2022-04-12
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种透明钙钛矿薄膜晶体管，其包括透明衬底、源电极、漏电极、栅电极、插入层、半导体层，铁电介电层；所述插入层为透明金属氧化物，置于源、漏电极与半导体层之间；铁电介电层位于栅电极与半导体层之间；所述半导体层为透明钙钛矿薄膜。通过在源、漏电极与透明钙钛矿薄膜间插入一层金属氧化物薄膜作为电子注入层以降低电子注入势垒，提升电子注入效率；同时采用铁电材料作为介电层以抑制透明钙钛矿薄膜的离子迁移引起的栅电压屏蔽效应；在此基础上制备的透明钙钛矿薄膜晶体管能在室温下工作，且稳定性佳。
-
公开(公告)号：CN116916663A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310966444.X
申请日：2023-08-02
Applicant: 湖南大学
Abstract: 一种DJ相二维锡基钙钛矿薄膜晶体管及其制备方法，所述晶体管包括栅电极、介电层、插入层、半导体层、源电极、漏电极；所述插入层为碘化物插入层，所述半导体层为掺杂铵盐添加剂的DJ相锡基钙钛矿；所述半导体层是在所述插入层上形成；本发明通过在制备DJ相二维锡基钙钛矿半导体层前引入碘化物插入层和在钙钛矿前驱体溶液中加入铵盐添加剂来优化二维钙钛矿薄膜的结晶过程，从而提高了薄膜质量和相应器件的电学性能，最终获得了具有高迁移率和高稳定性的二维锡基钙钛矿薄膜晶体管，从而有利于推进该晶体管器件在显示、探测、突触及存储器件领域的进一步应用。
-
公开(公告)号：CN112599676A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202110017402.2
申请日：2021-01-07
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种有机铵盐作为p型掺杂剂及其在有机半导体光电器件中的应用。这种p型掺杂剂可以通过与受体材料共混或者将受体材料暴露在p型掺杂剂的蒸汽中对受体材料进行p掺杂。这种掺杂剂加入p型半导体中可以提升有机半导体的电导率及空穴迁移率等性质，从而可以应用在有机发光二极管、有机场效应晶体管、有机太阳能电池和钙钛矿太阳能电池等领域。
-
公开(公告)号：CN112599676B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202110017402.2
申请日：2021-01-07
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种有机铵盐作为p型掺杂剂及其在有机半导体光电器件中的应用。这种p型掺杂剂可以通过与受体材料共混或者将受体材料暴露在p型掺杂剂的蒸汽中对受体材料进行p掺杂。这种掺杂剂加入p型半导体中可以提升有机半导体的电导率及空穴迁移率等性质，从而可以应用在有机发光二极管、有机场效应晶体管、有机太阳能电池和钙钛矿太阳能电池等领域。
-
-
-
-
-
-
Search Results
7
records
(took 0.015 seconds)
