本发明公开了一种集成电路封装用BGA锡球的材料配方及熔炼工艺，包括材料配方中合金成分配比为：96～96.5％锡，3％Ag，0.5％Cu，0.1％～0.5Re。材料配方中添加的保护剂为KCl、LiCl混合保护剂；熔炼工艺具体步骤为：Step.1：一种集成电路封装用BGA锡球的熔炼工艺中合金成分配置；Step.2：一种集成电路封装用BGA锡球的熔炼工艺中称重及熔炼；Step.3：一种集成电路封装用BGA锡球的熔炼工艺添加保护剂；Step.4：熔炼工艺中融化合金及加入稀土；所述Step.4操作：为打开箱式电阻炉并设定温度260度，温度达到后260度后，将坩埚放入箱式电阻炉保温至坩埚内金属完全融化，将称量后的稀土快速加入熔融合金中并用搅拌均匀。Step.5：合金冷却及后处理。