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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116546824A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310477096.X
申请日：2023-04-28
Applicant: 浙江大学
IPC: H10K10/46 , H10K10/84 , H10K71/00 , H10K101/30 , H10K101/40
Abstract: 本发明提供一种有机场效应晶体管及其制备方法，所述的有机场效应晶体管依次包括第一导电层、有机半导体层、绝缘层、第二导电层；所述的第一导电层由功函数4.5eV以上的导电材料构成；所述的有机半导体层由p型有机半导体单晶构成；所述的绝缘层由绝缘材料构成；所述的第二导电层由电导率大于1S/m的材料构成；所述的有机场效应晶体管同时满足：空穴迁移率μp≥0.5cm2V‑1s‑1，电子迁移率μn≥0.5cm2V‑1s‑1，且满足平衡系数B≤1，所述平衡系数B的计算公式为：B＝|lg(μp/μn)|，所述的有机场效应晶体管表现出高且平衡的空穴迁移率和电子迁移率，在有机互补电路和发光晶体管等中具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN113439347A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202080003261.2
申请日：2020-12-05
Applicant: 浙江大学
Abstract: 有机单晶异质结复合膜是由双层或多层有机半导体单晶薄膜堆叠在一起构成。所述的有机单晶异质结复合膜中至少有两层相邻的有机单晶薄膜之间具有高效贴合性。有机单晶异质结复合膜具有分子排列高度有序、本体缺陷少、载流子在单晶层中传输快、激子传输距离长、可以实现光电功能集成和柔性制备等优点。一种有机单晶异质结复合膜的生长方法，制备得到了高质量的有机单晶异质结复合膜，在传感器、光电探测器、太阳能电池、显示器、记忆存储器、互补电路等领域有着广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN113439347B
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202080003261.2
申请日：2020-12-05
Applicant: 浙江大学
Abstract: 有机单晶异质结复合膜是由双层或多层有机半导体单晶薄膜堆叠在一起构成。所述的有机单晶异质结复合膜中至少有两层相邻的有机单晶薄膜之间具有高效贴合性。有机单晶异质结复合膜具有分子排列高度有序、本体缺陷少、载流子在单晶层中传输快、激子传输距离长、可以实现光电功能集成和柔性制备等优点。一种有机单晶异质结复合膜的生长方法，制备得到了高质量的有机单晶异质结复合膜，在传感器、光电探测器、太阳能电池、显示器、记忆存储器、互补电路等领域有着广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN112531111B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202010172053.7
申请日：2020-03-12
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开一种有机单晶半导体结构及其制备方法，所述的有机单晶半导体结构包括衬底，自下而上沉积在衬底上的辅助生长层、电极、有机单晶半导体层；所述的有机单晶半导体层为跨越电极前后形貌基本不变的的有机半导体单晶薄膜，所述的有机半导体单晶薄膜能够在任意形状和任意尺寸的底接触型衬底上实现全覆盖，获得了在工业化规模上近乎理想的形貌。该有机单晶半导体结构可以用作有机场效应晶体管的关键部分，实现载流子的快速传输。本发明在该半导体结构的基础上，还提供一种制备方便、性能高效的有机场效应晶体管器件，在有机光电领域有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN112531111A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202010172053.7
申请日：2020-03-12
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开一种有机单晶半导体结构及其制备方法，所述的有机单晶半导体结构包括衬底，自下而上沉积在衬底上的辅助生长层、电极、有机单晶半导体层；所述的有机单晶半导体层为跨越电极前后形貌基本不变的的有机半导体单晶薄膜，所述的有机半导体单晶薄膜能够在任意形状和任意尺寸的底接触型衬底上实现全覆盖，获得了在工业化规模上近乎理想的形貌。该有机单晶半导体结构可以用作有机场效应晶体管的关键部分，实现载流子的快速传输。本发明在该半导体结构的基础上，还提供一种制备方便、性能高效的有机场效应晶体管器件，在有机光电领域有良好的应用前景。
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