一种大面积单层单晶畴有机半导体单晶的制备方法

    公开(公告)号:CN118621448A

    公开(公告)日:2024-09-10

    申请号:CN202411099312.2

    申请日:2024-08-12

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明属于有机半导体技术领域,具体涉及一种大面积单层单晶畴有机半导体单晶的制备方法。所述方法包括:1)分别配制有机半导体溶液a和有机半导体溶液b;2)取基材分别进行亲溶剂处理和憎溶剂处理,得到亲溶剂基材和憎溶剂基材;3)对亲溶剂基材进行升温加热处理,同时对有机半导体溶液a和有机半导体溶液b或两者的混合溶液进行升温加热处理,以有机半导体溶液a和有机半导体溶液b或两者的混合溶液对叠放的亲溶剂基材和憎溶剂基材进行处理,固化后得到有机半导体单晶。本发明使用了两种双侧取代烷基链的有机半导体混合溶液,降低了成核密度,抑制了晶体多层生长的趋势,实现大面积单层单晶畴的生长。

    一种有机场效应晶体管及其制备方法

    公开(公告)号:CN116546824A

    公开(公告)日:2023-08-04

    申请号:CN202310477096.X

    申请日:2023-04-28

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明提供一种有机场效应晶体管及其制备方法,所述的有机场效应晶体管依次包括第一导电层、有机半导体层、绝缘层、第二导电层;所述的第一导电层由功函数4.5eV以上的导电材料构成;所述的有机半导体层由p型有机半导体单晶构成;所述的绝缘层由绝缘材料构成;所述的第二导电层由电导率大于1S/m的材料构成;所述的有机场效应晶体管同时满足:空穴迁移率μp≥0.5cm2V‑1s‑1,电子迁移率μn≥0.5cm2V‑1s‑1,且满足平衡系数B≤1,所述平衡系数B的计算公式为:B=|lg(μp/μn)|,所述的有机场效应晶体管表现出高且平衡的空穴迁移率和电子迁移率,在有机互补电路和发光晶体管等中具有很好的应用前景。

    一种基于逐步沉积法制备的高效三元有机太阳电池

    公开(公告)号:CN111883659A

    公开(公告)日:2020-11-03

    申请号:CN202010785164.5

    申请日:2020-08-06

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于逐步沉积法制备的高效三元有机太阳电池,它自下而上包括衬底、阳极、阳极修饰层、活性层、阴极修饰层和阴极,其中活性层为采用旋涂工艺在阳极修饰层上依次沉积一层宽带隙聚合物给体(PM6)薄膜与一层非富勒烯受体复合物(BO-4Cl和BTP-S2的混合物)薄膜。利用BTP-S2与PM6之间较差的相容性,以及旋涂工艺成膜时大的剪切力,可使活性层具有理想的P-i-N形貌结构,即在阳极修饰层界面处形成给体富相,阴极修饰层界面处形成受体富相,而中间是给体与受体均匀混合的本体异质结厚膜。因此,本发明所得的三元有机太阳电池,同时实现了光电流的高效产生与高效收集,PCE不仅高于相应的本体异质结三元电池,更获得了迄今为止有机太阳电池的最高效率(18.50%)。

    一种高效率的有机无机杂化太阳能电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN102779943A

    公开(公告)日:2012-11-14

    申请号:CN201210204641.X

    申请日:2012-06-20

    Applicant: 浙江大学

    CPC classification number: Y02E10/549 Y02P70/521

    Abstract: 本发明公开了一种高效率的有机—无机杂化太阳能电池及其制备方法。高效率的有机—无机杂化太阳能电池包括顺次相连的阴极、活性层、阳极修饰层、阳极、衬底;活性层为共轭聚合物与表面经过短碳链单硫醇修饰的CdSe量子点共混形成的复合膜。本发明将共轭聚合物与CdSe量子点的复合膜置于短碳链单硫醇的溶液中浸泡,使短碳链单硫醇有效置换掉CdSe量子点表面原有的长链配体,促进了CdSe量子点和共轭聚合物之间的光致电荷转移以及电子在量子点之间的传输,从而大幅提升了杂化太阳能电池的能量转换效率。同时,该方法简单易行,适用于大规模工业化生产。

