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公开(公告)号：CN119822324A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411999771.6
申请日：2024-12-31
Applicant: 清华大学
Abstract: 本申请提供了一种半导体结构的制备方法。制备方法包括：在第一基板的第一表面形成第一电极。形成包括第一主体层及位于第一主体层一侧的第一凸柱的第一结构层。将第一基板与第一结构层键合。对第一主体层进行处理，形成图形化的第二主体层及第二凸柱，第二主体层包括质量结构，质量结构在第一表面上的正投影与第一电极在第一表面上的正投影至少部分交叠。在第二基板的第二表面形成第二电极，第二凸柱的高度与第二电极的厚度的差值等于第一凸柱的高度与第一电极的厚度的差值。将第二基板与第二结构层键合，使第二凸柱与第二表面接触，且第二凸柱的高度保持不变，第二电极在第一表面上的正投影与第一电极在第一表面上的正投影重合。
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公开(公告)号：CN113794459B
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202111096858.9
申请日：2021-09-18
Applicant: 清华大学
IPC: H03H9/02
Abstract: 本发明涉及一种MEMS谐振器锚点阻尼的数值表征、抑制的结构及方法，其包括：抑制区域，位于每个谐振质量块的中心位置处，且多个所述抑制区域呈对称分布；抑制结构，用于改变谐振参数抑制锚点耗散，设置在所述抑制区域内；理论不动点区域，以锚点为中心呈对称分布在连接所述谐振质量块用的支撑架上；检测结构，用于对锚点耗散进行数值表征，实现对非对称振动的检测，设置在所述理论不动点区域内。本发明通过设计不对称振动检测结构和不对称振动抑制结构，实现对于锚点耗散的实时测量表征与闭环抑制。本发明具有易于加工，不增加工艺复杂度，检测精度高，闭环抑制效果好，有效降低锚点阻尼耗散的特点。
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公开(公告)号：CN112988209B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202110350946.0
申请日：2021-03-31
Applicant: 清华大学
IPC: G06F8/656
Abstract: 本发明提出一种用于转子悬浮控制系统中程序在线升级的方法和装置，其中，方法包括：将底层程序存储在FlashA存储空间；基于预先建立的程序环境调用Main函数，将DAC输出清零；在清零后，判断是否接收到上位机的升级指令；若接收到升级指令，则根据上位机发送的升级数据文件烧写至FlashE。由此，开发基于串口通信的在线升级技术，在无需硬件设置或设备拆解的情况下，通过底层程序烧写应用程序达到升级的目的，其中底层程序是指已经固化在DSP指定Flash空间中的程序，主要完成应用程序数据文件接收及烧写。
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公开(公告)号：CN116107356B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310369789.7
申请日：2023-04-10
Applicant: 清华大学
Abstract: 本申请涉及一种转子加转方法、装置、电子设备及存储介质。上述方法包括：获取转子的实际转速；若实际转速未达到目标转速，则根据实际转速确定加转信号的目标频率；根据目标频率调整加转信号的实际频率，以控制转子加转。采用本方法能够以转子的实际转速为反馈值，自适应调整加转信号频率获取更高加转力矩，从而实现转子快速加转启动过程，提高了转子的加转效率。
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公开(公告)号：CN113794459A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202111096858.9
申请日：2021-09-18
Applicant: 清华大学
IPC: H03H9/02
Abstract: 本发明涉及一种MEMS谐振器锚点阻尼的数值表征、抑制的结构及方法，其包括：抑制区域，位于每个谐振质量块的中心位置处，且多个所述抑制区域呈对称分布；抑制结构，用于改变谐振参数抑制锚点耗散，设置在所述抑制区域内；理论不动点区域，以锚点为中心呈对称分布在连接所述谐振质量块用的支撑架上；检测结构，用于对锚点耗散进行数值表征，实现对非对称振动的检测，设置在所述理论不动点区域内。本发明通过设计不对称振动检测结构和不对称振动抑制结构，实现对于锚点耗散的实时测量表征与闭环抑制。本发明具有易于加工，不增加工艺复杂度，检测精度高，闭环抑制效果好，有效降低锚点阻尼耗散的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112723298A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011607823.2
