公开(公告)号：CN101145513B

公开(公告)日：2011-11-02

申请号：CN200710080093.3

申请日：2007-03-07

申请人： 海力士半导体有限公司

发明人： 郑载昌 ,  文承灿 ,  卜喆圭 ,  闵明子 ,  潘槿道 ,  林喜烈

IPC分类号： H01L21/027 ,  G03F7/00 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26

CPC分类号： G03F7/40 ,  G03F7/0035

摘要： 本发明公开一种形成半导体器件精细图案的方法，所述方法包括：在包含基层的半导体基板上形成第一光刻胶膜图案；将所述第一光刻胶膜图案曝光，以从所述第一光刻胶膜图案产生酸；将所述第一光刻胶膜图案漂白；以及在所述第一光刻胶膜图案之间形成第二光刻胶膜图案。

公开(公告)号：CN101145513A

公开(公告)日：2008-03-19

申请号：CN200710080093.3

申请日：2007-03-07

申请人： 海力士半导体有限公司

发明人： 郑载昌 ,  文承灿 ,  卜喆圭 ,  闵明子 ,  潘槿道 ,  林喜烈

IPC分类号： H01L21/027 ,  G03F7/00 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26

CPC分类号： G03F7/40 ,  G03F7/0035

摘要： 本发明公开一种形成半导体器件精细图案的方法，所述方法包括：在包含基层的半导体基板上形成第一光阻膜图案；将所述第一光阻膜图案曝光，以从所述第一光阻膜图案产生酸；将所述第一光阻膜图案漂白；以及在所述第一光阻膜图案之间形成第二光阻膜图案。