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公开(公告)号：CN118694251A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410762028.2
申请日：2024-06-13
Applicant: 浙江大学 , 浙江大学先进电气装备创新中心
IPC: H02P21/22 , H02P21/00 , H02P25/022
Abstract: 本发明公开了一种基于MCU的永磁同步电机电流环优化控制方法，属于电力电子及电机控制领域。以永磁同步电机电流环为对象，将提升电流环带宽、改善电流环动态性能为控制目标，设置控制周期与PWM载波周期的比值为1：m，m≥4；采用电流过采样与即时PWM更新机制，在每个控制周期执行一次模拟数字转换器采样，并基于上一控制周期的PWM信号比较值完成电流环控制，更新PWM信号的比较值；在每一个PWM载波周期内重复执行m次模拟数字转换器采样与PWM信号比较值更新过程。本发明能够有效削减电流采样计算与PWM比较值更新的延时时间，提高PMSM伺服驱动系统电流环带宽及控制精度，保证系统良好的转矩控制能力和电流跟踪性能。
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公开(公告)号：CN119300451B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202411796355.6
申请日：2024-12-09
Applicant: 浙江大学
IPC: H10D64/64 , H10D8/60 , H01L21/285
Abstract: 本发明公开了一种基于平面型背靠背镍硅锗肖特基结的开关器件及制备方法。该开关器件具有一包括底层硅、埋氧层及顶层硅的SOI衬底，埋氧层上的顶层硅经过减薄刻蚀处理后，内部通过退火形成两块分离的NiSi1‑xGex合金，两块NiSi1‑xGex合金与减薄后的顶层硅形成平面型背靠背肖特基结，NiSi1‑xGex合金上方设有金属接触电极。当施加电压于金属接触电极时，两背靠背肖特基结界面处势垒受到界面态影响，能带发生不同变化，此时电流由其中反向偏置结的不饱和电流控制，两边不对称的势垒高度受到硅锗组分的影响，内部没有复合电荷，接触电阻小，具有较快的反应速度，载流子在界面处与缺陷的交换现象更快，从而得到高频变化开关器件。
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公开(公告)号：CN119815963A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411751677.9
申请日：2024-12-02
Applicant: 浙江大学绍兴研究院
IPC: H10F71/00 , H10F30/225 , H10F77/30
Abstract: 本发明公开了高灵敏度单光子雪崩探测器及其制造方法，方法包括步骤S1：绝缘体上锗衬底；步骤S2：形成深N阱区域和形成深P阱区域；步骤S3：围绕倍增区域并由内向外依次形成深沟槽；步骤S4：在深P阱区域中进行离子注入，从而形成雪崩N+型区域和雪崩P+型区域；步骤S5：形成电极接触P++区域；步骤S6：形成电极接触N++区域；步骤S7：形成第一金属电极和形成第二金属电极。本发明公开的高灵敏度单光子雪崩探测器及其制造方法，采用锗衬底制备场效应晶体管作为光电探测器，其工作电压低，探测灵敏度高，低工作电压对于简化偏置电路、扩展其应用领域、节能能耗等方面具有重要意义。
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公开(公告)号：CN119628829A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411654188.1
申请日：2024-11-19
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 浙江大学
Abstract: 本公开涉及信息安全技术领域，具体涉及一种产生真随机数的光外差熵源、制作方法、芯片及系统，所述产生真随机数的光外差熵源包括：沿第一光路设置的第一可调谐激光器，第一光分束器以及第一光电探测器；沿第二光路设置的第二可调谐激光器，第二光分束器以及第二光电探测器；光耦合器；其中，所述第一光分束器将第一可调谐激光器产生的第一光信号分为两路，其中一路导入所述光耦合器中，所述第二可调谐激光器产生的第二光信号导入所述光耦合器中，所述光耦合器输出拍频信号，依次经所述第二光分束器以及第二光电探测器输出。上述技术方案中实现了双激光器的差频信号与自身相位噪声信号的叠加，从而提高了生成随机数的速率。
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公开(公告)号：CN119584713A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411703626.9
申请日：2024-11-26
Applicant: 浙江大学绍兴研究院
IPC: H10F77/30 , H10F30/223 , H10F71/00
Abstract: 本发明公开了基于PIN结和ITO薄膜的光电探测器件及其制造方法，基于PIN结和ITO薄膜的光电探测器件，包括PIN结构模块和ITO薄膜，所述PIN结构模块包括p型轻掺杂的硅衬底，所述硅衬底上设有重掺杂的p区和重掺杂的n区，p区和n区用于光电探测区域；所述硅衬底的上表面设置二氧化硅绝缘层，所述二氧化硅绝缘层上覆盖有所述ITO薄膜。本发明公开的基于PIN结和ITO薄膜的光电探测器件及其制造方法，利用ITO薄膜的滤光性和PIN结构模块的光电感效应来实现对符合光的选择探测性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119478425A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202510052649.6
