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公开(公告)号：CN108352447A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201680063801.X
申请日：2016-09-07
Applicant: 海德威科技公司
Abstract: 一种磁性穿隧接面(MTJ)，其中自由层具有与穿隧阻障层所形成的一个界面和与金属氧化物层所形成的第二界面，以促进其垂直磁各向异性(PMA)。一扩散阻障层形成在金属氧化物层与第二界面相对的一侧上，以防止硬罩幕或电极中的非磁性金属迁移到第二界面，并降低自由层的PMA。另一扩散阻障层可以形成在第二电极和参考层之间。扩散阻障层可以是SiN、TiN、TaN、Mo或CoFeX的单层，其中X是Zr、P、B或Ta，或者是如CoFeX/Mo的多层，其中CoFeX接触金属氧化物层，且Mo邻接硬罩幕。因此，在400℃30分钟的退火后，可以保持或增加MTJ中的矫顽力。
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公开(公告)号：CN108028315A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201680052700.2
申请日：2016-07-19
Applicant: 海德威科技公司
CPC classification number: H01L43/10 , G11C11/161 , H01F10/3272 , H01F10/3286 , H01F10/329 , H01F10/3295 , H01F41/307 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/12
Abstract: 一种磁性隧道结，其中参考层和自由层分别包括含硼量25‑50原子百分比的第一层和相邻的含硼量1‑20原子百分比的第二层。在自由层和参考层中的每一层，第一层和第二层中的一层接触隧道势垒层。每一含硼层具有0.1‑1纳米的厚度，并可以包括一个或多个硼层和一个或多个钴、铁、钴铁或钴铁硼层。因此，可防止非磁性金属沿着结晶边界迁移到隧道势垒层，且MTJ具有约10ppm的低缺陷量，同时，在退火到约400℃的温度之后保持可接受的TMR比率。含硼层选自钴硼、铁硼钴铁硼及其包括钴铁镍硼的合金。
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公开(公告)号：CN108475725A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201680068533.0
申请日：2016-10-24
Applicant: 海德威科技公司
Abstract: 本发明公开了一种可降低磁性装置的薄膜粗糙度的多层结构、一种磁性穿隧接面以及一种形成磁性穿隧接面的方法，其中，可降低磁性装置的薄膜粗糙度的多层结构，包括：(a)一第一层，其由具有一第一键能的材料所制成，并具有一第一表面，该第一表面具有一“刚沉积的”第一峰间粗糙度；以及(b)一上面的第二层，其为非晶或纳米晶，并由具有大于该第一键能的一第二键能的材料所制成，使得该上面的第二层的沉积导致该第一层的再溅镀，以得到具有一第二峰间粗糙度的一第二表面的一第一层，该第二峰间粗糙度小于该“刚沉积的”的第一峰间粗糙度，该上面的第二层形成于该第二表面上，该上面的第二层具有一第三表面，该第三表面具有该第二峰间粗糙度。
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公开(公告)号：CN107636762A
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201680028288.0
申请日：2016-03-25
Applicant: 海德威科技公司
IPC: G11C11/16 , G11C11/409 , H01L43/12 , G11C17/02 , G11C17/16 , G11C17/18 , G11C11/00 , G11C11/419 , H01L27/22
CPC classification number: G11C17/18 , G11C11/005 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/409 , G11C11/419 , G11C17/02 , G11C17/16 , G11C2213/71 , H01L27/228 , H01L43/12
Abstract: 一种集成电路，包含由多个磁性OTP存储单元所形成的磁性OTP存储器阵列，磁性OTP存储单元具有包含固定磁性层、隧道势垒绝缘层、自由磁性层和第二电极的MTJ堆叠。当跨越磁性OTP存储单元施加电压时，MTJ堆叠和栅控晶体管的电阻形成分压器，以在MTJ堆叠上施加大电压让隧道势垒层击穿，而使固定层短路于自由层。集成电路具有多个MRAM阵列，其被配置为使得多个MRAM阵列中的每一个的性能和密度标准匹配于基于MOS晶体管的存储器，包括SRAM、DRAM和闪存存储器。集成电路可包括与磁性OTP存储器阵列连接的功能逻辑单元和用于提供数字数据储存的MRAM阵列。
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