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公开(公告)号：CN115872439B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202211577708.4
申请日：2022-12-09
Applicant: 湖北工业大学
IPC: C01G19/00
Abstract: 本发明公开了一种纳米晶促铜锌锡硫颗粒生长的薄膜制备方法。该方法包括以下步骤：首先，将纳米晶溶于有机溶液A中制备成稳定的乳液B；其次，将乳液B缓慢滴入CZTS的前驱体溶液C中制备成前驱体溶液D；再次，前驱体溶液D进行旋涂制备成CZTS预制层薄膜，然后将其进行退火处理，完成CZTS薄膜的制备。纳米晶作为前驱体溶液C的添加物可以在CZTS预制层薄膜退火过程中充当晶种，促进薄膜中CZTS颗粒的生长。
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公开(公告)号：CN114171636A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111399054.6
申请日：2021-11-24
Applicant: 湖北工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0352 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供一种CZTS薄膜太阳能电池用无Cd隧穿缓冲层的制备方法，包括以下步骤：首先，将CZTS薄膜置于真空条件下，采用Zn靶在CZTS薄膜上溅射形成种子层，得到样品A；其次，将样品A置于含有Zn源、S源以及络合剂的溶液I中进行化学浴沉积，得到样品B；最后，将样品B置于惰性气氛中进行退火处理，得到CZTS薄膜太阳能电池用无Cd隧穿缓冲层。本发明提供的制备方法能够实现对于CZTS薄膜的完全覆盖，避免由于覆盖不全而造成的短路现象。同时，该制备方法制备得到的无Cd缓冲层为超薄结构，能够更好的发挥隧穿效应，其与CZTS薄膜之间形成“倒刺型”的能带结构，减少载流子复合损失，进而提升CZTS薄膜太阳能电池的器件性能。
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公开(公告)号：CN110665528A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910956086.8
申请日：2019-10-06
Applicant: 湖北工业大学
Abstract: 本发明公开一种2D/2D g-C3N4/ZnIn2S4异质结复合光催化剂的制备方法。首先采用柠檬酸钠对ZnIn2S4光催化剂进行改性，寻找最佳的使用量。然后对g-C3N4光催化剂进一步优化。通过在g-C3N4纳米片表面原位生长一层ZnIn2S4纳米片，制备了2D/2D g-C3N4/ZnIn2S4复合光催化剂。本发明制备方法简单，原材料易得，反应条件适中。所制备的g-C3N4/ZnIn2S4二维复合光催化材料具有高效光催化产氢活性，产氢速率达到了3.4mmol/h/g，比单一的g-C3N4产氢速率提高了180％。
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公开(公告)号：CN110201681A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910366239.3
申请日：2019-05-05
Applicant: 湖北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种空气净化用ZnO/CuS/Ag光催化材料的制备方法，属于材料制备技术领域。本发明首先配制硝酸锌水溶液，采用电化学沉积技术在导电玻璃上制备ZnO纳米片；然后，采用离子交换法分别以硫代乙酰胺和氯化铜为溶液，制备ZnO/CuS复合材料；最后，沉积Ag，制备ZnO/CuS/Ag光催化材料。本发明所获得的空气净化用ZnO/CuS/Ag光催化材料具有良好的催化性能，且本发明提供的制备方法简单易操作，具有实际的可行性，制备的ZnO/CuS/Ag光催化材料成本低，无污染。
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公开(公告)号：CN114171637A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111399276.8
申请日：2021-11-24
Applicant: 湖北工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , C23C14/06 , C23C14/18
Abstract: 本发明提供一种具有修饰层的CZTS薄膜太阳能电池背电极的制备方法，包括以下步骤：首先，将Mo基底置于真空条件下，射频溅射ZnS，形成第一溅射层；其次，在真空条件下，直流溅射Cu，在第一溅射层表面形成第二溅射层；再次，在第二溅射层的表面旋涂CZTS前驱体溶胶；最后，在S蒸气下进行退火处理。其中，修饰层的第一溅射层能够作为S蒸气阻挡层抑制Mo层的硫化，减少MoS2的厚度；修饰层的第二溅射层以Cu作为直流溅射的原料，更利于上层CZTS前驱体结晶，减少CZTS的晶界缺陷。此外，该修饰层能够在上层的CZTS薄膜及其下层的Mo电极之间构成的重p+型层，改善CZTS层与Mo背电极接触侧的载流子传输性能，进而提高太阳能电池器件的光电转换效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111005028A
