公开(公告)号：CN108028315A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680052700.2

申请日：2016-07-19

Applicant: 海德威科技公司

Inventor： 刘焕龙 ,  李元仁 ,  朱健 ,  诺真·杰 ,  王柏刚

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  H01F10/32 ,  H01L43/10

CPC classification number: H01L43/10 ,  G11C11/161 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/329 ,  H01F10/3295 ,  H01F41/307 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 一种磁性隧道结，其中参考层和自由层分别包括含硼量25‑50原子百分比的第一层和相邻的含硼量1‑20原子百分比的第二层。在自由层和参考层中的每一层，第一层和第二层中的一层接触隧道势垒层。每一含硼层具有0.1‑1纳米的厚度，并可以包括一个或多个硼层和一个或多个钴、铁、钴铁或钴铁硼层。因此，可防止非磁性金属沿着结晶边界迁移到隧道势垒层，且MTJ具有约10ppm的低缺陷量，同时，在退火到约400℃的温度之后保持可接受的TMR比率。含硼层选自钴硼、铁硼钴铁硼及其包括钴铁镍硼的合金。

公开(公告)号：CN108475725A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201680068533.0

申请日：2016-10-24

Applicant: 海德威科技公司

Inventor： 朱健 ,  诺真·杰 ,  李元仁 ,  刘焕龙 ,  童儒颖 ,  王柏刚

IPC: H01L43/08 ,  H01F10/16 ,  H01F10/32 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明公开了一种可降低磁性装置的薄膜粗糙度的多层结构、一种磁性穿隧接面以及一种形成磁性穿隧接面的方法，其中，可降低磁性装置的薄膜粗糙度的多层结构，包括：(a)一第一层，其由具有一第一键能的材料所制成，并具有一第一表面，该第一表面具有一“刚沉积的”第一峰间粗糙度；以及(b)一上面的第二层，其为非晶或纳米晶，并由具有大于该第一键能的一第二键能的材料所制成，使得该上面的第二层的沉积导致该第一层的再溅镀，以得到具有一第二峰间粗糙度的一第二表面的一第一层，该第二峰间粗糙度小于该“刚沉积的”的第一峰间粗糙度，该上面的第二层形成于该第二表面上，该上面的第二层具有一第三表面，该第三表面具有该第二峰间粗糙度。

公开(公告)号：CN107636762A

公开(公告)日：2018-01-26

申请号：CN201680028288.0

申请日：2016-03-25

Applicant: 海德威科技公司

Inventor： 诺真·杰 ,  王柏刚 ,  李元仁 ,  朱健 ,  刘焕龙

IPC: G11C11/16 ,  G11C11/409 ,  H01L43/12 ,  G11C17/02 ,  G11C17/16 ,  G11C17/18 ,  G11C11/00 ,  G11C11/419 ,  H01L27/22

CPC classification number: G11C17/18 ,  G11C11/005 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/409 ,  G11C11/419 ,  G11C17/02 ,  G11C17/16 ,  G11C2213/71 ,  H01L27/228 ,  H01L43/12

Abstract: 一种集成电路，包含由多个磁性OTP存储单元所形成的磁性OTP存储器阵列，磁性OTP存储单元具有包含固定磁性层、隧道势垒绝缘层、自由磁性层和第二电极的MTJ堆叠。当跨越磁性OTP存储单元施加电压时，MTJ堆叠和栅控晶体管的电阻形成分压器，以在MTJ堆叠上施加大电压让隧道势垒层击穿，而使固定层短路于自由层。集成电路具有多个MRAM阵列，其被配置为使得多个MRAM阵列中的每一个的性能和密度标准匹配于基于MOS晶体管的存储器，包括SRAM、DRAM和闪存存储器。集成电路可包括与磁性OTP存储器阵列连接的功能逻辑单元和用于提供数字数据储存的MRAM阵列。