    有机半导体单晶复合取向聚合物薄膜及制备方法、光电器件及应用

    公开(公告)号:CN116355361B

    公开(公告)日:2023-09-29

    申请号:CN202310256385.7

    申请日:2023-03-16

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种有机半导体单晶复合取向聚合物薄膜及制备方法、光电器件及应用,其中复合薄膜包括取向聚合物和有机半导体单晶,取向聚合物为有机聚合物沿单一方向排列而成的聚合物纤维,有机半导体单晶紧密包裹聚合物纤维。其中本发明还提供了复合薄膜的制备方法,包括通过空间限域和定向结晶方法制备取向聚合物薄膜,并在取向聚合物薄膜上通过溶液法生长有机半导体单晶。采用本发明提供的方法制备的复合薄膜,同时兼顾体异质结较大异质结界面面积和长程有序性,在保证激子高效解离的同时,实现高载流子迁移率和长激子扩散距离。与有机半导体单晶复合无序聚合物相比,通过聚合物取向进一步增加体系长程有序性,荧光寿命降低27%。

    有机单晶复合取向聚合物薄膜及制备方法、光电器件及应用

    公开(公告)号:CN116355361A

    公开(公告)日:2023-06-30

    申请号:CN202310256385.7

    申请日:2023-03-16

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种有机单晶复合取向聚合物薄膜及制备方法、光电器件及应用,其中复合薄膜包括取向聚合物和有机单晶,取向聚合物为有机聚合物沿单一方向排列而成的聚合物纤维,有机单晶紧密包裹聚合物纤维。其中本发明还提供了复合薄膜的制备方法,包括通过空间限域和定向结晶方法制备取向聚合物薄膜,并在取向聚合物薄膜上通过溶液法生长有机单晶。采用本发明提供的方法制备的复合薄膜,同时兼顾体异质结较大异质结界面面积和长程有序性,在保证激子高效解离的同时,实现高载流子迁移率和长激子扩散距离。与有机单晶复合无序聚合物相比,通过聚合物取向进一步增加体系长程有序性,荧光寿命降低27%。

    一种大面积单层单晶畴有机半导体单晶的制备方法

    公开(公告)号:CN118621448B

    公开(公告)日:2025-02-07

    申请号:CN202411099312.2

    申请日:2024-08-12

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明属于有机半导体技术领域,具体涉及一种大面积单层单晶畴有机半导体单晶的制备方法。所述方法包括:1)分别配制有机半导体溶液a和有机半导体溶液b;2)取基材分别进行亲溶剂处理和憎溶剂处理,得到亲溶剂基材和憎溶剂基材;3)对亲溶剂基材进行升温加热处理,同时对有机半导体溶液a和有机半导体溶液b或两者的混合溶液进行升温加热处理,以有机半导体溶液a和有机半导体溶液b或两者的混合溶液对叠放的亲溶剂基材和憎溶剂基材进行处理,固化后得到有机半导体单晶。本发明使用了两种双侧取代烷基链的有机半导体混合溶液,降低了成核密度,抑制了晶体多层生长的趋势,实现大面积单层单晶畴的生长。

    一种富勒烯单晶薄膜及其制备方法和用途

    公开(公告)号:CN116732610B

    公开(公告)日:2024-03-12

    申请号:CN202310815204.X

    申请日:2023-07-05

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明涉及有机半导体技术领域,特别是涉及一种富勒烯单晶薄膜及其制备方法和用途。一种利用气液固三相界面制备富勒烯单晶薄膜的方法,包括如下步骤:1)富勒烯和溶剂混合,形成混合液;2)采用溶液剪切法使所述混合液中的富勒烯在基底表面结晶生长,获得所述的富勒烯单晶薄膜。本发明通过直接调控三相线处富勒烯的成核密度,并利用三相线的连续移动制备大面积的富勒烯单晶薄膜,其具有取向均一、均匀度高、覆盖率高的优点,此外,具有优异的电子传输性能,能满足光电领域的应用需求。

    一种单一晶畴且分子层数均一的有机单晶活性层及高均一性半导体器件阵列的制备

    公开(公告)号:CN116685180A

    公开(公告)日:2023-09-01

    申请号:CN202310605645.7

    申请日:2023-05-26

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种单一晶畴且分子层数均一的有机单晶的制备方法,以及一种将其无损地制备成高均一性电路器件阵列的工艺流程。该制备方法通过精确调控基底与剪切工具的温度、半导体溶液浓度以及剪切速率,使得有机半导体小分子能够实现稳定的成核与生长;所得的单一晶畴且分子层数均一的有机单晶活性层,具有大面积、高性能、高均一度的特征。在此基础上,本发明提出一种无损单晶活性层的器件制备工艺,实现高均一性的有机单晶晶体管阵列和电路器件阵列的制备,为有机电路的小型化、柔性化、高性能应用提供保障。

Patent Agency Ranking