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公开(公告)号：CN115872439B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202211577708.4
申请日：2022-12-09
Applicant: 湖北工业大学
IPC: C01G19/00
Abstract: 本发明公开了一种纳米晶促铜锌锡硫颗粒生长的薄膜制备方法。该方法包括以下步骤：首先，将纳米晶溶于有机溶液A中制备成稳定的乳液B；其次，将乳液B缓慢滴入CZTS的前驱体溶液C中制备成前驱体溶液D；再次，前驱体溶液D进行旋涂制备成CZTS预制层薄膜，然后将其进行退火处理，完成CZTS薄膜的制备。纳米晶作为前驱体溶液C的添加物可以在CZTS预制层薄膜退火过程中充当晶种，促进薄膜中CZTS颗粒的生长。
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公开(公告)号：CN114171636A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111399054.6
申请日：2021-11-24
Applicant: 湖北工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0352 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供一种CZTS薄膜太阳能电池用无Cd隧穿缓冲层的制备方法，包括以下步骤：首先，将CZTS薄膜置于真空条件下，采用Zn靶在CZTS薄膜上溅射形成种子层，得到样品A；其次，将样品A置于含有Zn源、S源以及络合剂的溶液I中进行化学浴沉积，得到样品B；最后，将样品B置于惰性气氛中进行退火处理，得到CZTS薄膜太阳能电池用无Cd隧穿缓冲层。本发明提供的制备方法能够实现对于CZTS薄膜的完全覆盖，避免由于覆盖不全而造成的短路现象。同时，该制备方法制备得到的无Cd缓冲层为超薄结构，能够更好的发挥隧穿效应，其与CZTS薄膜之间形成“倒刺型”的能带结构，减少载流子复合损失，进而提升CZTS薄膜太阳能电池的器件性能。
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公开(公告)号：CN113704251A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202110818814.6
申请日：2021-07-20
Applicant: 湖北工业大学
Abstract: 本发明实施例提供一种分布式存储数据库一体机的首页布局方法及装置，所述方法包括：获取分布式存储软件的存储状态信息，并根据存储状态信息获取存储节点的存储数据标签；根据存储数据标签获取对应的决策信息，并检测决策信息是否包含截止时间；当决策信息包含截止时间，根据存储数据标签获取加密信息、用户信息，并根据截止时间和加密信息生成对应的显示优先级，根据用户信息生成对应的索引条目；在数据库一体机首页，设置索引条目，并在索引条目下根据显示优先级显示对应的决策信息。采用本方法能够在数据库一体机的首页根据数据来源以及优先度显示数据对应决策信息，方便用户及时并且清楚的通过首页显示内容了解到自己方优先级高的决策信息。
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公开(公告)号：CN114171637A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111399276.8
申请日：2021-11-24
Applicant: 湖北工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , C23C14/06 , C23C14/18
Abstract: 本发明提供一种具有修饰层的CZTS薄膜太阳能电池背电极的制备方法，包括以下步骤：首先，将Mo基底置于真空条件下，射频溅射ZnS，形成第一溅射层；其次，在真空条件下，直流溅射Cu，在第一溅射层表面形成第二溅射层；再次，在第二溅射层的表面旋涂CZTS前驱体溶胶；最后，在S蒸气下进行退火处理。其中，修饰层的第一溅射层能够作为S蒸气阻挡层抑制Mo层的硫化，减少MoS2的厚度；修饰层的第二溅射层以Cu作为直流溅射的原料，更利于上层CZTS前驱体结晶，减少CZTS的晶界缺陷。此外，该修饰层能够在上层的CZTS薄膜及其下层的Mo电极之间构成的重p+型层，改善CZTS层与Mo背电极接触侧的载流子传输性能，进而提高太阳能电池器件的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN113246222A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110526449.1
申请日：2021-05-14
Applicant: 湖北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种利用水刀切割的厨房切割工具，包括水刀切割部件和食物盛放部件；所述的水刀切割部件的底部连接食物盛放部件的顶部；所述的水刀切割部件包括外壳、蓄水器和喷嘴层；所述的外壳表面安装有电容屏，所述的外壳内部安装有电路板；所述的电路板设有处理器和模拟数字转换器，所述的电路板的底部设置蓄水器；本发明中首次将水切割技术运用到厨房食物切割中，改变刀具的物理特性由传统固体金属改为液体高压水注，改变传统手握刀具重复用力的方式，采用手指滑动电容屏，通过感应控制出水位置和出水压力来切割不同食物，操作简单、使用方便；解决了传统刀具使用过程中出现割伤手的安全问题、手动操作耗时费力、伤手腕等问题，安全系数高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113897681B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202111110850.3