申请日：2020-12-30
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种用于MEMS传感器刻蚀的散热补偿微结构。具体是通过在刻蚀热量集中区域，如梳齿空隙，梁结构周围等需要被刻蚀区域下方设计散热结构，散热结构连接结构层与基底层，在结构硅层刻通之前，反应产生的热量通过散热柱传递至基底；结构硅层刻通之后，反应离子将继续刻蚀散热柱，一方面不影响可动结构运动，另一方面可以解决反应离子经基底反射刻蚀结构层背面的问题。该方法优点在于结构简单，易于设计，效果明显，一致性明显，可以有效解决单锚点MEMS器件深硅刻蚀步骤的散热途径长，散热不均匀，不同部分过刻量不同以及表面刻蚀缺陷等问题。
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公开(公告)号：CN112287488A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011228319.1
申请日：2020-11-06
Applicant: 清华大学
IPC: G06F30/17 , G06F119/14
Abstract: 本发明涉及一种用于微机电器件的非线性弹性约束结构及约束方法，包括如下部件：若干固定体和一梁长约束体；若干直梁，若干所述直梁的第一端分别与若干所述固定体一一对应连接，若干所述直梁的第二端分别与所述梁长约束体连接；当所述直梁与所述梁长约束体连接的端点发生位移时，所述梁长约束体和所述固定体约束所述直梁在长度方向发生变形。本发明的非线性弹性约束结构与线性弹性约束结构相比，在相同的外力冲击下，可以减小可动部分的位移，避免可动部分与保护挡块碰撞，或减小碰撞时的撞击力，更好地保护器件微结构。
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公开(公告)号：CN112209332A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201910619306.8
申请日：2019-07-10
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种单片六轴IMU的双面电极制作及圆片级真空封装方法。本发明方法所形成的整体结构包括基底层、器件层和盖帽层，在基底层上实现多层互联结构，优化走线布局，减小寄生电容，便于后续和外部电路之间的连接；器件层包括敏感结构、硅柱以及硅墙，硅柱用于连接盖帽层上的与基底层金属电极；硅墙分别与基底层和盖帽层键合形成真空封闭腔室。本发明方法将真空封装与MEMS敏感结构的加工合并，避免对裸芯片二次真空封装时可能带来的污染，同时可实现双面电极制作，为非平面运动信号的检测提供可能。
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公开(公告)号：CN111272698A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010217419.8
申请日：2020-03-25
Applicant: 浙江浙能天然气运行有限公司 , 清华大学
Abstract: 本发明属于天然气泄漏监测技术领域，具体涉及一种天然气泄漏监测系统及监测方法；天然气泄漏监测系统，包括激光气体遥测装置、升降式立杆、激光气体遥测仪和导轨，升降式立杆布设于天然气场站工艺区的目标位置，激光气体遥测装置安装于升降式立杆之上；导轨布设于天然气场站工艺区的一侧，激光气体遥测仪活动配合于导轨之上，以沿天然气场站工艺区的一侧往返运动；通过激光气体遥测装置和激光气体遥测仪对天然气场站实现天然气泄漏的空间监测。本发明采用升降式立杆与导轨分别搭载扫描式的激光气体遥测装置与开放式的激光气体遥测仪的监测方案，监测设备数量少、数据处理难度小，可实现整个天然气场站泄漏点的测量。
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公开(公告)号：CN110986932A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911256667.7
申请日：2019-12-10
Applicant: 清华大学
Abstract: 本申请涉及一种惯性导航数据的重构方法、装置、计算机设备和存储介质。该方法包括：将运载体在传统地理坐标系中第一纬度下的位置、速度和姿态信息，转换为运载体在横向地理坐标系中第一纬度下的位置、速度和姿态信息；根据运载体在横向地理坐标系中第一纬度下的位置、速度和姿态信息，确定运载体在横向地理坐标系中第二纬度下的位置、速度和姿态信息；第二纬度的纬度范围下限大于第一纬度的纬度范围上限；根据运载体在横向地理坐标系中第二纬度下的位置、速度和姿态信息、运载体坐标系到测量坐标系的方向余弦阵、以及地球坐标系相对于惯性坐标系的旋转角速度，确定运载体的惯性导航重构数据。该方法大大提高了输出的惯性导航重构数据的准确度。
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