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公开(公告)号：CN115458428B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202211183346.0
申请日：2022-09-27
Applicant: 河北同光半导体股份有限公司
Abstract: 一种提升时效的碳化硅晶圆清洗检测方法，涉及碳化硅晶圆加工清洗检测技术领域，其能够将晶圆等级及时分类，减少药液耗量、以及人工和动力，有效节约成本。所述提升时效的碳化硅晶圆清洗检测方法，包括以下步骤：表层去污清洗：先去除晶圆表面多种有机物和无机物，再去除表面残留药液和颗粒，最后去除表面的金属离子；初级筛选：将宏观不合格崩边和/或六角孔洞，作降级处理，不再进入下一环节；RCA常规清洗：采用SC1清洗液30～80℃浸透清洗，使用去离子水冲洗，采用SC2清洗液65～85℃浸透清洗，使用去离子水冲洗；缺陷检测：进行平整度、粗糙度、表面缺陷的参数指标检测；二级筛选：合格则为优级品，不合格则降级为不合格品。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118866732A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411337339.0
申请日：2024-09-25
Applicant: 河北同光半导体股份有限公司
Abstract: 本发明涉及碳化硅技术领域，具体公开一种碳化硅衬底平整度测试盘高点的去除方法。本发明提供创造性地提出了采用简单旋转碳化硅衬底进行两次测量的方法判断测试盘是否存在脏污，且首次提出了利用平整度分布图以及公式精准判断测试脏污区域位置和去除脏污的方法，根据不同的脏污程度对测试盘的精准区域采用不同的处理方法，提高了测试盘脏污的去除效果，保证了平整度测试的精准性，同时，还减少了传统修盘方式对测试盘带来的盘面磨损，不但有效减少了因测试不准确造成的碳化硅衬底的返工，降低了返工率，提高了生产效率，还大大提高了测试盘的使用寿命，对于降低碳化硅衬底的生产成本，提高生产效率具有十分重要的意义，推广应用价值较高。
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公开(公告)号：CN114953225B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202210533276.0
申请日：2022-05-17
Applicant: 河北同光半导体股份有限公司
Abstract: 一种单体定向切割碳化硅的方法，涉及碳化硅切割技术领域，其是对切割的每一个晶体分别定向后再切割，从而使切割的晶圆角度可控，切割加工后满足客户要求，而且能够切割一锯同时满足多个客户不同角度要求。所述单体定向切割碳化硅的方法，包括如下步骤：晶体定向加工后，将单个晶体粘接到小托盘载体上，放入多线切割设备，固定后使用千分表对单个晶体端面进行打表确定横向和纵向角度偏差；如果偏差出现问题，调节固定装置并使千分表读数达到要求范围；如果偏差未有问题，则第一块晶体调节完毕，放入第二块晶体直至第N块晶体，并按照上述步骤依次重复调节，至此每次能够切割多个晶体。
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公开(公告)号：CN114953225A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210533276.0
申请日：2022-05-17
Applicant: 河北同光半导体股份有限公司
Abstract: 一种单体定向切割碳化硅的方法，涉及碳化硅切割技术领域，其是对切割的每一个晶体分别定向后再切割，从而使切割的晶圆角度可控，切割加工后满足客户要求，而且能够切割一锯同时满足多个客户不同角度要求。所述单体定向切割碳化硅的方法，包括如下步骤：晶体定向加工后，将单个晶体粘接到小托盘载体上，放入多线切割设备，固定后使用千分表对单个晶体端面进行打表确定横向和纵向角度偏差；如果偏差出现问题，调节固定装置并使千分表读数达到要求范围；如果偏差未有问题，则第一块晶体调节完毕，放入第二块晶体直至第N块晶体，并按照上述步骤依次重复调节，至此每次能够切割多个晶体。
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公开(公告)号：CN118866732B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411337339.0
申请日：2024-09-25
Applicant: 河北同光半导体股份有限公司
Abstract: 本发明涉及碳化硅技术领域，具体公开一种碳化硅衬底平整度测试盘高点的去除方法。本发明提供创造性地提出了采用简单旋转碳化硅衬底进行两次测量的方法判断测试盘是否存在脏污，且首次提出了利用平整度分布图以及公式精准判断测试脏污区域位置和去除脏污的方法，根据不同的脏污程度对测试盘的精准区域采用不同的处理方法，提高了测试盘脏污的去除效果，保证了平整度测试的精准性，同时，还减少了传统修盘方式对测试盘带来的盘面磨损，不但有效减少了因测试不准确造成的碳化硅衬底的返工，降低了返工率，提高了生产效率，还大大提高了测试盘的使用寿命，对于降低碳化硅衬底的生产成本，提高生产效率具有十分重要的意义，推广应用价值较高。
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公开(公告)号：CN115458428A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202211183346.0
申请日：2022-09-27
Applicant: 河北同光半导体股份有限公司
Abstract: 一种提升时效的碳化硅晶圆清洗检测方法，涉及碳化硅晶圆加工清洗检测技术领域，其能够将晶圆等级及时分类，减少药液耗量、以及人工和动力，有效节约成本。所述提升时效的碳化硅晶圆清洗检测方法，包括以下步骤：表层去污清洗：先去除晶圆表面多种有机物和无机物，再去除表面残留药液和颗粒，最后去除表面的金属离子；初级筛选：将宏观不合格崩边和/或六角孔洞，作降级处理，不再进入下一环节；RCA常规清洗：采用SC1清洗液30～80℃浸透清洗，使用去离子水冲洗，采用SC2清洗液65～85℃浸透清洗，使用去离子水冲洗；缺陷检测：进行平整度、粗糙度、表面缺陷的参数指标检测；二级筛选：合格则为优级品，不合格则降级为不合格品。
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