- 专利标题： 一种基于射流断裂法制备BGA锡球的参数推导方法
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申请号： CN202010597055.0申请日： 2020-06-29
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公开(公告)号： CN111723333A公开(公告)日： 2020-09-29
- 发明人: 唐坤 , 王广欣 , 马庆 , 王要利 , 王钰森
- 申请人： 泰安晶品新材料科技有限公司
- 申请人地址： 山东省泰安市高新区泰山科技城B区11号楼西单元
- 专利权人： 泰安晶品新材料科技有限公司
- 当前专利权人： 泰安晶品新材料科技有限公司
- 当前专利权人地址： 山东省泰安市高新区泰山科技城B区11号楼西单元
- 主分类号： G06F17/11
- IPC分类号： G06F17/11 ; B22F9/08 ; G06F17/15 ; H01L21/48
摘要：
本发明涉及一种基于射流断裂法制备BGA锡球的参数推导方法。本发明推导出制备锡球过程中设备的挠动频率、射流压强、射流速度之间的关系，为BGA锡球生产过程提供了理论指导，能够在一定程度上解决BGA球的成球率和直径分布的问题，提高生产BGA锡球的成球率和合格率，为行业的快速发展提供理论依据。
公开/授权文献
- CN111723333B 一种基于射流断裂法制备BGA锡球的参数推导方法 公开/授权日：2024-08-13