申请日：2025-01-14
Applicant: 浙江大学
IPC: G06V10/26 , G06V10/46 , G06V10/82 , G06N3/0455 , G06N3/0464
Abstract: 本发明公开了一种基于SIFT算法的口腔图像分割方法、装置及介质，该方法包括：采集包含口腔黏膜疾病的口腔图像数据集；对尺度不变特征变换算法进行学习，并输出关于口腔图像数据的像素级SIFT描述符向量；将像素级SIFT描述符向量输入至Unet网络中，并输出对应的分割结果，构建得到基于SIFT的Unet语义分割模型；利用基于SIFT的Unet语义分割模型对指定的口腔图像数据进行分割处理。本发明采用尺度不变特征变换算法对口腔图像数据中的每一像素计算局部特征描述符，再结合Unet网络来实现对多种口腔黏膜疾病病灶区域的像素级分割，如此可以提高对于口腔图像的分割精度，解决口腔黏膜疾病图像病灶分割问题。
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公开(公告)号：CN118136680B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410553699.8
申请日：2024-05-07
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 浙江大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L21/28 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，提供一种双载流子LDMOS器件及制造方法。包括：衬底、埋氧化层、N型漂移区、正栅极、P型源区、P型漏区、P型体区、N型源区、N型漏区及背栅极，埋氧化层形成于衬底的上表面，P型源区的底部与N型漂移区及埋氧化层相接，P型漏区的底部与N型漂移区及埋氧化层相接，N型源区与P型体区相接，N型漏区与N型漂移区相接。P型源区、P型漏区、N型漂移区及背栅极组成PLDMOS结构，使N型漂移区的底部形成P型沟道；N型源区、N型漏区、N型漂移区、P型体区及正栅极组成NLDMOS结构，使P型体区的表面形成N型沟道。本发明同时利用P型沟道中空穴和N型沟道中电子的流动，降低器件的比导通电阻。
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公开(公告)号：CN118136679A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410553698.3
申请日：2024-05-07
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 浙江大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/15 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，提供一种基于异质结二维电子气的双栅LDMOS器件及制造方法。所述器件包括：衬底、漂移区、体区、源区及漏区，还包括：超晶格薄层、栅氧化层、正栅极及背栅极。超晶格薄层形成于衬底的上表面，漂移区和体区形成于超晶格薄层的表面，源区与体区相接并延伸至衬底与超晶格薄层的一端相接，漏区与漂移区相接并延伸至衬底与超晶格薄层的另一端相接。源区、体区、栅氧化层、正栅极及漏区组成MOSFET结构，使体区表面和漂移区表面形成第一导电沟道；体区与超晶格薄层、衬底及背栅极组成HEMT结构，超晶格薄层的异质结界面形成二维电子气作为第二导电沟道。本发明通过双导电沟道，降低器件的比导通电阻。
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公开(公告)号：CN117931129A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311847112.6
申请日：2023-12-28
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: G06F7/58
Abstract: 本发明公开了一种基于多重熵源的真随机数发生器及其应用，涉及信息安全技术领域。本发明结合随机噪声和竞争冒险两种物理现象作为随机数的来源，将变化的电流噪声信号转化为电压噪声信号，将该信号接入放大器，产生随机的高低电平，经过锁存器处理得到初始随机序列，实现高混乱程度的随机数生成。本发明采用多重熵源设计真随机数发生器具有混乱程度高、鲁棒性强，不需要复杂后处理电路等优点，同时敏感放大器的使用能很好的提高随机序列吞吐量且降低能耗。因此，本发明真随机数生成器在密码学、模拟计算、仿真等多个领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN117931128A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311804072.7
申请日：2023-12-26
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: G06F7/58
Abstract: 本发明公开了一种基于硅PN结的真随机数发生器及其应用，涉及信息安全领域。所述真随机数发生器包括4个硅PN结，每个硅PN结包括作为基底的N型硅和位于N型硅上的一层P型硅，4个硅PN结以交流整流电桥的方式连接，其中一对桥臂的连接点用于接电源，另一对桥臂的连接点接输出检测电路，所述输出检测电路包括电压比较器，所述电压比较器输出的脉冲作为随机数的采样信号。本发明基于硅PN结的真随机数发生器与其他真随机数发生器相比，设计简洁，制作成本低，而且能生成随机性指标较好的随机数序列。
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