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公开(公告)号：CN119815963A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411751677.9
申请日：2024-12-02
Applicant: 浙江大学绍兴研究院
IPC: H10F71/00 , H10F30/225 , H10F77/30
Abstract: 本发明公开了高灵敏度单光子雪崩探测器及其制造方法，方法包括步骤S1：绝缘体上锗衬底；步骤S2：形成深N阱区域和形成深P阱区域；步骤S3：围绕倍增区域并由内向外依次形成深沟槽；步骤S4：在深P阱区域中进行离子注入，从而形成雪崩N+型区域和雪崩P+型区域；步骤S5：形成电极接触P++区域；步骤S6：形成电极接触N++区域；步骤S7：形成第一金属电极和形成第二金属电极。本发明公开的高灵敏度单光子雪崩探测器及其制造方法，采用锗衬底制备场效应晶体管作为光电探测器，其工作电压低，探测灵敏度高，低工作电压对于简化偏置电路、扩展其应用领域、节能能耗等方面具有重要意义。
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