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公开(公告)号：CN119433266A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411698529.5
申请日：2024-11-26
Applicant: 河南科技大学
IPC: C22C1/047 , B22F9/22 , B22F9/02 , B22F3/04 , B22F3/14 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , B22F3/23 , C22C27/04 , C22C1/059 , B22F1/07
Abstract: 本发明涉及一种微纳多尺度构型的钼合金复合粉体及钼合金的制备方法，将MoO2粉、Ti3Al、TiC进行混合研磨、喷雾干燥，得到前驱复合粉体，将该前驱复合粉体进行高温还原，得到微纳多尺度构型的钼合金复合粉体，随后进行冷等静压压坯，然后在高温下进行真空热压烧结，得到微纳多尺度构型的钼合金烧结坯料。本发明引入层状二次相，二次相在粉体还原过程中为钼颗粒提供了限域生长空间，有效降低了粉体粒径，获得微纳多尺度构型的钼合金复合粉体，纳米钼颗粒在高温烧结过程中优先熔化，促进烧结致密化，提升了二次相与基体的界面结合关系，得到的钼合金烧结坯料结构组织更均匀，提高了钼合金的再结晶温度，显著提升了钼合金在超高温度下的强度。
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公开(公告)号：CN119433261A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411698701.7
申请日：2024-11-26
Applicant: 河南科技大学 , 栾川龙宇钼业有限公司
IPC: C22C1/04 , B22F5/00 , B22F9/22 , B22F3/04 , B22F3/15 , B22F3/10 , B22F3/18 , B22F3/24 , C22F1/18 , C22F1/02 , C22C27/04 , C22C1/10
Abstract: 本发明涉及一种抑制晶粒异常长大的含有二氧化锆增强相的钼铼合金及其制备工艺，将二钼酸铵、铼酸铵和水在高温下溶解，然后加入氢氧化锆混合均匀后真空干燥，得到的前驱复合粉体进行两段氢气还原，还原后得到的氧化锆增强钼铼复合粉体经过冷等静压压坯、无压烧结、热等静压压制得到氧化锆强化钼铼合金，再经过高温轧制和再结晶退火处理，得到含有ZrO2增强相的钼铼合金。本发明采用液相掺杂实现了钼和铼原子级别混合，ZrO2的添加使钼铼合金显微组织更均匀细小，再结晶温度提升，减缓了钼铼合金烧结晶粒异常长大的现象。通过优化退火工艺，调控退火方式，使晶粒重排形成更均匀的微观结构，进一步抑制了晶粒异常长大，提高了钼铼合金的高温抗拉强度和延伸率。
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公开(公告)号：CN116240423B
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202310147414.6
申请日：2023-02-22
Applicant: 河南科技大学
Abstract: 具有高密度孪晶与低失配度析出相的铜合金，包括以下质量百分比的组分：1.0~1.5%的Ni，0.7~1.2%的Co，0.45~0.65%的Si，余量为铜；该铜合金中含有25~35%体积的高密度纳米级孪晶，铜合金中还均匀分布有粒径为2‑5 nm的纳米级析出相，且析出相和铜基体界面具有0.5‑0.75%的失配度。本发明所制备的铜合金，通过优化合金中四种元素的配比关系，充分综合发挥了铜、镍、钴和硅四种材料的优势，避免了成品铜合金材料中元素偏析等问题的发生，并使高密度纳米孪晶和低失配度析出相同时存在于合金基体中，使得成品铜合金的抗拉强度、导电率和延伸率得到同步显著提升，具有优异的综合性能。
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公开(公告)号：CN115874080A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211609632.9
申请日：2022-12-14
Applicant: 河南科技大学
Abstract: 本发明公开了一种铜基合金材料及其制备方法和应用，其基体相为铜；增强相为镍、锡、铬以及钛；以质量百分数计，其中钛含量为0.35％～0.75％，镍、锡与铬的含量之比为10:9:3；且0.3％≤Cr＜Sn＜Ni≤1％；具体的，以质量百分数计，包括1％的Ni，0.9％的Sn，0.35％～0.75％的Ti，0.3％的Cr，余量为Cu和不可避免的杂质；本发明以固溶的方式在铜基体中加入一种或多种其它合金元素，形成过饱和固溶体，通过时效处理，将溶解在铜基体中的合金元素与基体结合，以化合物的形式析出，从而增强铜基体，通过位错和晶界，提高铜合金的强度和导电性能。
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公开(公告)号：CN113266647A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110692481.7
申请日：2021-06-22
Applicant: 河南科技大学
Abstract: 一种高速电机用高耐蚀性绝缘轴承，该环状绝缘轴承的内圆周表面和外圆周表面均加工有复合绝缘涂层，复合绝缘涂层包括金属过渡层、陶瓷绝缘层和高分子封闭层，金属过渡层由95wt%的Cu和5wt%的Al喷涂而成，陶瓷绝缘层由混配粉末和混配粉末质量0.3%的醋酸纤维素粘结剂混合后喷涂而成，混配粉末包括50‑65wt%的α‑Al2O3、34.5‑49.8wt%的SiO2和0.2‑0.5wt%的Y2O3，高分子封闭层的原料为醇酸树脂改性有机硅浸渍漆和稀释剂。本发明的绝缘轴承表面加工有结合强度高、韧性强、不易剥落，温度适应范围宽，致密度高，且成本低廉的高性能复合绝缘涂层，让滚动轴承具有更高的绝缘性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119553127A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411698887.6
