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公开(公告)号：CN117174572B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202311248210.8
申请日：2023-09-26
Applicant: 河北同光半导体股份有限公司
Abstract: 一种改善碳化硅衬底平整度局部异常的方法，涉及碳化硅技术领域，尤其涉及平整度出现局部异常的碳化硅衬底，其能够避免多次返工带来的加工成本损耗，同时提高成品合格率，改善碳化硅衬底质量，为外延材料的质量、器件制备提供可靠性。所述改善碳化硅衬底平整度局部异常的方法中，先对平整度异常的衬底进行厚度测试并分选，再根据平整度LTV和TTV的分布进行分析并作出区域定位，然后根据平整度异常位置确定衬底在陶瓷盘上的贴片方向，最后根据LTV和TTV的测试值选择匹配去除量的粗抛和精抛工艺进行抛光，最终实现整片平整度均匀性。
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公开(公告)号：CN117753050A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311797241.9
申请日：2023-12-25
Applicant: 河北同光半导体股份有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种衬底表面金属杂质的萃取方法。本发明提供的衬底表面金属杂质的萃取方法，通过采用向衬底表面滴加萃取液并使萃取液扫掠衬底的整个待测面的方式，实现对衬底表面痕量级别金属杂质的萃取。该方法无需使用HF‑VPD设备和液滴扫描装置，每个待测样品使用单独的一次性移液吸头进行萃取液的滴加和收集，避免了不同样品均使用同一设备进行金属杂质提取和收集造成的样品之间的相互干扰，且整个萃取过程可在三分钟内完成，时效性优良。
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公开(公告)号：CN117542728B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202410027040.9
申请日：2024-01-09
Applicant: 河北同光半导体股份有限公司
Abstract: 本发明涉及碳化硅加工技术领域，具体公开一种去除碳化硅衬底表面金属离子的动态清洗方法。本发明提供的去除碳化硅衬底表面金属离子的动态清洗方法，创造性地构建了金属离子含量与清洗液中有效组分比例的计算公式，通过该计算公式可以动态监测清洗液的清洗能力，从而及时对清洗液中有效组分比例进行调整，有利于达到更好的清洗效果，提高清洗效率，延长清洗液的使用寿命，避免不合格碳化硅衬底返工清洗以及清洗液未达到使用寿命，提前更换造成清洗液浪费问题的出现，对于降低碳化硅衬底的生产成本，提高生产效率具有十分重要的意义，推广应用价值较高。
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公开(公告)号：CN117174572A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311248210.8
申请日：2023-09-26
Applicant: 河北同光半导体股份有限公司
Abstract: 一种改善碳化硅衬底平整度局部异常的方法，涉及碳化硅技术领域，尤其涉及平整度出现局部异常的碳化硅衬底，其能够避免多次返工带来的加工成本损耗，同时提高成品合格率，改善碳化硅衬底质量，为外延材料的质量、器件制备提供可靠性。所述改善碳化硅衬底平整度局部异常的方法中，先对平整度异常的衬底进行厚度测试并分选，再根据平整度LTV和TTV的分布进行分析并作出区域定位，然后根据平整度异常位置确定衬底在陶瓷盘上的贴片方向，最后根据LTV和TTV的测试值选择匹配去除量的粗抛和精抛工艺进行抛光，最终实现整片平整度均匀性。
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公开(公告)号：CN115458428B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202211183346.0
申请日：2022-09-27
Applicant: 河北同光半导体股份有限公司
Abstract: 一种提升时效的碳化硅晶圆清洗检测方法，涉及碳化硅晶圆加工清洗检测技术领域，其能够将晶圆等级及时分类，减少药液耗量、以及人工和动力，有效节约成本。所述提升时效的碳化硅晶圆清洗检测方法，包括以下步骤：表层去污清洗：先去除晶圆表面多种有机物和无机物，再去除表面残留药液和颗粒，最后去除表面的金属离子；初级筛选：将宏观不合格崩边和/或六角孔洞，作降级处理，不再进入下一环节；RCA常规清洗：采用SC1清洗液30～80℃浸透清洗，使用去离子水冲洗，采用SC2清洗液65～85℃浸透清洗，使用去离子水冲洗；缺陷检测：进行平整度、粗糙度、表面缺陷的参数指标检测；二级筛选：合格则为优级品，不合格则降级为不合格品。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118866732A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411337339.0
