公开(公告)号：CN116732610B

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN202310815204.X

申请日：2023-07-05

Applicant: 浙江大学

Inventor： 李寒莹 ,  赵裕杰 ,  彭博宇

IPC: C30B29/02 ,  C30B7/00 ,  H10K10/46 ,  H10K85/20

Abstract: 本发明涉及有机半导体技术领域，特别是涉及一种富勒烯单晶薄膜及其制备方法和用途。一种利用气液固三相界面制备富勒烯单晶薄膜的方法，包括如下步骤：1)富勒烯和溶剂混合，形成混合液；2)采用溶液剪切法使所述混合液中的富勒烯在基底表面结晶生长，获得所述的富勒烯单晶薄膜。本发明通过直接调控三相线处富勒烯的成核密度，并利用三相线的连续移动制备大面积的富勒烯单晶薄膜，其具有取向均一、均匀度高、覆盖率高的优点，此外，具有优异的电子传输性能，能满足光电领域的应用需求。

公开(公告)号：CN116732610A

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202310815204.X

申请日：2023-07-05

Applicant: 浙江大学

Inventor： 李寒莹 ,  赵裕杰 ,  彭博宇

IPC: C30B29/02 ,  C30B7/00 ,  H10K10/46 ,  H10K85/20

Abstract: 本发明涉及有机半导体技术领域，特别是涉及一种富勒烯单晶薄膜及其制备方法和用途。一种利用气液固三相界面制备富勒烯单晶薄膜的方法，包括如下步骤：1)富勒烯和溶剂混合，形成混合液；2)采用溶液剪切法使所述混合液中的富勒烯在基底表面结晶生长，获得所述的富勒烯单晶薄膜。本发明通过直接调控三相线处富勒烯的成核密度，并利用三相线的连续移动制备大面积的富勒烯单晶薄膜，其具有取向均一、均匀度高、覆盖率高的优点，此外，具有优异的电子传输性能，能满足光电领域的应用需求。