公开(公告)号：CN114953225B

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202210533276.0

申请日：2022-05-17

Applicant: 河北同光半导体股份有限公司

Inventor： 刘凯辉 ,  崔景光 ,  崔盼兴 ,  刘娇 ,  马林 ,  卓欢

IPC: B28D5/04 ,  B28D7/04

Abstract: 一种单体定向切割碳化硅的方法，涉及碳化硅切割技术领域，其是对切割的每一个晶体分别定向后再切割，从而使切割的晶圆角度可控，切割加工后满足客户要求，而且能够切割一锯同时满足多个客户不同角度要求。所述单体定向切割碳化硅的方法，包括如下步骤：晶体定向加工后，将单个晶体粘接到小托盘载体上，放入多线切割设备，固定后使用千分表对单个晶体端面进行打表确定横向和纵向角度偏差；如果偏差出现问题，调节固定装置并使千分表读数达到要求范围；如果偏差未有问题，则第一块晶体调节完毕，放入第二块晶体直至第N块晶体，并按照上述步骤依次重复调节，至此每次能够切割多个晶体。

公开(公告)号：CN114953225A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210533276.0

申请日：2022-05-17

Applicant: 河北同光半导体股份有限公司

Inventor： 刘凯辉 ,  崔景光 ,  崔盼兴 ,  刘娇 ,  马林 ,  卓欢

IPC: B28D5/04 ,  B28D7/04

Abstract: 一种单体定向切割碳化硅的方法，涉及碳化硅切割技术领域，其是对切割的每一个晶体分别定向后再切割，从而使切割的晶圆角度可控，切割加工后满足客户要求，而且能够切割一锯同时满足多个客户不同角度要求。所述单体定向切割碳化硅的方法，包括如下步骤：晶体定向加工后，将单个晶体粘接到小托盘载体上，放入多线切割设备，固定后使用千分表对单个晶体端面进行打表确定横向和纵向角度偏差；如果偏差出现问题，调节固定装置并使千分表读数达到要求范围；如果偏差未有问题，则第一块晶体调节完毕，放入第二块晶体直至第N块晶体，并按照上述步骤依次重复调节，至此每次能够切割多个晶体。