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公开(公告)号：CN118621448B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411099312.2
申请日：2024-08-12
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明属于有机半导体技术领域，具体涉及一种大面积单层单晶畴有机半导体单晶的制备方法。所述方法包括：1）分别配制有机半导体溶液a和有机半导体溶液b；2）取基材分别进行亲溶剂处理和憎溶剂处理，得到亲溶剂基材和憎溶剂基材；3）对亲溶剂基材进行升温加热处理，同时对有机半导体溶液a和有机半导体溶液b或两者的混合溶液进行升温加热处理，以有机半导体溶液a和有机半导体溶液b或两者的混合溶液对叠放的亲溶剂基材和憎溶剂基材进行处理，固化后得到有机半导体单晶。本发明使用了两种双侧取代烷基链的有机半导体混合溶液，降低了成核密度，抑制了晶体多层生长的趋势，实现大面积单层单晶畴的生长。
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公开(公告)号：CN118621448A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202411099312.2
申请日：2024-08-12
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明属于有机半导体技术领域，具体涉及一种大面积单层单晶畴有机半导体单晶的制备方法。所述方法包括：1）分别配制有机半导体溶液a和有机半导体溶液b；2）取基材分别进行亲溶剂处理和憎溶剂处理，得到亲溶剂基材和憎溶剂基材；3）对亲溶剂基材进行升温加热处理，同时对有机半导体溶液a和有机半导体溶液b或两者的混合溶液进行升温加热处理，以有机半导体溶液a和有机半导体溶液b或两者的混合溶液对叠放的亲溶剂基材和憎溶剂基材进行处理，固化后得到有机半导体单晶。本发明使用了两种双侧取代烷基链的有机半导体混合溶液，降低了成核密度，抑制了晶体多层生长的趋势，实现大面积单层单晶畴的生长。
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