Invention Grant
- Patent Title: 一种碳化硅衬底平整度测试盘高点的去除方法
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Application No.: CN202411337339.0Application Date: 2024-09-25
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Publication No.: CN118866732BPublication Date: 2024-12-13
- Inventor: 汤欢 , 郑向光 , 高彦静 , 闫兰 , 刘娇
- Applicant: 河北同光半导体股份有限公司
- Applicant Address: 河北省保定市北三环6001号
- Assignee: 河北同光半导体股份有限公司
- Current Assignee: 河北同光半导体股份有限公司
- Current Assignee Address: 河北省保定市北三环6001号
- Agency: 河北国维致远知识产权代理有限公司
- Agent 张新利
- Main IPC: H01L21/66
- IPC: H01L21/66 ; H01L21/02

Abstract:
本发明涉及碳化硅技术领域,具体公开一种碳化硅衬底平整度测试盘高点的去除方法。本发明提供创造性地提出了采用简单旋转碳化硅衬底进行两次测量的方法判断测试盘是否存在脏污,且首次提出了利用平整度分布图以及公式精准判断测试脏污区域位置和去除脏污的方法,根据不同的脏污程度对测试盘的精准区域采用不同的处理方法,提高了测试盘脏污的去除效果,保证了平整度测试的精准性,同时,还减少了传统修盘方式对测试盘带来的盘面磨损,不但有效减少了因测试不准确造成的碳化硅衬底的返工,降低了返工率,提高了生产效率,还大大提高了测试盘的使用寿命,对于降低碳化硅衬底的生产成本,提高生产效率具有十分重要的意义,推广应用价值较高。
Public/Granted literature
- CN118866732A 一种碳化硅衬底平整度测试盘高点的去除方法 Public/Granted day:2024-10-29
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