公开(公告)号：CN115458428B

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202211183346.0

申请日：2022-09-27

Applicant: 河北同光半导体股份有限公司

Inventor： 汤欢 ,  崔景光 ,  李雪涛 ,  高彦静 ,  闫兰 ,  刘少华 ,  程笑媛 ,  刘庆 ,  薛晓晚 ,  刘娇

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/02

Abstract: 一种提升时效的碳化硅晶圆清洗检测方法，涉及碳化硅晶圆加工清洗检测技术领域，其能够将晶圆等级及时分类，减少药液耗量、以及人工和动力，有效节约成本。所述提升时效的碳化硅晶圆清洗检测方法，包括以下步骤：表层去污清洗：先去除晶圆表面多种有机物和无机物，再去除表面残留药液和颗粒，最后去除表面的金属离子；初级筛选：将宏观不合格崩边和/或六角孔洞，作降级处理，不再进入下一环节；RCA常规清洗：采用SC1清洗液30～80℃浸透清洗，使用去离子水冲洗，采用SC2清洗液65～85℃浸透清洗，使用去离子水冲洗；缺陷检测：进行平整度、粗糙度、表面缺陷的参数指标检测；二级筛选：合格则为优级品，不合格则降级为不合格品。

公开(公告)号：CN115458428A

公开(公告)日：2022-12-09

申请号：CN202211183346.0

申请日：2022-09-27

Applicant: 河北同光半导体股份有限公司

Inventor： 汤欢 ,  崔景光 ,  李雪涛 ,  高彦静 ,  闫兰 ,  刘少华 ,  程笑媛 ,  刘庆 ,  薛晓晚 ,  刘娇

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/02

Abstract: 一种提升时效的碳化硅晶圆清洗检测方法，涉及碳化硅晶圆加工清洗检测技术领域，其能够将晶圆等级及时分类，减少药液耗量、以及人工和动力，有效节约成本。所述提升时效的碳化硅晶圆清洗检测方法，包括以下步骤：表层去污清洗：先去除晶圆表面多种有机物和无机物，再去除表面残留药液和颗粒，最后去除表面的金属离子；初级筛选：将宏观不合格崩边和/或六角孔洞，作降级处理，不再进入下一环节；RCA常规清洗：采用SC1清洗液30～80℃浸透清洗，使用去离子水冲洗，采用SC2清洗液65～85℃浸透清洗，使用去离子水冲洗；缺陷检测：进行平整度、粗糙度、表面缺陷的参数指标检测；二级筛选：合格则为优级品，不合格则降级为不合格品。