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201911170539.0
申请日：2019-11-26
Applicant: 湖北工业大学
Abstract: 本发明属于材料制备领域，具体涉及一种铜锌锡硫包覆二氧化钛纳米阵列的制备方法，包括以下步骤：将二氧化钛纳米阵列薄膜置于含Cu盐、Zn盐和Sn盐的混合溶液A中浸泡；将处理后的薄膜置于含有S2-的溶液B中浸泡；将处理后的薄膜置于溶液C中超声；重复步骤以上步骤若干次；将处理后的薄膜置于惰性气氛中退火，得到铜锌锡硫包覆二氧化钛纳米阵列薄膜。本发明通过使用Cu、Zn和Sn相应盐与溶剂络合形成混合阳离子，再共同吸附于二氧化钛纳米阵列上，然后在将吸附有Cu、Zn和Sn的二氧化钛纳米阵列进行硫化，克服了异相成核困难及均一成核生长难题，制备出具有一定降解效率、成分均匀、物相较纯的铜锌锡硫包覆二氧化钛纳米阵列薄膜。
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公开(公告)号：CN107658347B
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201710898692.X
申请日：2017-09-28
Applicant: 湖北工业大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/072
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种漫反射增强背接触钼电极的制备方法，该方法是先将钼电极置于碱性溶液中配合脉冲电压对其表面进行可控的各向异性氧化，然后对钼电极表面的氧化层进行腐蚀，得到多孔钼基底表面，最终制备出漫反射增强背接触钼电极。该方法通过实验参数的调节，可以控制背接触钼电极表面腐蚀坑的深度，从而实现背接触钼电极漫反射系数的精确调控；该方法可以有效改善CZTS薄膜太阳电池对响应波段光吸收的量子效率；该方法的整个过程在液相非真空环境下制备，操作简单，成本极低，利于产业化应用。
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公开(公告)号：CN110918017B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN201911098139.3
申请日：2019-11-12
Applicant: 湖北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种贵金属/硫化铜核壳结构纳米晶的制备方法，该发明的制备方法包括以下步骤：(1)将贵金属纳米晶与硫醇分散在溶剂I中，除水和空气后惰性气体保护，完成溶液A的配置；(2)将铜盐溶解于溶剂II中，除水和空气后惰性气体保护，完成溶液B的配置；(3)将B溶液升温后，再将溶液A注射入到溶液B内部，反应时间t后，注入溶剂II，终止反应；(4)将步骤(3)中反应产物离心洗涤后分散于溶剂III中，得到贵金属/硫化铜核壳结构纳米晶。本发明制备贵金属/硫化铜核壳结构纳米晶相比较于单一结构的硫化铜纳米晶降解甲醛等有毒气体的效率明显提高。制备方法简单易行，利于大规模生产。
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公开(公告)号：CN110918017A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201911098139.3
申请日：2019-11-12
Applicant: 湖北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种贵金属/硫化铜核壳结构纳米晶的制备方法，该发明的制备方法包括以下步骤：(1)将贵金属纳米晶与硫醇分散在溶剂I中，除水和空气后惰性气体保护，完成溶液A的配置；(2)将铜盐溶解于溶剂II中，除水和空气后惰性气体保护，完成溶液B的配置；(3)将B溶液升温后，再将溶液A注射入到溶液B内部，反应时间t后，注入溶剂II，终止反应；(4)将步骤(3)中反应产物离心洗涤后分散于溶剂III中，得到贵金属/硫化铜核壳结构纳米晶。本发明制备贵金属/硫化铜核壳结构纳米晶相比较于单一结构的硫化铜纳米晶降解甲醛等有毒气体的效率明显提高。制备方法简单易行，利于大规模生产。
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公开(公告)号：CN114171636B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202111399054.6
申请日：2021-11-24
Applicant: 湖北工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0352 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供一种CZTS薄膜太阳能电池用无Cd隧穿缓冲层的制备方法，包括以下步骤：首先，将CZTS薄膜置于真空条件下，采用Zn靶在CZTS薄膜上溅射形成种子层，得到样品A；其次，将样品A置于含有Zn源、S源以及络合剂的溶液I中进行化学浴沉积，得到样品B；最后，将样品B置于惰性气氛中进行退火处理，得到CZTS薄膜太阳能电池用无Cd隧穿缓冲层。本发明提供的制备方法能够实现对于CZTS薄膜的完全覆盖，避免由于覆盖不全而造成的短路现象。同时，该制备方法制备得到的无Cd缓冲层为超薄结构，能够更好的发挥隧穿效应，其与CZTS薄膜之间形成“倒刺型”的能带结构，减少载流子复合损失，进而提升CZTS薄膜太阳能电池的器件性能。
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