一种具有修饰层的CZTS薄膜太阳能电池背电极的制备方法

    公开(公告)号:CN114171637B

    公开(公告)日:2024-03-26

    申请号:CN202111399276.8

    申请日:2021-11-24

    Abstract: 本发明提供一种具有修饰层的CZTS薄膜太阳能电池背电极的制备方法,包括以下步骤:首先,将Mo基底置于真空条件下,射频溅射ZnS,形成第一溅射层;其次,在真空条件下,直流溅射Cu,在第一溅射层表面形成第二溅射层;再次,在第二溅射层的表面旋涂CZTS前驱体溶胶;最后,在S蒸气下进行退火处理。其中,修饰层的第一溅射层能够作为S蒸气阻挡层抑制Mo层的硫化,减少MoS2的厚度;修饰层的第二溅射层以Cu作为直流溅射的原料,更利于上层CZTS前驱体结晶,减少CZTS的晶界缺陷。此外,该修饰层能够在上层的CZTS薄膜及其下层的Mo电极之间构成的重p+型层,改善CZTS层与Mo背电极接触侧的载流子传输性能,进而提高太阳能电池器件的光电转换效率。

    纳米晶促铜锌锡硫颗粒生长的薄膜制备方法

    公开(公告)号:CN115872439A

    公开(公告)日:2023-03-31

    申请号:CN202211577708.4

    申请日:2022-12-09

    Abstract: 本发明公开了一种纳米晶促铜锌锡硫颗粒生长的薄膜制备方法。该方法包括以下步骤:首先,将纳米晶溶于有机溶液A中制备成稳定的乳液B;其次,将乳液B缓慢滴入CZTS的前驱体溶液C中制备成前驱体溶液D;再次,前驱体溶液D进行旋涂制备成CZTS预制层薄膜,然后将其进行退火处理,完成CZTS薄膜的制备。纳米晶作为前驱体溶液C的添加物可以在CZTS预制层薄膜退火过程中充当晶种,促进薄膜中CZTS颗粒的生长。

    一种贵金属/硫化铜核壳结构纳米晶的制备方法

    公开(公告)号:CN110918017B

    公开(公告)日:2022-02-01

    申请号:CN201911098139.3

    申请日:2019-11-12

    Abstract: 本发明公开了一种贵金属/硫化铜核壳结构纳米晶的制备方法,该发明的制备方法包括以下步骤:(1)将贵金属纳米晶与硫醇分散在溶剂I中,除水和空气后惰性气体保护,完成溶液A的配置;(2)将铜盐溶解于溶剂II中,除水和空气后惰性气体保护,完成溶液B的配置;(3)将B溶液升温后,再将溶液A注射入到溶液B内部,反应时间t后,注入溶剂II,终止反应;(4)将步骤(3)中反应产物离心洗涤后分散于溶剂III中,得到贵金属/硫化铜核壳结构纳米晶。本发明制备贵金属/硫化铜核壳结构纳米晶相比较于单一结构的硫化铜纳米晶降解甲醛等有毒气体的效率明显提高。制备方法简单易行,利于大规模生产。

    一种贵金属/硫化铜核壳结构纳米晶的制备方法

    公开(公告)号:CN110918017A

    公开(公告)日:2020-03-27

    申请号:CN201911098139.3

    申请日:2019-11-12

    Abstract: 本发明公开了一种贵金属/硫化铜核壳结构纳米晶的制备方法,该发明的制备方法包括以下步骤:(1)将贵金属纳米晶与硫醇分散在溶剂I中,除水和空气后惰性气体保护,完成溶液A的配置;(2)将铜盐溶解于溶剂II中,除水和空气后惰性气体保护,完成溶液B的配置;(3)将B溶液升温后,再将溶液A注射入到溶液B内部,反应时间t后,注入溶剂II,终止反应;(4)将步骤(3)中反应产物离心洗涤后分散于溶剂III中,得到贵金属/硫化铜核壳结构纳米晶。本发明制备贵金属/硫化铜核壳结构纳米晶相比较于单一结构的硫化铜纳米晶降解甲醛等有毒气体的效率明显提高。制备方法简单易行,利于大规模生产。

    纳米晶促铜锌锡硫颗粒生长的薄膜制备方法

    公开(公告)号:CN115872439B

    公开(公告)日:2023-11-17

    申请号:CN202211577708.4

    申请日:2022-12-09

    Abstract: 本发明公开了一种纳米晶促铜锌锡硫颗粒生长的薄膜制备方法。该方法包括以下步骤:首先,将纳米晶溶于有机溶液A中制备成稳定的乳液B;其次,将乳液B缓慢滴入CZTS的前驱体溶液C中制备成前驱体溶液D;再次,前驱体溶液D进行旋涂制备成CZTS预制层薄膜,然后将其进行退火处理,完成CZTS薄膜的制备。纳米晶作为前驱体溶液C的添加物可以在CZTS预制层薄膜退火过程中充当晶种,促进薄膜中CZTS颗粒的生长。