申请日：2024-11-26
Applicant: 河南科技大学 , 栾川龙宇钼业有限公司
IPC: C22C1/059 , B22F9/22 , B22F5/00 , B22F3/04 , B22F3/10 , B22F3/15 , B22F3/18 , B22F3/24 , C22F1/02 , C22F1/18 , C22C27/04 , B23K15/06 , B21C37/02
Abstract: 本发明涉及一种易焊接钼铼合金及其制备工艺，将四钼酸铵、Re粉、ZrC粉混合均匀后进行煅烧，随后进行氢还原，得到合金复合粉体，将合金复合粉体依次进行冷等静压压坯、无压烧结、热等静压烧结、高温轧制、退火，得到高致密易焊接钼铼合金板。本发明在钼铼合金中添加ZrC颗粒，制备的钼铼碳化锆复合粉体颗粒呈亚微米近球形，有效提高了粉体烧结活性，二次相碳化锆的引入有效阻碍烧结过程中晶粒长大，能细化晶粒。碳化锆弥散分布于高致密易焊接钼铼合金基体中，焊接过程中，碳化锆可以吸收合金晶界处的氧，净化晶界，原位自生氧化锆，抑制焊接过程中晶粒快速长大而发生再结晶脆化，可有效提高钼铼合金的强度和塑韧性，提高钼铼合金的焊接性能。
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公开(公告)号：CN119433263A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411702118.9
申请日：2024-11-26
Applicant: 河南科技大学
Abstract: 本发明涉及一种具有高密度位错的耐高温钼铼合金及其制备工艺，将二氧化钼粉体、Re粉、Ti粉、C粉和Al粉球磨混合得到前驱钼铼复合粉体，经两段氢还原得到钼铼合金复合粉体，然后进行冷等静压压制和无压烧结后进行高温大变形旋锻，最终得到具有高密度位错的耐高温钼铼合金。本发明通过引入二次相增加了合金基体的位错密度，提高了钼铼合金的再结晶温度，实现了钼铼合金的超高温大变形旋锻，通过高温大变形旋锻进一步引入高密度位错，提高了钼铼合金的高温抗拉强度，同时改善了钼铼合金的塑性和韧性，为钼铼合金在更极端环境下的应用提供了更广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN115874080B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202211609632.9
申请日：2022-12-14
Applicant: 河南科技大学
Abstract: 本发明公开了一种铜基合金材料及其制备方法和应用，其基体相为铜；增强相为镍、锡、铬以及钛；以质量百分数计，其中钛含量为0.35％～0.75％，镍、锡与铬的含量之比为10:9:3；且0.3％≤Cr＜Sn＜Ni≤1％；具体的，以质量百分数计，包括1％的Ni，0.9％的Sn，0.35％～0.75％的Ti，0.3％的Cr，余量为Cu和不可避免的杂质；本发明以固溶的方式在铜基体中加入一种或多种其它合金元素，形成过饱和固溶体，通过时效处理，将溶解在铜基体中的合金元素与基体结合，以化合物的形式析出，从而增强铜基体，通过位错和晶界，提高铜合金的强度和导电性能。
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公开(公告)号：CN116240423A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310147414.6
申请日：2023-02-22
Applicant: 河南科技大学
Abstract: 具有高密度孪晶与低失配度析出相的铜合金，包括以下质量百分比的组分：1.0~1.5%的Ni，0.7~1.2%的Co，0.45~0.65%的Si，余量为铜；该铜合金中含有25~35%体积的高密度纳米级孪晶，铜合金中还均匀分布有粒径为2‑5 nm的纳米级析出相，且析出相和铜基体界面具有0.5‑0.75%的失配度。本发明所制备的铜合金，通过优化合金中四种元素的配比关系，充分综合发挥了铜、镍、钴和硅四种材料的优势，避免了成品铜合金材料中元素偏析等问题的发生，并使高密度纳米孪晶和低失配度析出相同时存在于合金基体中，使得成品铜合金的抗拉强度、导电率和延伸率得到同步显著提升，具有优异的综合性能。
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公开(公告)号：CN112216532B
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202010896206.2
申请日：2020-08-31
Applicant: 河南科技大学
Inventor： 张毅 , 周孟 , 安俊超 , 李丽华 , 田保红 , 宋克兴 , 万欣娣 , 王智勇 , 贾延琳 , 李旭 , 刘勇 , 付明 , 张晓辉 , 王冰洁 , 耿永峰 , 班宜杰 , 张鹏飞 , 梁胜利
IPC: H01H1/021 , H01H1/025 , C01B32/198 , C22C1/05 , C22C9/00
Abstract: 纳米氧化石墨烯原位强化型铜铬电触头材料的制备方法，先利用改进的Hummers法制备氧化石墨烯纳米片，再将铜粉、铬粉混合均匀，之后对氧化石墨烯纳米片进行超声分散，将混合好的金属粉末转移至超声分散后的氧化石墨烯悬浮液中进行机械搅拌，混合均匀后进行真空冷冻干燥，最后通过真空热压烧结制得。本发明通过在铜铬混合金属粉末中加入自制的氧化石墨烯纳米片进行真空热压烧结，高温下氧化石墨烯转化为还原氧化石墨烯，克服了石墨烯与铜基体亲和力差、界面结合力差、氧化石墨烯导电能力差的问题，而且在烧结过程中石墨烯/金属界面处原位形成了纳米碳化物，提高了电触头材料的综合性能。方法本身工艺简单，能耗少，性能改善显著。
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