申请日：2024-09-25
Applicant: 河北同光半导体股份有限公司
Abstract: 本发明涉及碳化硅技术领域，具体公开一种碳化硅衬底平整度测试盘高点的去除方法。本发明提供创造性地提出了采用简单旋转碳化硅衬底进行两次测量的方法判断测试盘是否存在脏污，且首次提出了利用平整度分布图以及公式精准判断测试脏污区域位置和去除脏污的方法，根据不同的脏污程度对测试盘的精准区域采用不同的处理方法，提高了测试盘脏污的去除效果，保证了平整度测试的精准性，同时，还减少了传统修盘方式对测试盘带来的盘面磨损，不但有效减少了因测试不准确造成的碳化硅衬底的返工，降低了返工率，提高了生产效率，还大大提高了测试盘的使用寿命，对于降低碳化硅衬底的生产成本，提高生产效率具有十分重要的意义，推广应用价值较高。
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公开(公告)号：CN118544258A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410777186.5
申请日：2024-06-17
Applicant: 河北同光半导体股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种晶圆边缘倒角的工装及加工方法，属于半导体加工技术领域，包括游星轮装载板，所述游星轮装载板上具有安装通孔，所述游星轮装载板的厚度小于晶圆的厚度；所述安装通孔的内周壁具有内凹曲面，所述内凹曲面用于与晶圆边缘接触，以在双面磨削过程中磨削晶圆的边缘位置；其中，在双面磨削晶圆之前，晶圆边缘位置的上、下两侧先磨削预设倾角，以使晶圆边缘位置的厚度小于所述内凹曲面的厚度；在通过双面磨削设备对晶圆进行双面磨削时，游星轮装载板上的内凹曲面能够对晶圆的边缘位置进行研磨，在晶圆双面磨削完毕之后，能够同时完成对晶圆边缘的倒角磨削，无需后续对晶圆的边缘位置进行二次倒角，能够提高生产效率。
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公开(公告)号：CN117711913A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311690181.0
申请日：2023-12-11
Applicant: 河北同光半导体股份有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体制造技术领域，具体公开一种用于碳化硅衬底漏液检测前的预清洗方法。本发明将预清洗方法提前至碳化硅衬底工序后，首先采用纯水超声清洗去除碳化硅衬底表面附着的大颗粒研磨液，然后于氢氟酸/硫酸混合酸溶液中进行多频段超声清洗，有效去除微小管道中堆积的杂质，最后于碳酸氢钠水溶液中浸泡去除碳化硅衬底表面的油污，从而实现了碳化硅衬底表面，尤其是2微米以下管道缺陷中的杂质的有效去除，进而有效提高了碳化硅衬底漏点的充分检出，降低了漏液衬底加工成本的浪费，提高了碳化硅衬底的生产效率，对于提高外延器件的合格率具有重要意义，具有较高的推广应用价值。
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公开(公告)号：CN116833152A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310837438.4
申请日：2023-07-10
Applicant: 河北同光半导体股份有限公司
Abstract: 一种去除清洗用卡塞产生边缘脏污的方法，涉及碳化硅晶圆加工清洗技术领域，对碳化硅清洗用卡塞进行清洗处理，以保证使用中的卡塞洁净，有效减少因卡塞脏污造成的边缘颗粒、金属离子残留的脏污问题，同时有效延长了卡塞的使用周期，降低了成本。所述去除清洗用卡塞产生边缘脏污的方法中，通过对卡塞进行清洗处理能够有效去除卡塞脏污导致的晶圆边缘颗粒聚集、金属离子超标等脏污问题，从而有效减少了因脏污导致的返工，提升了合格率，同时延长了卡塞使用周期，降低了清洗成本，并且可使用在线的清洗设备进行不需引进新设备新药液，清洗方法简单，节省空间，节约成本同时避免了二次污染。
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公开(公告)号：CN115602530A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211357128.4
申请日：2022-11-01
Applicant: 河北同光半导体股份有限公司(CN)
Abstract: 一种碳化硅晶圆表面颗粒动态清洗方法，涉及碳化硅清洗技术领域，其能够动态管控清洗工艺，根据实时数据进行计算并及时优化在线工艺。所述碳化硅晶圆表面颗粒动态清洗方法中，包括RCA清洗；其中，通过对SC1的配比及颗粒数量进行匹配及模拟，得到一个动态公式：y为NH4OH：H2O2的体积比，x为颗粒数量、且30≤x＜100，公式中的其它字母为常数，具体数值如下：y0为‑9.103、xc为150.982、w为715.48、A为9214.501；具体地，根据动态公式及客户需求，并根据颗粒数量进行如下处理：当30≤颗粒数量＜100个，根据动态公式进行药液配比调整。
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