形成半导体器件的精细图案的方法

发明授权

CN101145513B 形成半导体器件的精细图案的方法失效 - 权利终止

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专利标题： 形成半导体器件的精细图案的方法
专利标题（英）： Method for forming fine pattern of semiconductor device
申请号： CN200710080093.3

申请日： 2007-03-07
公开(公告)号： CN101145513B

公开(公告)日： 2011-11-02
发明人: 郑载昌 , 文承灿 , 卜喆圭 , 闵明子 , 潘槿道 , 林喜烈
申请人： 海力士半导体有限公司
申请人地址： 韩国京畿道
专利权人： 海力士半导体有限公司
当前专利权人： 海力士半导体有限公司
当前专利权人地址： 韩国京畿道
代理机构： 北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理商 顾红霞; 张天舒
优先权： 10-2006-0087855 2006.09.12 KR
主分类号： H01L21/027
IPC分类号： H01L21/027 ; G03F7/00 ; G03F7/20 ; G03F7/26

摘要：

本发明公开一种形成半导体器件精细图案的方法，所述方法包括：在包含基层的半导体基板上形成第一光刻胶膜图案；将所述第一光刻胶膜图案曝光，以从所述第一光刻胶膜图案产生酸；将所述第一光刻胶膜图案漂白；以及在所述第一光刻胶膜图案之间形成第二光刻胶膜图案。

摘要（英）：

The present invention relates to a method for forming a fine pattern of a semiconductor device which includes forming a first photoresist film pattern over a semiconductor substrate including an underlying layer, exposing the first photoresist film pattern to generate an acid from the first photoresist film pattern, bleaching the first photoresist film pattern, and forming a second photoresist film pattern between the first photoresist patterns.

公开/授权文献

CN101145513A 形成半导体器件的精细图案的方法公开/授权日：2008-03-19

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/027	..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