    一种CZTS薄膜太阳能电池用无Cd隧穿缓冲层的制备方法

    公开(公告)号:CN114171636A

    公开(公告)日:2022-03-11

    申请号:CN202111399054.6

    申请日:2021-11-24

    Abstract: 本发明提供一种CZTS薄膜太阳能电池用无Cd隧穿缓冲层的制备方法,包括以下步骤:首先,将CZTS薄膜置于真空条件下,采用Zn靶在CZTS薄膜上溅射形成种子层,得到样品A;其次,将样品A置于含有Zn源、S源以及络合剂的溶液I中进行化学浴沉积,得到样品B;最后,将样品B置于惰性气氛中进行退火处理,得到CZTS薄膜太阳能电池用无Cd隧穿缓冲层。本发明提供的制备方法能够实现对于CZTS薄膜的完全覆盖,避免由于覆盖不全而造成的短路现象。同时,该制备方法制备得到的无Cd缓冲层为超薄结构,能够更好的发挥隧穿效应,其与CZTS薄膜之间形成“倒刺型”的能带结构,减少载流子复合损失,进而提升CZTS薄膜太阳能电池的器件性能。

    一种波长可调被动锁模光纤激光器

    公开(公告)号:CN110600984A

    公开(公告)日:2019-12-20

    申请号:CN201910970654.X

    申请日:2019-10-14

    Abstract: 本发明公开一种波长可调被动锁模光纤激光器,它包括:泵浦光源和激光器谐振腔;所述激光器谐振腔由波分复用器、增益光纤、隔离器、偏振控制器、环行器、准直透镜、聚焦透镜、谐振波长可调可饱和吸收镜、耦合器组成。本发明将可饱和吸收材料集成在微型谐振腔内,通过在微型谐振腔的相位层设计了楔形或微台阶结构,实现可饱和吸收镜器件谐振波长空间上可调,通过环行器和准直聚焦系统将可饱和吸收镜耦合到激光器谐振腔内。通过可饱和吸收镜的可饱和吸收特性,实现光纤激光器被动锁模,时域上输出短脉冲;可饱和吸收镜器件不同位置具有不同的谐振波长,通过机械扫描可饱和吸收镜的工作位置可以实现锁模光纤激光器波长在大范围内线性调谐。

    一种具有修饰层的CZTS薄膜太阳能电池背电极的制备方法

    公开(公告)号:CN114171637A

    公开(公告)日:2022-03-11

    申请号:CN202111399276.8

    申请日:2021-11-24

    Abstract: 本发明提供一种具有修饰层的CZTS薄膜太阳能电池背电极的制备方法,包括以下步骤:首先,将Mo基底置于真空条件下,射频溅射ZnS,形成第一溅射层;其次,在真空条件下,直流溅射Cu,在第一溅射层表面形成第二溅射层;再次,在第二溅射层的表面旋涂CZTS前驱体溶胶;最后,在S蒸气下进行退火处理。其中,修饰层的第一溅射层能够作为S蒸气阻挡层抑制Mo层的硫化,减少MoS2的厚度;修饰层的第二溅射层以Cu作为直流溅射的原料,更利于上层CZTS前驱体结晶,减少CZTS的晶界缺陷。此外,该修饰层能够在上层的CZTS薄膜及其下层的Mo电极之间构成的重p+型层,改善CZTS层与Mo背电极接触侧的载流子传输性能,进而提高太阳能电池器件的光电转换效率。

    一种铜锌锡硫包覆二氧化钛纳米阵列的制备方法

    公开(公告)号:CN111005028A

    公开(公告)日:2020-04-14

    申请号:CN201911170539.0

    申请日:2019-11-26

    Abstract: 本发明属于材料制备领域,具体涉及一种铜锌锡硫包覆二氧化钛纳米阵列的制备方法,包括以下步骤:将二氧化钛纳米阵列薄膜置于含Cu盐、Zn盐和Sn盐的混合溶液A中浸泡;将处理后的薄膜置于含有S2-的溶液B中浸泡;将处理后的薄膜置于溶液C中超声;重复步骤以上步骤若干次;将处理后的薄膜置于惰性气氛中退火,得到铜锌锡硫包覆二氧化钛纳米阵列薄膜。本发明通过使用Cu、Zn和Sn相应盐与溶剂络合形成混合阳离子,再共同吸附于二氧化钛纳米阵列上,然后在将吸附有Cu、Zn和Sn的二氧化钛纳米阵列进行硫化,克服了异相成核困难及均一成核生长难题,制备出具有一定降解效率、成分均匀、物相较纯的铜锌锡硫包覆二氧化钛纳米阵列薄膜。

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