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公开(公告)号：CN117753050A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311797241.9
申请日：2023-12-25
Applicant: 河北同光半导体股份有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种衬底表面金属杂质的萃取方法。本发明提供的衬底表面金属杂质的萃取方法，通过采用向衬底表面滴加萃取液并使萃取液扫掠衬底的整个待测面的方式，实现对衬底表面痕量级别金属杂质的萃取。该方法无需使用HF‑VPD设备和液滴扫描装置，每个待测样品使用单独的一次性移液吸头进行萃取液的滴加和收集，避免了不同样品均使用同一设备进行金属杂质提取和收集造成的样品之间的相互干扰，且整个萃取过程可在三分钟内完成，时效性优良。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118866732B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411337339.0
申请日：2024-09-25
Applicant: 河北同光半导体股份有限公司
Abstract: 本发明涉及碳化硅技术领域，具体公开一种碳化硅衬底平整度测试盘高点的去除方法。本发明提供创造性地提出了采用简单旋转碳化硅衬底进行两次测量的方法判断测试盘是否存在脏污，且首次提出了利用平整度分布图以及公式精准判断测试脏污区域位置和去除脏污的方法，根据不同的脏污程度对测试盘的精准区域采用不同的处理方法，提高了测试盘脏污的去除效果，保证了平整度测试的精准性，同时，还减少了传统修盘方式对测试盘带来的盘面磨损，不但有效减少了因测试不准确造成的碳化硅衬底的返工，降低了返工率，提高了生产效率，还大大提高了测试盘的使用寿命，对于降低碳化硅衬底的生产成本，提高生产效率具有十分重要的意义，推广应用价值较高。
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公开(公告)号：CN115458428A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202211183346.0
申请日：2022-09-27
Applicant: 河北同光半导体股份有限公司
Abstract: 一种提升时效的碳化硅晶圆清洗检测方法，涉及碳化硅晶圆加工清洗检测技术领域，其能够将晶圆等级及时分类，减少药液耗量、以及人工和动力，有效节约成本。所述提升时效的碳化硅晶圆清洗检测方法，包括以下步骤：表层去污清洗：先去除晶圆表面多种有机物和无机物，再去除表面残留药液和颗粒，最后去除表面的金属离子；初级筛选：将宏观不合格崩边和/或六角孔洞，作降级处理，不再进入下一环节；RCA常规清洗：采用SC1清洗液30～80℃浸透清洗，使用去离子水冲洗，采用SC2清洗液65～85℃浸透清洗，使用去离子水冲洗；缺陷检测：进行平整度、粗糙度、表面缺陷的参数指标检测；二级筛选：合格则为优级品，不合格则降级为不合格品。
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公开(公告)号：CN115458428B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202211183346.0
申请日：2022-09-27
Applicant: 河北同光半导体股份有限公司
Abstract: 一种提升时效的碳化硅晶圆清洗检测方法，涉及碳化硅晶圆加工清洗检测技术领域，其能够将晶圆等级及时分类，减少药液耗量、以及人工和动力，有效节约成本。所述提升时效的碳化硅晶圆清洗检测方法，包括以下步骤：表层去污清洗：先去除晶圆表面多种有机物和无机物，再去除表面残留药液和颗粒，最后去除表面的金属离子；初级筛选：将宏观不合格崩边和/或六角孔洞，作降级处理，不再进入下一环节；RCA常规清洗：采用SC1清洗液30～80℃浸透清洗，使用去离子水冲洗，采用SC2清洗液65～85℃浸透清洗，使用去离子水冲洗；缺陷检测：进行平整度、粗糙度、表面缺陷的参数指标检测；二级筛选：合格则为优级品，不合格则降级为不合格品。
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公开(公告)号：CN118866732A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411337339.0
申请日：2024-09-25
Applicant: 河北同光半导体股份有限公司
Abstract: 本发明涉及碳化硅技术领域，具体公开一种碳化硅衬底平整度测试盘高点的去除方法。本发明提供创造性地提出了采用简单旋转碳化硅衬底进行两次测量的方法判断测试盘是否存在脏污，且首次提出了利用平整度分布图以及公式精准判断测试脏污区域位置和去除脏污的方法，根据不同的脏污程度对测试盘的精准区域采用不同的处理方法，提高了测试盘脏污的去除效果，保证了平整度测试的精准性，同时，还减少了传统修盘方式对测试盘带来的盘面磨损，不但有效减少了因测试不准确造成的碳化硅衬底的返工，降低了返工率，提高了生产效率，还大大提高了测试盘的使用寿命，对于降低碳化硅衬底的生产成本，提高生产效率具有十分重要的意义，推广应用价值较高。
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公开(公告)号：CN116833152A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310837438.4
申请日：2023-07-10
Applicant: 河北同光半导体股份有限公司
Abstract: 一种去除清洗用卡塞产生边缘脏污的方法，涉及碳化硅晶圆加工清洗技术领域，对碳化硅清洗用卡塞进行清洗处理，以保证使用中的卡塞洁净，有效减少因卡塞脏污造成的边缘颗粒、金属离子残留的脏污问题，同时有效延长了卡塞的使用周期，降低了成本。所述去除清洗用卡塞产生边缘脏污的方法中，通过对卡塞进行清洗处理能够有效去除卡塞脏污导致的晶圆边缘颗粒聚集、金属离子超标等脏污问题，从而有效减少了因脏污导致的返工，提升了合格率，同时延长了卡塞使用周期，降低了清洗成本，并且可使用在线的清洗设备进行不需引进新设备新药液，清洗方法简单，节省空间，节约成本同时避免了二次污染。
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