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    一种集成电路封装用BGA锡球的材料配方及熔炼工艺
    2.
    发明公开
    一种集成电路封装用BGA锡球的材料配方及熔炼工艺 无效

    公开(公告)号：CN111705239A

    公开(公告)日：2020-09-25

    申请号：CN202010597054.6

    申请日：2020-06-29

    申请人： 泰安晶品新材料科技有限公司

    发明人： 唐坤 ,  王广欣 ,  马庆 ,  王要利 ,  王钰森

    IPC分类号： C22C13/00 ,  C22C1/02 ,  H01L23/498

    摘要： 本发明公开了一种集成电路封装用BGA锡球的材料配方及熔炼工艺，包括材料配方中合金成分配比为：96～96.5％锡，3％Ag，0.5％Cu，0.1％～0.5Re。材料配方中添加的保护剂为KCl、LiCl混合保护剂；熔炼工艺具体步骤为：Step.1：一种集成电路封装用BGA锡球的熔炼工艺中合金成分配置；Step.2：一种集成电路封装用BGA锡球的熔炼工艺中称重及熔炼；Step.3：一种集成电路封装用BGA锡球的熔炼工艺添加保护剂；Step.4：熔炼工艺中融化合金及加入稀土；所述Step.4操作：为打开箱式电阻炉并设定温度260度，温度达到后260度后，将坩埚放入箱式电阻炉保温至坩埚内金属完全融化，将称量后的稀土快速加入熔融合金中并用搅拌均匀。Step.5：合金冷却及后处理。

    一种基于射流不稳定原理的BGA锡球制备装置及制备工艺
    3.
    发明公开
    一种基于射流不稳定原理的BGA锡球制备装置及制备工艺 无效

    公开(公告)号：CN111558724A

    公开(公告)日：2020-08-21

    申请号：CN202010602426.X

    申请日：2020-06-29

    申请人： 泰安晶品新材料科技有限公司

    发明人： 唐坤 ,  王广欣 ,  马庆 ,  王要利 ,  王钰森

    IPC分类号： B22F9/08 ,  B22F1/00

    摘要： 本发明涉及一种基于射流不稳定原理的BGA锡球制备装置及制备工艺。本发明采用射流断裂法，使熔融的金属通过喷嘴产生金属射流，控制流速使射流保持层流状态，以一定频率的机械振动作用于射流，当振动频率、振幅与喷嘴直径等工艺参数相匹配时，射流会断裂为均匀的金属液滴。本发明步骤简单，易于实现自动控制，流程短，生产成本很低，获得的金属颗粒尺寸均匀，真球度高，是最有发展前景的精密焊球产业化制备方法。