申请日：2021-09-18
IPC: C30B29/54 , C30B7/06 , C07C209/00 , C07C209/86 , C07C211/04
Abstract: 本发明提供一种具有(110)取向的非铅钙钛矿单晶的制备方法，包括如下步骤：步骤S1：将CH3NH3X、BiX3和丁胺阳离子源溶于溶剂中，制成单晶生长液；步骤S2：蒸发所述单晶生长液中的溶剂，在单晶生长液底部结晶生长得到所述非铅钙钛矿单晶(CH3NH3)3Bi2X9；其中X为I、Br、Cl中的一种或多种。本发明以丁胺阳离子源为添加剂从而实现(CH3NH3)3Bi2X9单晶晶面取向的可控，很容易得到(110)取向、形状规则、质量高的(CH3NH3)3Bi2X9钙钛矿单晶。
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公开(公告)号：CN114171636B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202111399054.6
申请日：2021-11-24
Applicant: 湖北工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0352 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供一种CZTS薄膜太阳能电池用无Cd隧穿缓冲层的制备方法，包括以下步骤：首先，将CZTS薄膜置于真空条件下，采用Zn靶在CZTS薄膜上溅射形成种子层，得到样品A；其次，将样品A置于含有Zn源、S源以及络合剂的溶液I中进行化学浴沉积，得到样品B；最后，将样品B置于惰性气氛中进行退火处理，得到CZTS薄膜太阳能电池用无Cd隧穿缓冲层。本发明提供的制备方法能够实现对于CZTS薄膜的完全覆盖，避免由于覆盖不全而造成的短路现象。同时，该制备方法制备得到的无Cd缓冲层为超薄结构，能够更好的发挥隧穿效应，其与CZTS薄膜之间形成“倒刺型”的能带结构，减少载流子复合损失，进而提升CZTS薄膜太阳能电池的器件性能。
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公开(公告)号：CN115954407A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202211577683.8
申请日：2022-12-09
Applicant: 湖北工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种增强载流子传输网络的铜锌锡硫薄膜制备方法，包括以下步骤：(1)将Cu2O纳米线分散于有机溶液A中；(2)将分散有Cu2O纳米线的有机溶液A加入到铜锌锡硫(Cu2ZnSnS4，CZTS)的前驱体溶液B中；(3)将掺有Cu2O纳米线的CZTS前驱体溶液旋涂成CZTS预制层薄膜；(4)将CZTS的预制层薄膜进行退火处理。退火过程中Cu2O纳米线会反应形成相对富Cu的CZTS网络通道，提高CZTS薄膜的载流子迁移率。
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公开(公告)号：CN114171637B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202111399276.8
申请日：2021-11-24
Applicant: 湖北工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , C23C14/06 , C23C14/18
Abstract: 本发明提供一种具有修饰层的CZTS薄膜太阳能电池背电极的制备方法，包括以下步骤：首先，将Mo基底置于真空条件下，射频溅射ZnS，形成第一溅射层；其次，在真空条件下，直流溅射Cu，在第一溅射层表面形成第二溅射层；再次，在第二溅射层的表面旋涂CZTS前驱体溶胶；最后，在S蒸气下进行退火处理。其中，修饰层的第一溅射层能够作为S蒸气阻挡层抑制Mo层的硫化，减少MoS2的厚度；修饰层的第二溅射层以Cu作为直流溅射的原料，更利于上层CZTS前驱体结晶，减少CZTS的晶界缺陷。此外，该修饰层能够在上层的CZTS薄膜及其下层的Mo电极之间构成的重p+型层，改善CZTS层与Mo背电极接触侧的载流子传输性能，进而提高太阳能电池器件的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN115954407B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202211577683.8
申请日：2022-12-09
Applicant: 湖北工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种增强载流子传输网络的铜锌锡硫薄膜制备方法，包括以下步骤：(1)将Cu2O纳米线分散于有机溶液A中；(2)将分散有Cu2O纳米线的有机溶液A加入到铜锌锡硫(Cu2ZnSnS4，CZTS)的前驱体溶液B中；(3)将掺有Cu2O纳米线的CZTS前驱体溶液旋涂成CZTS预制层薄膜；(4)将CZTS的预制层薄膜进行退火处理。退火过程中Cu2O纳米线会反应形成相对富Cu的CZTS网络通道，提高CZTS薄膜的载流子迁移率。
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